本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的晶体的表面取向。 GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1555-1997

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1553-1997

本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。 GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测

本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。 GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法 GB/T1551-1995

本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测定方法。本标准适用于非本征半导体材料导电类型的测定，其中较详细地规定了锗和硅导电类型的测试方法。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得的可靠结果，对于非均匀试样，可在其表面上测出不同导电类型区域。本标准方法不适用于分层结构试样，如外延片的导电类型的测定

本标准适用于用标准漏斗法测定金属粉末的流动性。凡能自由流过孔径为2.5mm标准漏斗的粉末，均可采用本标准。 GB/T 1482-1984 金属粉末流动性的测定 标准漏斗法(霍尔流速计) GB/T1482-1984

本标准规定了测定金属粉末粒度组成的干筛分法。本标准适用于干的、不含润滑剂的金属粉末。本标准不适用于明显不等轴的金属粉末(如片状粉末)及颗粒尺寸全部或大部分小于45μm的金属粉末。 GB/T 1480-1995 金属粉末粒度组成的测定 干筛分法 GB/T1480-1995

本标准这一部分规定了用标准漏斗法测定金属粉末松装密度的方法。本方法仅适用于能自由流过孔径为2.5mm或5.0mm标准漏斗的粉末。本标准的其他部分规定了不能通过孔径为5.0mm标准漏斗的粉末松装密度测定方法。 GB/T 1479-1984 金属粉末松装密度的测定 第一部分:漏斗法 GB/T1479-1

本标准规定了采用差热分析仪(DTA)或差示扫描量热计(DSC)测定贵金属及其合金熔化温度范围的方法。本标准适用于熔化开始时呈现“一致性熔化过程”为特征的贵金属及其合金的固相线温度及液相线温度的测定。本标准也适用于其余类型贵金属合金的液相线温度、其他种类金属合金的相应特征温度以及能呈现明显峰形的固相转

本标准规定了贵金属及其合金材料电阻系数、单位长度电阻和质量电阻系数的测试方法。本标准适用于横截面积均匀的贵金属及其合金线材、带材的电阻系数、单位长度电阻和质量电阻系数的测定。其他金属及合金材料亦可参照使用。 GB/T 1424-1996 贵金属及其合金材料电阻系数测试方法 GB/T1424-1996