本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，

本标准规定了用千分尺测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径。本标准不适用于测量硅片的不圆度。本标准不作为仲裁测量方法。 GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法 GB/T14140.2-1993

本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径。测量范围为声φ40～φ100mm本标准不适用于测量硅片的不圆度。本标准用作仲裁测量方法。 GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法 GB/T14140.1-1993

本标准规定了用单片磁导计测量电工钢片(带)的比总损耗、比视在功率和交流磁化曲线的方法。本标准规定电工钢片(带)的交流磁性能参数都是在磁通波形正弦条件下测得的，适用的磁极化强度范围为：冷轧取向电工钢片(带)1.0～1.8T，冷轧无取向和热轧电工钢片0.8～1.5T，如果磁通正弦条件得到保证此范围可相应

本标准规定了彩色涂层钢板及钢带9项性能试验方法，包括涂层厚度测定、涂层镜面光泽测定、弯曲试验、冲击试验、铅笔硬度试验、划格试验、盐雾试验、潮湿试验和加速气候试验，规定了试验的方法、试样、仪器、试验步骤、结果计算和试验报告内容等。本标准适用于上述9项彩色涂层钢板及钢带性能的检测，其中涂层厚度测定、镜面

本标准规定了金属粉末比表面积的测定方法。本标准适用于金属粉末比表面积的测定。测定范围为0.1~1000m2/g。非金属粉末及微孔材料的比表面积测定亦可参照使用。本标准所测表面积为粉末的总表面积，包括氮分子可进入粉末体的任何开孔表面积；它不同于用空气透过法测定的表面积，后者系指包络表面积。 GB/T

本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度1012～1021cm-3(电阻率0.0001~10，000Ω·cm)掺硼硅单晶和1012~5×1020cm-3(电阻率0.0002~4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与

本标准规定了用Ｘ射线技术测量硅片参考面结晶学取向的方法。本标准适用于硅片参考面结晶学取向与参考面规定取向之间角度偏差的测量。硅片直径为50～125mm，参考面长度为10～50mm。本标准不适用于硅片规定取向在与参考面和硅片表面相垂直的平面内的投影与硅片表面法线之间夹角不小于3°的硅片的测量。 GB/

本标准规定了电子材料晶片参考面长度的测量方法。本标准适用于测量各种直径的硅抛光片、研磨片和切割片的参考面长度。也适用于测量砷化镓、蓝宝石和钆镓石榴石等材料晶片的参考面长度。 GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13387-1992

本标准规定了用减重法或增重法测定钢及合金在高温下气体介质中抗氧化性能试验的设备、试样、试验过程及抗氧化性能的评定。 本标准适用于钢及合金在高温下气体介质中抗氧化性能的测定。在高温下其他腐蚀性气体介质中抗蚀性能的测定亦可参照使用。 GB/T 13303-1991 钢的抗氧化性能测定方法 GB/T133