本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T6616-199

本标准适用于室温至1500℃范围内，使用差热分析(DTA)方法测定自熔合金粉末固—液相线温度区间。 GB/T 6526-1986 自熔合金粉末固-液相线温度区间的测定方法 GB/T6526-1986

本标准规定了烧结金属材料室温压缩强度的测定方法。本标准适用于测定机加工或非机加工的烧结金属材料(硬质合金除外)的压缩强度(屈服点、屈服强度和抗压强度)。 GB/T 6525-1986 烧结金属材料室温压缩强度的测定 GB/T6525-1986

本标准规定了金属粉末在悬浮液中由于重力作用沉降时，通过测量光束穿过悬浮液时的衰减量来计算颗粒粒度分布的方法。本方法适用于满足斯托克斯方法的情况，即雷诺数小于0.25的层流条件，同时颗粒沉降速度不受布朗运动影响。本方法适用于全部颗粒粒径在1μm～100μm之间的金属粉末包装硬质合金用粉末。 GB/T

本标准适用于测定精密电阻合金的电阻温度系数，其温度范围为-60~150℃,也适用于其他合金的电阻温度系数测量。 GB/T 6148-1985 精密电阻合金电阻温度系数测试方法 GB/T6148-1985

本标准适用于精密电阻合金在-60~250℃范围内对铜热电动势率的测量，凡在此范围内，本标准也适用于其他金属材料对铜热电动势率测量。 GB/T 6147-1985 精密电阻合金热电动势率测试方法 GB/T6147-1985

本标准适用于测量实心并具有均匀截面的精密电阻合金的体积电阻率和单位长度电阻。 GB/T 6146-1985 精密电阻合金电阻率测试方法 GB/T6146-1985

本标准规定了金属材料杨氏模量、切变模量及泊松比动力学测量方法的术语定义、测量原理、测量器具、变温装置、试样、测试条件与操作、数据处理、检测精度及试验报告的要求。本标准适用于-195~1200℃间材质均匀的金属材料的动态杨氏模量、动态切变模量及动态泊松比的测量。 GB/T 2105-1991 金属材料

本标准规定了硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法。 GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T1558-1997

本标准规定了用红外吸收测定硅晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的硅晶体中氧含量的测量。 GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1557-1989