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【国家标准(GB)】 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
本网站 发布时间:
1995-04-18 15:00:00
- GB/T6616-1995
- 现行
标准号:
GB/T 6616-1995
标准名称:
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
标准类别:
国家标准(GB)
标准状态:
现行-
发布日期:
1995-04-18 -
实施日期:
1995-01-02 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
KB
替代情况:
GB 6616-1986采标情况:
=ASTM F673-90
标准简介/下载
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标准简介:
本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1~1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T6616-1995 标准下载解压密码:www.bzxz.net
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