本标准规定了贵金属及其合金材料室温密度的测定方法。本标准适用于贵金属及其合金材料室温密度的测定。其他金属及合金材料以及部分非金属固体材料亦可参照使用。本标准不适用于粉末材料及多孔材料密度的测定。 GB/T 1423-1996 贵金属及其合金密度的测试方法 GB/T1423-1996

本标准规定了金属材料电阻系数测量方法的名词术语、测量仪器、试样、测量程序、测量结果及计算、试验记录及报告。 本标准适用于黑色金属线材制品及其他导电材料的电阻、电阻系数、质量电阻率及单位长度电阻的测量，并作为测定标准条件下电阻系数在0.01～2.0Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法。 GB/T 351

本标准规定了贵金属浆料方阻的测试方法。本标准适用于贵金属烧结型浆料方阻的测定。非贵金属浆料亦可参照使用。 GB/T 17473.3-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定 GB/T17473.3-1998

本标准规定了贵金属浆料细度的刮板试验方法。本标准适用于贵金属浆料细度测定。非贵金属浆料的细度测定亦可参照使用。 GB/T 17473.2-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定 GB/T17473.2-1998

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL２浓度红外吸收测试方法。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。 GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 GB/T17170-1997

本标准规定了用X射线衍射仪测绘金属材料定量极图的基本方法。本标准适用于冷、热加工金属板和一定条件下的再结晶金属板。其他多晶材料定量极图测绘也可参照本方法。 GB/T 17103-1997 金属材料定量极图的测定 GB/T17103-1997

本标准规定了利用晶片中心作为极坐标或直角坐标的原点，可用于确定晶片上任意一点位置的晶片坐标系。 GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范 GB/T16596-1996

本标准规定了金属材料及其他相关固体材料膨胀特征参数测量方法的定义及符号、原理、测试装置与要求、试样制备、膨胀仪校正、测量程序、测量结果计算、试验报告、精度与偏差等。 GB/T 4339-1999 金属材料热膨胀特征参数的测定 GB/T4339-1999

本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对锗、硅和砷化镓进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达104Ωcm的试样。 GB/

GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T5252-1985