GB/T 5987-1986 热双金属温曲率试验方法 GB/T5987-1986

本标准规定了热双金属弹性模量计算公式，试验仪器要求，样品及其制备等试验方法要素。本标准适用于厚度为0.40～1.40mm内热双金属条片试样，在-185～ 540℃之间某一温度下弹性模量的测定。 GB/T 5986-2000 热双金属弹性模量试验方法 GB/T5986-2000

本标准规定了热双金属弯曲常数量方法的术语、定义、原理、试样、测量仪器及工具、测量步骤、结果计算及误差等。本标准适用于测量厚度为0.25mm～1.20mm的热双金属平直条状试样的弯曲常数。测量温度范围为:室温～100℃本标准测量方法悬臂梁法。 GB/T 5985-2003 热双金属弯曲常数测量方法 G

本标准适用于测定铁素体钢(包括板材、型材、铸钢和锻钢)的无塑性转变温度。 GB/T 6803-1986 铁素体钢的无塑性转变温度落锤试验方法 GB/T6803-1986

本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片表面质量的方法。本标准适用于硅抛光片表面质量检验。 GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T6624-1995

本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法。本标准适用于检测硅抛光片的表面平整度，也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体晶片的表面平整度。 GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T6621-1995

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片翘曲度的非接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为150～1000μm的圆形硅片的翘曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。 GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6620-1995

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为200～1000μm的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。 GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 GB/T6619-1995

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式测量方法。本标准主要用于符合国标GB 12964、GB 12965规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。 GB/T 6618-1995

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3~102Ω·cm。 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T6617-1995