本标准规定了氟化铝流动性的测定方法，即一定质量的氟化铝通过特制的漏斗中，测定样品全部流出漏斗所需的时间。 YS/T581《氟化铝化学分析方法和物理性能测定方法》共分为17部分: ———第1部分:重量法测定湿存水含量; ———第2部分:烧减量的测定; ———第3部分:蒸馏-硝酸钍容量法测定氟含量; —

本标准规定了铜及铜合金板带箔材表面清洁度的测定方法。 本标准适用于铜及铜合金板带箔材表面清洁度的测定及脱脂前后板带箔材洗净率的测定，以判定清洗剂对铜板带箔材的清洗效果及成品带材表面的洁净程度。 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC24

本文件描述了锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。 本文件适用于锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率的测试，测试方法包括扣式半电池法和扣式全电池法。

本文件规定了锂离子电池正极材料高温电化学性能测试方法，包括高温存储测试和高温循环测试。 本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、富锂锰基等正极材料高温电化学性能测试。

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

本文件描述了采用栅格法评定铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀结果的方法。 本文件适用于铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜腐蚀试验样品和服役样品的腐蚀结果的等级评定。

本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。 本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001

本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。 本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

本文件描述了Bi-2223氧化物超导体短直样品室温双弯曲后临界电流的测试方法。样品为具有扁平或方形结构的单芯或多芯银和/或银包套超导线材。超导线材可以采用铜合金、不锈钢或镍合金带叠层封装。 本文件适用于临界电流小于300 A、n-值大于5的超导体。室温双弯曲后临界电流的测试在无外加磁场的条件下进行，

本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。 本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。