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- SJ 20068-1992 半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范

【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 07:47:14
- SJ20068-1992
- 现行
标准号:
SJ 20068-1992
标准名称:
半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1992-11-19 -
实施日期:
1993-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
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本规范规定了2DWl4~l8型低噪声低硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GcT). SJ 20068-1992 半导体分立器件 2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范 SJ20068-1992

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 20068—92
半导体分立器件
2DW14~18型低噪声硅电压基准
二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for lower noisefor silion voltage reference diodefor type2DW14~18
1992-11-19发布免费标准下载网bzxz
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DW14~18型低躁声硅电压基准二极管详细规范
Semiconducior discrete derlceDetail speclicatilon for lower noiscfor silicon goltage reference dlodefar lype 2DW14 ~18
1范围
1.1主题内容
SJ 20068-92
本规范规定了 2DW14~1名型低噪声硅电压基推二极管(以下体称器件)的详细要求,该种器件按 GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT).
1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581《半导体分立器件外形尺寸1中的A3-02B型,见图1.中国电手工业总公司1992-11-19发布1993-05-01 实施
YIKAONIKACa-
0. 35-(ax
图1外形尺寸
SJ 20068—92
如. 30x@
A3-02B
1.3最大额定值
2DW1418
SJ 20068—92
注:1)T>25C,按1.6mW/C的速率线性地降额,1.4主要电特性(详见表5)
2DW1418
2引用文件
GB 6571--86
GB 7581—87
GJB 33—85
F=10mA
2=10mA
—55+150
小功率信号二级管、稳压及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
—55~+175
f 10Hr~~10kHz
Iz-1OmA
GJB33/006--89半导体分立器件电压调整和电压基准二极管宰白详细规范GJB 128—R6
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件试验方法
各项要求应符合GB 33和本规范的规定。3. 2缩写、符号和定义
本规范中使用的缩写、符号和定义应符合GJ33和本规范的规定,3. 2. 1长期稳定性(p)lang term stabiliy在给楚的工作状态下,长时间内(t>500h)基准电压的相对变化值,3.2.2噪声电压(V.)noise Vollage在规定的测试条件下,电压基准二极管极间产生的随机变化的噪声电压峰值,3.3设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。3.3.1引出端材料和涂层
引出端材料应是可代、杜美丝或丝等材料。引出端涂层应锡或没惕。选用的材料和涂层可在合间或订货单中规定(见6. 1条)。3.3.2器件内部结构
芯片与支架采用冶金烧结,芯片与内引线末端采用超声键合工艺。3.4标志
器件标志应按GJB33及本规范的规定。3.4.1极性
TKAONKAca
器件的负极端用白色色点表示.
4质量保证规定
4.1 抽样和检验
SJ 20068—92
抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合 GJB33 的规定,4. 3 筛选(仅对GT和 GCT级)
筛选应符合 GJB 33 的表 2 和本规范的规定,下列测量应按本规范表 4 的规定进行,过本规范表至中极限值的器件应别出。筛
1.内部目稳
(幅前)
2. 高益寿命
3势冲击
(激度循环)
4. 恒定加度
5. 密对
的,期检据
b. 粗检渐
6. 高益反偏
常,中间电参数测试
8.电老化
9, 斑后测试
试验方法
(GB 128)
150±2c.96h
试验条件:除低髓为一 55 ℃ ,糖环 10 次外,其余同试验条伴 F+高低耀之间转换时削不大于
高低温持续时间不少于 30mim
Y1方向196000m/*
20g60s
a. 试验涤件 H
最大滞准率, 5mPz~ cm /s
b, 试验条件 C
氨视化合物检确
按规定
试验录件 Bat 96h
必须在去辑老化条件之后 96h
内完成全部参数测试,按表1 步覃避行
见3. 2.1条
100%,不超过
表 4 规定的极
按要求测量
11.外观检查
4.4质量一致性检验
SJ 20068--92
试验方法
(GJB128)
打标志之后进行,用10倍双目
立体显微镜或放大镜检查器件
外观质量,别除管充和管显生
锈,变形、开裂及有其它缺陷的
质量一致性检验应符合 GJB 33 及本规范表 1、2和 3的规定。4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33和本规范表 1 的规定进行4.4.2B组检验
B 组检验应按 GJB 33 和本规范表 2 的规,定进行。后测试和变化量(4)的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。
4. 4. 3 C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行,最后测试和变化量(A>的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述规定,4.5. 1电压-温度稳定性
每个型号器件的基准电压在各个规定的湿度下测量,测量时应记录。对于每个器件从测量出的最高电压减去出的最低电压,获得△V,值,该△V,值应在本规范规定的极限内。其测量温度不能翅过规定的极龈温度一55~100℃的范围。4. 5. 2 基准电压(V2)
测试时应加试验电流达到平衡(至少15s),然后读出基推电压值。对于试验器件的安装,应将其引线置于尖座的内侧,光具距管体10mm,夹具的温度应维持在25℃。4.5.3电压福度系数
先在T=25士1r下,施恒定测试电流12,测得热稳定后的基准电压V21(有效位数等于或人于5位):再在T—75±1℃下,施加同一测试电流,测得热稳定后的基准电压Vz(有效位数等于或大于5位);并按下述公式计算:A
要求钜流电源的电流变化值14Izl≤0.005mA,4.5.4长期稳定性
在规定的测试电流Izo及恒温描温度T=55℃下,分别测出时间t二0h的基准电压值Vzfz—165h 的 V2vts=336h的 V23*t,- 504h 的 Vz4t; -672h 的 V25*t,= 840h 的 Vz,和 t -1000h的V并按下述公式计算:
TKAONKAca
SJ20068--92
Va - Vhu
式中,V—表示七个时间检测点中的最大基准电压值V表示七个时间检测点中的最小基准电压值,V\表示该产品的标称基准电压值P.长期稳定性.
测试环境溢度应为25士2℃相对提度<65%恒温槽相度 T55℃,误递IAT|≤0. 101测试电流的变化值4Iz0.0005mA,长期稳定性测试原理应按 GJB 33/006 的附录 A中 A3 规定,4.5.5声电压
在规定的测试电流下,在规定的频带范国内将噪声放大,然后借助于具有平衡响应的均方根电压表避出效大嗪声电压,再除以系统增益,从而确定被测器件的噪声电压有效值Y。测量程序:
先取一个与被测器件微分电阻等值的低噪声电阻装入测试夹具,并调节测试电流 12=10mA,测出输出噪声电压 V
然后取出上述低噪声电阻,将被测器件装入测试夹具,再调节测试电流12=10mA,并测出其噪声电压V然后根据下式计算噪声电压:V, - Ym-
式中:A,系统增益。
骤声电压测试原理应按 GJB 33/006的附录A中A1规定。6
检验或试验
A1分组
外观及机被检
A2分组
基准电压
反向电流
微分电阻
A3分组
电压温度系数
A4分组
噪声电压
GB 6571
GJB12B中
2. 2. 1. 1
2. 2. 2, 1
2. 2.3. 1
本规范
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热神击
(溢度环)
区细检循
b.粗检漏
最后测试:
33 分组
稳态工作寿命
最后测试:
SJ 20068—92
表 1 A 组检验
用 10 倍故大
Iz-10mA
直流法:
TA25'C
直流法:
1z一表5第5栏
f10Hz~10kH
12=10mA
最小值
表5第1栏,!
公差取—5%
表 2 B组捡验
GJE128
最大值
表5第4栏,
公差取+5%
表5第3栏
表5第2栏
表5第5栏
表5第4档
试验条件;除低温为55C,循环10 次外,其余后试验条件 F
试验条件 H
试验紊性 C,意碳化合物
死表 4 步显 1. 2 和 3
Izm—30mAV表5第1栏
见表 4 步骤 1,2,5 和 6
-rKAONKAca-
B4分组
检验或试验
开辑内部目检
(设计验证)
键合强度
B5 分组
不适用
B6 分组
高温寿命
《非工作状态)
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
m.细检漏
b.粗检漏
外观及机触检验
最后飚试,
C3分组
变频摄动
恒定加速度
最后测试:
C4 分组
基气(慢蚀)
(适用时)
SJ20068—92
续表2
GJB128
TA=:75C
见表重步骤 1.2.5和 6
表 3 C组检验
GJB12B
见图1
试验条件 A
试验条作A,W-2000g= 5s
按B3分组
按B2分组
接A1分组
见表 4 步骤1.2和 3
非工作状态,加速度14700m/s*,—0.5tmsx,Y1方向冲击各5次
非工作状态
196000m/g*,X,Y,向
见表4步骤 [、2 和 4
每批担检一
只/0失效
20(C-0)
检验或试验
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
验验或试验
基准电压
搬分电阻
基准电压温度
反向电流
SJ 20068--92
续表3
GJB 128
Iz# ** 30 11. 5mA
Vz-表5第1栏
按表 4 步骤 1., 2,5 和 6
表 4 B 组和 C 组的最后测试
GB6571
2, 2、2. 1
2. 2. 3. 1
基准电压变化9. 2. 1. 1
噪产电压
本规范
真游法:1z=10mA
Iz=10mA
真流法,
Ta-25C
Ta-75t
Iz- I2
(表5第5栏)
直流法:
TA-25±3℃
流法:
T -25±3r
f=10Hz~-j0kHz
I=10mA
极限馆
表5第1
琵,公羞欧
轰5菱
稔,公蔡取
初妒值的
表 5的第 5
表5 3
[初始道的
初始的
度5的第 4
TKAONKAca
2DW14B
2DW14C
2DW14D
2DW15A
2DW15B
2DW15C
2DW15D
2DW16A
2DW16B
2DW16C
2DW17A
2DW1?B
2DW17C
2DW17D
2DW18A
2DW18B
2DW180
2DW18D
基准电压
±5%(V)
微分电阻
SJ 20068--92
表5电梦数规范表
反向电
噪声电压
Vr=3. fV f=10Hz
Iz= 10mA |Iz=10mA
1z=10mA
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定
5.3运输要求
运辅要求应按 GJB 33的规定。
(10-*/℃)
电压凝度系数
最佳测
试电流
测试温度
-55.25.100
55,25,100
—55,25,100
—65,26,100
55,25,100
长期秘定性
(△YL/Y)
(10-/1000h)
6说明事项
SJ 20068—92
61对引出端徐层有特殊要求时应在合同或订货单中规定、如需要典型特性曲线,可在合同或订货单中规定6.23
附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口、本规范由中国电子技术标推化研究所、杭州无线电二厂负责起草。本规范主要起草人,王萱文、于志贤,计划项目代号B01001。
1 —
TTKAONTKAca-
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SJ 20068—92
半导体分立器件
2DW14~18型低噪声硅电压基准
二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for lower noisefor silion voltage reference diodefor type2DW14~18
1992-11-19发布免费标准下载网bzxz
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DW14~18型低躁声硅电压基准二极管详细规范
Semiconducior discrete derlceDetail speclicatilon for lower noiscfor silicon goltage reference dlodefar lype 2DW14 ~18
1范围
1.1主题内容
SJ 20068-92
本规范规定了 2DW14~1名型低噪声硅电压基推二极管(以下体称器件)的详细要求,该种器件按 GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT).
1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581《半导体分立器件外形尺寸1中的A3-02B型,见图1.中国电手工业总公司1992-11-19发布1993-05-01 实施
YIKAONIKACa-
0. 35-(ax
图1外形尺寸
SJ 20068—92
如. 30x@
A3-02B
1.3最大额定值
2DW1418
SJ 20068—92
注:1)T>25C,按1.6mW/C的速率线性地降额,1.4主要电特性(详见表5)
2DW1418
2引用文件
GB 6571--86
GB 7581—87
GJB 33—85
F=10mA
2=10mA
—55+150
小功率信号二级管、稳压及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
—55~+175
f 10Hr~~10kHz
Iz-1OmA
GJB33/006--89半导体分立器件电压调整和电压基准二极管宰白详细规范GJB 128—R6
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件试验方法
各项要求应符合GB 33和本规范的规定。3. 2缩写、符号和定义
本规范中使用的缩写、符号和定义应符合GJ33和本规范的规定,3. 2. 1长期稳定性(p)lang term stabiliy在给楚的工作状态下,长时间内(t>500h)基准电压的相对变化值,3.2.2噪声电压(V.)noise Vollage在规定的测试条件下,电压基准二极管极间产生的随机变化的噪声电压峰值,3.3设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。3.3.1引出端材料和涂层
引出端材料应是可代、杜美丝或丝等材料。引出端涂层应锡或没惕。选用的材料和涂层可在合间或订货单中规定(见6. 1条)。3.3.2器件内部结构
芯片与支架采用冶金烧结,芯片与内引线末端采用超声键合工艺。3.4标志
器件标志应按GJB33及本规范的规定。3.4.1极性
TKAONKAca
器件的负极端用白色色点表示.
4质量保证规定
4.1 抽样和检验
SJ 20068—92
抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应符合 GJB33 的规定,4. 3 筛选(仅对GT和 GCT级)
筛选应符合 GJB 33 的表 2 和本规范的规定,下列测量应按本规范表 4 的规定进行,过本规范表至中极限值的器件应别出。筛
1.内部目稳
(幅前)
2. 高益寿命
3势冲击
(激度循环)
4. 恒定加度
5. 密对
的,期检据
b. 粗检渐
6. 高益反偏
常,中间电参数测试
8.电老化
9, 斑后测试
试验方法
(GB 128)
150±2c.96h
试验条件:除低髓为一 55 ℃ ,糖环 10 次外,其余同试验条伴 F+高低耀之间转换时削不大于
高低温持续时间不少于 30mim
Y1方向196000m/*
20g60s
a. 试验涤件 H
最大滞准率, 5mPz~ cm /s
b, 试验条件 C
氨视化合物检确
按规定
试验录件 Bat 96h
必须在去辑老化条件之后 96h
内完成全部参数测试,按表1 步覃避行
见3. 2.1条
100%,不超过
表 4 规定的极
按要求测量
11.外观检查
4.4质量一致性检验
SJ 20068--92
试验方法
(GJB128)
打标志之后进行,用10倍双目
立体显微镜或放大镜检查器件
外观质量,别除管充和管显生
锈,变形、开裂及有其它缺陷的
质量一致性检验应符合 GJB 33 及本规范表 1、2和 3的规定。4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33和本规范表 1 的规定进行4.4.2B组检验
B 组检验应按 GJB 33 和本规范表 2 的规,定进行。后测试和变化量(4)的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。
4. 4. 3 C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行,最后测试和变化量(A>的要求应符合本规范表4有关步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述规定,4.5. 1电压-温度稳定性
每个型号器件的基准电压在各个规定的湿度下测量,测量时应记录。对于每个器件从测量出的最高电压减去出的最低电压,获得△V,值,该△V,值应在本规范规定的极限内。其测量温度不能翅过规定的极龈温度一55~100℃的范围。4. 5. 2 基准电压(V2)
测试时应加试验电流达到平衡(至少15s),然后读出基推电压值。对于试验器件的安装,应将其引线置于尖座的内侧,光具距管体10mm,夹具的温度应维持在25℃。4.5.3电压福度系数
先在T=25士1r下,施恒定测试电流12,测得热稳定后的基准电压V21(有效位数等于或人于5位):再在T—75±1℃下,施加同一测试电流,测得热稳定后的基准电压Vz(有效位数等于或大于5位);并按下述公式计算:A
要求钜流电源的电流变化值14Izl≤0.005mA,4.5.4长期稳定性
在规定的测试电流Izo及恒温描温度T=55℃下,分别测出时间t二0h的基准电压值Vzfz—165h 的 V2vts=336h的 V23*t,- 504h 的 Vz4t; -672h 的 V25*t,= 840h 的 Vz,和 t -1000h的V并按下述公式计算:
TKAONKAca
SJ20068--92
Va - Vhu
式中,V—表示七个时间检测点中的最大基准电压值V表示七个时间检测点中的最小基准电压值,V\表示该产品的标称基准电压值P.长期稳定性.
测试环境溢度应为25士2℃相对提度<65%恒温槽相度 T55℃,误递IAT|≤0. 101测试电流的变化值4Iz0.0005mA,长期稳定性测试原理应按 GJB 33/006 的附录 A中 A3 规定,4.5.5声电压
在规定的测试电流下,在规定的频带范国内将噪声放大,然后借助于具有平衡响应的均方根电压表避出效大嗪声电压,再除以系统增益,从而确定被测器件的噪声电压有效值Y。测量程序:
先取一个与被测器件微分电阻等值的低噪声电阻装入测试夹具,并调节测试电流 12=10mA,测出输出噪声电压 V
然后取出上述低噪声电阻,将被测器件装入测试夹具,再调节测试电流12=10mA,并测出其噪声电压V然后根据下式计算噪声电压:V, - Ym-
式中:A,系统增益。
骤声电压测试原理应按 GJB 33/006的附录A中A1规定。6
检验或试验
A1分组
外观及机被检
A2分组
基准电压
反向电流
微分电阻
A3分组
电压温度系数
A4分组
噪声电压
GB 6571
GJB12B中
2. 2. 1. 1
2. 2. 2, 1
2. 2.3. 1
本规范
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热神击
(溢度环)
区细检循
b.粗检漏
最后测试:
33 分组
稳态工作寿命
最后测试:
SJ 20068—92
表 1 A 组检验
用 10 倍故大
Iz-10mA
直流法:
TA25'C
直流法:
1z一表5第5栏
f10Hz~10kH
12=10mA
最小值
表5第1栏,!
公差取—5%
表 2 B组捡验
GJE128
最大值
表5第4栏,
公差取+5%
表5第3栏
表5第2栏
表5第5栏
表5第4档
试验条件;除低温为55C,循环10 次外,其余后试验条件 F
试验条件 H
试验紊性 C,意碳化合物
死表 4 步显 1. 2 和 3
Izm—30mAV表5第1栏
见表 4 步骤 1,2,5 和 6
-rKAONKAca-
B4分组
检验或试验
开辑内部目检
(设计验证)
键合强度
B5 分组
不适用
B6 分组
高温寿命
《非工作状态)
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
m.细检漏
b.粗检漏
外观及机触检验
最后飚试,
C3分组
变频摄动
恒定加速度
最后测试:
C4 分组
基气(慢蚀)
(适用时)
SJ20068—92
续表2
GJB128
TA=:75C
见表重步骤 1.2.5和 6
表 3 C组检验
GJB12B
见图1
试验条件 A
试验条作A,W-2000g= 5s
按B3分组
按B2分组
接A1分组
见表 4 步骤1.2和 3
非工作状态,加速度14700m/s*,—0.5tmsx,Y1方向冲击各5次
非工作状态
196000m/g*,X,Y,向
见表4步骤 [、2 和 4
每批担检一
只/0失效
20(C-0)
检验或试验
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
验验或试验
基准电压
搬分电阻
基准电压温度
反向电流
SJ 20068--92
续表3
GJB 128
Iz# ** 30 11. 5mA
Vz-表5第1栏
按表 4 步骤 1., 2,5 和 6
表 4 B 组和 C 组的最后测试
GB6571
2, 2、2. 1
2. 2. 3. 1
基准电压变化9. 2. 1. 1
噪产电压
本规范
真游法:1z=10mA
Iz=10mA
真流法,
Ta-25C
Ta-75t
Iz- I2
(表5第5栏)
直流法:
TA-25±3℃
流法:
T -25±3r
f=10Hz~-j0kHz
I=10mA
极限馆
表5第1
琵,公羞欧
轰5菱
稔,公蔡取
初妒值的
表 5的第 5
表5 3
[初始道的
初始的
度5的第 4
TKAONKAca
2DW14B
2DW14C
2DW14D
2DW15A
2DW15B
2DW15C
2DW15D
2DW16A
2DW16B
2DW16C
2DW17A
2DW1?B
2DW17C
2DW17D
2DW18A
2DW18B
2DW180
2DW18D
基准电压
±5%(V)
微分电阻
SJ 20068--92
表5电梦数规范表
反向电
噪声电压
Vr=3. fV f=10Hz
Iz= 10mA |Iz=10mA
1z=10mA
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定
5.3运输要求
运辅要求应按 GJB 33的规定。
(10-*/℃)
电压凝度系数
最佳测
试电流
测试温度
-55.25.100
55,25,100
—55,25,100
—65,26,100
55,25,100
长期秘定性
(△YL/Y)
(10-/1000h)
6说明事项
SJ 20068—92
61对引出端徐层有特殊要求时应在合同或订货单中规定、如需要典型特性曲线,可在合同或订货单中规定6.23
附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口、本规范由中国电子技术标推化研究所、杭州无线电二厂负责起草。本规范主要起草人,王萱文、于志贤,计划项目代号B01001。
1 —
TTKAONTKAca-
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