【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ２ＣＺ３０型硅整流二极管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20067-92
2CZ30型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 2Cz30siliconrectifierdiode
1992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CZ30型硅整流二极管详细规范
Semiconductor dliscrete deviceDetail specification for type2Cz30silicon rectifier diode
1.1主题内容
SJ20067-92
本规范规定了2CZ30型硅整流二极管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证三个等级（GP、GT和GCT级）。1.2外形尺寸
外形符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的D2-10A型及如下规定，见图1。mm
注：L.为引线弯曲成直角后，器件安装的最小轴向长度。图1外形图
中国电子工业总公司1992-11-19发布D2-10A
1993-05-01实施
1.3最大额定值
2CZ30C
2CZ30D
2CZ30E
2CZ30F
2CZ30G
2CZ30H
2CZ30J
2CZ30K
SJ20067-92
TA-80℃
t=10ms
注：1）T>80C，按21mA/℃的速率线性地降额（见图2）1.(A)
=55~+150
图2溢度降额曲线
1.4主要电特性(T-25C)
-55~+175
低气压
2CZ30C
2CZ30D
2CZ30E
2CZ38P
2CZ30G
2CZ30H
2CZ30J
2CZ30K
引用文件
GB4023—86
GB7581-87
GJB33--85
GJB128--86
3要求
3.1详细要求
SJ20067-92
VxVewm
半导体分立器件第2部分整流二极管半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
V,-Vewu
TA=125℃
器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引出端涂层
引出端表面应镀，在不影响器件性能的情况下，对引出端涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定（见6.1条）。
3.2.2器件结构
在芯片的两面和引线之间采用高温冶金键合结构。3.3标志
器件标志应按GJB33的规定。型号标志可不限于一行内。制造厂可省略下列标志：a，·产品保证等级，
b.制造厂厂名、代号或商标；
检验批识别代码；
型号命名中的2C部分，
3.3.1极性标志：器件的负极端采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20067-92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。bzxz.net
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33的表2和本规范的规定，下列测试应按本规范的表1进行.超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GJB33的表2）
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下，
TA=25C
f=50Hz正弦半波
4.4质量一致性检验
不要求
不要求
不要求
Vrm和Igi
见4.3.1条
本规范表1的A2分组；
Aml=初始值的100%或0.3uA，取较大者AVM=士0.1V
VR=-VRWM（峰值）
质量一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行，最后测试和变化量（A）要求应按本规范表4相应步骤的规定进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4相应步骤的规定进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定；4.5.1稳态工作寿命
在二极管的反向施加规定的正弦半波峰值电压VWM，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流10，整流电流的正向导通角应不大于180%，不小于150°。4.5.2脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条规定。检验或试验
A1分组
经想及机械检验
A2分组
正向电压
反向电流
A3分组
高工作
正向电压
反向电流
低癌工作
正向电压
A4分组
反向恢复时间
A6分组
浪开电魂
最后测试：
检验或试验
B1分组：
可焊性
标志耐久性
GJB128中
N—1.2.3条
N-1.4:1条
N-1.2.3条
N-1.4.1条
N-1.2.3条
GB6571中
2.1.4.2.2条
SJ20067—92
表1A组检验
GB4023
占空因数≤2%
Ta-125C
f=10ms
占空因数≤2%
VuVainm
TA-—55C
lm=4.5A5=10ms
占空因数2%
Ig=50mA.Vg=10V.R,=750
脉冲前沿小于0.1/m
TA40CIysM=30A
t,=10mso=1.5A
周波数与浪涌次数均为1次
见表4，步骤1和2
表2B组检验
GJB128
极限值
最小值最大值
检验或试验
B2分组
热冲击
(玻璃应力）
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后測试：
B6分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻璃应力)
引出蹦强度
育曲试验
综合温度/湿度
期试验
外观及机械检验
最后测试：
C5分组
低气压
试验期间测试
反向电流
C6.分组
稳态工作寿命
最后测试：
SJ20067-92
续表 2
GJB128
试验条件B
见表4，步票1和2
TA-25±3CV-VM
Io-1.5Af=50Hz正弦半波
见表4，步1、2和3
TA-175
见表4.步骤1、2和3
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件A
W=1500g1=15±38
试验条件E
见表4，步票1和2
试验条件D
GB4023中
N-1.4.1条
TA-25±3CV-VwM
10=1.5Af=50Hz正弦半波
见表4，步骤1、2和3
极限值
最小值最大值
检验和试验
1.正向电压
2.反向电流
3.反向电流变化
SJ20067—92
表4A、B和C组检验的电测试
GB4023
N-1.2.3条
N-1.4.1条
N-1.4.1条
tp-10ms
占空因数≤2%
VeVawM
注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求，包装要求按GJB33的规定。5.2忙存要求：忙存要求按GJB33的规定。5.3运输要求，运输要求按GJB33的规定。6说明事项
6.1对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定。6.2如需典型特性曲线，可在合同或订货单中规定。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。极限值
最小值
最大值
初始值的100%或
0.3pA,取较大者
本规范由国营八七三厂和中国电子技术标准化研究所负贵起草。本规范主要起草人，刘东才、金贵永。计划项目代号，B01003.
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