【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ２ＣＫ７６型硅开关二极管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 20069--92
半导体分立器件
2CK76、2CK105和2CK4148型
硅开关二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for siliconswitching diode for type 2CK76.2CK105 and 2CK41481992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
1.1主题内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CK76型硅开关二极管详细规范
Semiconductor discretedeviceDetail specification
for sillicon switching diode for type 2CK76SJ20069—92
本规范规定了2CK76型硅开关二极管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的D2-02A型，见图1。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.3最大额定值
注：1)
SJ20069-92
外形尺寸
当T>25℃时，按1.6mA/℃线性地降额。D2-02A
-55~150
低气压
55~175
1.4主要电特性（T-25C）
引用文件
lz-200mA
GB4023—86
GB6571—86
GB7581--87
GJB3385
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
SJ20069-92
V-Vewu
Va-VxwM
TA-150℃
半导体分立器件第2部分整流二极管n
Ip-Ig-20mA
Rt-1000
小功率信号兰极管、稳压及基准电压二极管测试方法半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引出端材料和涂层
f-1MHz
引出端材料应为铜包铁丝，引出端表面应为锡层。对引出端涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定（见6.1条）。
3.3标志
器件标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅适用于GT和GCT级）筛选应符合GJB33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。3
（见GJB33表2)
3.热冲击（温度循环）
6.高温反偏
7.中间电参数测试
8.电老化
9.最后测试
4.3.1电老化试验
电老化的条件规定如下：
TA=25℃
Io=200mA
V-VRwM
f=50Hz正弦半波
4.4质量一致性检验
SJ20069-92
测试或试验
试验条件：除低温为一55C、循环10次外，其余同试验条件FV-Vrwu
V，和In
电老化见4.3.1条
AIm=初始值的100%或士40nA，取较大者V=士100mV
质量一致性检验应符合GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定：4.5.1稳态工作寿命Www.bzxZ.net
在二极管的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流。整流电流的正向导通角应不大于180°和不小于150°4.5.2脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定。检验或试验
A1分组
外观及机械检
A2分组
正向电压
反向电流
反向恢复时间
A3分组
高温工作
反向电流
GB6571
GJB128中
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B6分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试：
Ip20mA
VR-VRWM
TA-25℃
SJ20069-92
1,=Ig=20mA
Ri=100n
f-1MHz
TA=150℃
Vr-VwM
A组检验
表 2B组检验
GJB128
焊接停留时间10士1s
最小值
最大值
除低温为55℃、循环10次外，其余同试验条件F
试验条件H.10mPa·cm*/s
试验条件C
见表4步骤1和2
T=25℃
f=50Hz正弦半波
Io=200mA
Vr-VRWM
见表4步骤1和2
TA=175℃
见表4步骤1和2
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
引线弯曲
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期
外观及机械试验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
Cs分组
稳态工作寿命
最后测试：
5交货准备
检验或试验
正向电压
反向电流
5.1包装要求
SJ20069—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件A，W=1800g，t=5s
试验条件F
同B2分组
同B2分组
见表4步骤1和2
非工作状态
非工作状态
非工作状态
见表4步骤的1和2
TA=25℃
f=50Hz正弦半波
I0=200mA
Vr-VRwM
见表4步骤的1和2
表4B组和C组电测试
GB6571
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
此存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
1200mA
VRVRWM
极限值
最小值
最大值
运输要求应按GJB33的规定。
说明事项
SJ20069-92
6.1对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定。6.2如需要典型特性曲线，可在合同或订货单中规定。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所、无锡无线电元件四厂和济南半导体四厂负责起草。本规范主要起草人，于志资、翁寿松、李文盛。计划项目代号：B01007。
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