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【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 2CL3型硅高压整流堆详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 07:48:58
- SJ20066-1992
- 现行
标准号:
SJ 20066-1992
标准名称:
半导体分立器件 2CL3型硅高压整流堆详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1992-11-19 -
实施日期:
1993-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定了2CL3型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。 SJ 20066-1992 半导体分立器件 2CL3型硅高压整流堆详细规范 SJ20066-1992

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ 20066-92
2CL3型硅高压整流堆详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 2CL3silicon high voltage rectifier stack1992-11-19 发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范圈
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CL3型硅高压整流堆详细规范
Semicnnductor distrete deviceDetail speciflcation for type 2CL3Bilicon bigh voltage rectifier stack1.1主题内穿
S# 20066—92
本规范规定了2CL3 型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)1.2外形尺寸
外形尺寸兜阁1。
1 3+# te
图 外形图
1.3最大额定值
2CL3Hr
TA—&OC
Th=40r
t= IOms
注:1)Tx>40C按 2.351A/C的速率线性地降额2)
淡油使用。
中国电子工业总公司1992-11-19发布Top
55-→+125
55-+130
1993-05-01实施
rrKAONiKAca-
1.4主要电特性
除非另有规定,T -25 ℃。
2引用文件
Iru=600mA
SJ 20066-92
T=100℃
Vx-VaRm
GB4023:-86半导体分立器件第2部分整流二极管GB6571--86小功率信号二极管稳压及基准电压二极管测试方法GJB 33—85
半导体分立器件总规范
GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应合GJB 33和本规范的规定。3.2 设计、结持和外形尺寸
器件的设计,结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。3.2.1引出端途层
Iru 50mA
I r 100mA
引出蹦表面应为锡层,对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条)3.3标志
标志应按 GJB 33 和本规范的规定,3.3.1极性标志
极性标志如国1所示。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJR 33和本规范的规定,4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。4.3筛选(仅对GT级)
筛选应按 GJB 33 的表 2 和本规范的规定。-2-
(见 GJB 33 的表 2)
3.热冲击
4. 值定加速度
5, 密封
6. 高激反偏
7.中间冬教测试
8.电老化
9. 最后测试
4.4 质量一致性检验
SJ20066-92
测试惑试验
除低盗为55C,循环10欧外,其余同试验条件B不要求
不要求
Ta=125 C
Ta=25 C+o=100mA,V-Vmtf- 50Hz本姚范表 1 的 A2 组;
4I×一韧始值的 100%或 250nA,取较大者AVm=初始值的±10%
质量一致性检验应按 GJB 33 的规定,由 A 组、B 组和 C 组检验或试验组成。4.4. 1 A 组检验
A组检验虑按GJB33和本规范中表1的规定进行。4. 4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范中表2的规定进行,4.4.3C组检验
C 组检验应按 GJB 33 和本规范中表 3 的规定进行,4.5捡验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定,表 1 A 组检验
检验或试验
A1分组
外观及机缺检验
A2分组
正向电压
反向电流
GB4023
GJB 128 中
N--1.2.3条1mm=600mA
N -1. 4. 1 条
Vr=VRRM
极限值
最小体
最大值
-TrKAONTKAa-
检验或试验
A3分组
高蛊工作
反向电流
A4分粗
反向恢覆时间
A6 分组
浪通电瀛
最后测试:
GB4023
SJ 20066--92
续表1
Ta=100℃
W-1. 4. 1条 Vr=VxrM
GB6571中25
2. 1. 4, 2, 2条r=50mA
[RM= 1OmA
n—3,1条
检验或试验
B1分组
可弹性
标的耐久性
B2分组
热冲击(盘度循环)
最后测试:
B3分组
穗态工作寿命
斑后测试:
Psa=4A
Fe -- ioms
海间痛 Imin 浪痛
中次,共进行10次
见表 1步骤 1 和 2
表 B 组检验
GJB128
被限值
最小值
! 除低温为一55 亡,循环 10
次外,其尔同试验条件 B
见袭4步聚1和2
TA=25℃
lo=100mA
VR-VeRM
见表4步骤1、2.3和4
最大但
检验或试验
高逐要命(非工作状态)
最测试,
检或验
C1分组
外形尽寸
C2 分组
引出蝴强度
综台温度/湿度周期试验
外现及机械检验
最后测试:
C3 分姐
变额振动
最后测试
C6分组
稳定工作寿命
最后谢试
SJ20066-92
续表 2
GJB12B
Ta-130r
见表4步票1、2、3和4
表 3C组检验
GJE128
见图1
试验条件 A
W=2000g
+=-15s
省路预处理
见表步骤 1 和 2
见表 4 步骤 1 和 2
TA=100C
V-VeRM
见表4步1、2、3和4
-rKAONKAca-
正向电压
反荷电流
反向电流
正向电压
5 交货准备
5.1包装娶求
SJ 20066--92
表 4 A组,B组和C组电测试
GB4023
N-1. 2. 3条
N-1, 4, 1 条
N~1.4.1条
N-1. 2. 3 涤
Im=600mA
Vx-Vrn
1u-600mA
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2存要求bzxZ.net
贮存要求应按 GB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33 的规定。5说明事项
为初始值的100%或250mA,
敢较天若
6. 1对引出端涂层有持殊要求时应在合同或订单中规定,6.2如需典型特性曲线,可在合同或订货单中规定。附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标推化研究所河口。韧始值的士10%
本规范由中国电子技术标化研究所和国营八七七厂负声起章,本标准主要起革人:金贵表、张滨。划项目代号:B01002
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
半导体分立器件
SJ 20066-92
2CL3型硅高压整流堆详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 2CL3silicon high voltage rectifier stack1992-11-19 发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范圈
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CL3型硅高压整流堆详细规范
Semicnnductor distrete deviceDetail speciflcation for type 2CL3Bilicon bigh voltage rectifier stack1.1主题内穿
S# 20066—92
本规范规定了2CL3 型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)1.2外形尺寸
外形尺寸兜阁1。
1 3+# te
图 外形图
1.3最大额定值
2CL3Hr
TA—&OC
Th=40r
t= IOms
注:1)Tx>40C按 2.351A/C的速率线性地降额2)
淡油使用。
中国电子工业总公司1992-11-19发布Top
55-→+125
55-+130
1993-05-01实施
rrKAONiKAca-
1.4主要电特性
除非另有规定,T -25 ℃。
2引用文件
Iru=600mA
SJ 20066-92
T=100℃
Vx-VaRm
GB4023:-86半导体分立器件第2部分整流二极管GB6571--86小功率信号二极管稳压及基准电压二极管测试方法GJB 33—85
半导体分立器件总规范
GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应合GJB 33和本规范的规定。3.2 设计、结持和外形尺寸
器件的设计,结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。3.2.1引出端途层
Iru 50mA
I r 100mA
引出蹦表面应为锡层,对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条)3.3标志
标志应按 GJB 33 和本规范的规定,3.3.1极性标志
极性标志如国1所示。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJR 33和本规范的规定,4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。4.3筛选(仅对GT级)
筛选应按 GJB 33 的表 2 和本规范的规定。-2-
(见 GJB 33 的表 2)
3.热冲击
4. 值定加速度
5, 密封
6. 高激反偏
7.中间冬教测试
8.电老化
9. 最后测试
4.4 质量一致性检验
SJ20066-92
测试惑试验
除低盗为55C,循环10欧外,其余同试验条件B不要求
不要求
Ta=125 C
Ta=25 C+o=100mA,V-Vmtf- 50Hz本姚范表 1 的 A2 组;
4I×一韧始值的 100%或 250nA,取较大者AVm=初始值的±10%
质量一致性检验应按 GJB 33 的规定,由 A 组、B 组和 C 组检验或试验组成。4.4. 1 A 组检验
A组检验虑按GJB33和本规范中表1的规定进行。4. 4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范中表2的规定进行,4.4.3C组检验
C 组检验应按 GJB 33 和本规范中表 3 的规定进行,4.5捡验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定,表 1 A 组检验
检验或试验
A1分组
外观及机缺检验
A2分组
正向电压
反向电流
GB4023
GJB 128 中
N--1.2.3条1mm=600mA
N -1. 4. 1 条
Vr=VRRM
极限值
最小体
最大值
-TrKAONTKAa-
检验或试验
A3分组
高蛊工作
反向电流
A4分粗
反向恢覆时间
A6 分组
浪通电瀛
最后测试:
GB4023
SJ 20066--92
续表1
Ta=100℃
W-1. 4. 1条 Vr=VxrM
GB6571中25
2. 1. 4, 2, 2条r=50mA
[RM= 1OmA
n—3,1条
检验或试验
B1分组
可弹性
标的耐久性
B2分组
热冲击(盘度循环)
最后测试:
B3分组
穗态工作寿命
斑后测试:
Psa=4A
Fe -- ioms
海间痛 Imin 浪痛
中次,共进行10次
见表 1步骤 1 和 2
表 B 组检验
GJB128
被限值
最小值
! 除低温为一55 亡,循环 10
次外,其尔同试验条件 B
见袭4步聚1和2
TA=25℃
lo=100mA
VR-VeRM
见表4步骤1、2.3和4
最大但
检验或试验
高逐要命(非工作状态)
最测试,
检或验
C1分组
外形尽寸
C2 分组
引出蝴强度
综台温度/湿度周期试验
外现及机械检验
最后测试:
C3 分姐
变额振动
最后测试
C6分组
稳定工作寿命
最后谢试
SJ20066-92
续表 2
GJB12B
Ta-130r
见表4步票1、2、3和4
表 3C组检验
GJE128
见图1
试验条件 A
W=2000g
+=-15s
省路预处理
见表步骤 1 和 2
见表 4 步骤 1 和 2
TA=100C
V-VeRM
见表4步1、2、3和4
-rKAONKAca-
正向电压
反荷电流
反向电流
正向电压
5 交货准备
5.1包装娶求
SJ 20066--92
表 4 A组,B组和C组电测试
GB4023
N-1. 2. 3条
N-1, 4, 1 条
N~1.4.1条
N-1. 2. 3 涤
Im=600mA
Vx-Vrn
1u-600mA
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2存要求bzxZ.net
贮存要求应按 GB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33 的规定。5说明事项
为初始值的100%或250mA,
敢较天若
6. 1对引出端涂层有持殊要求时应在合同或订单中规定,6.2如需典型特性曲线,可在合同或订货单中规定。附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标推化研究所河口。韧始值的士10%
本规范由中国电子技术标化研究所和国营八七七厂负声起章,本标准主要起革人:金贵表、张滨。划项目代号:B01002
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