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- SJ 20065-1992 半导体分立器件 QL72型硅三相桥式整流器详细规范
标准号:
SJ 20065-1992
标准名称:
半导体分立器件 QL72型硅三相桥式整流器详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1992-11-19 -
实施日期:
1993-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
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本规范规定了电源设备用的QL72型硅三相桥式整流器(以下筒称器件)的详细要求.该种器件按GD33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级). SJ 20065-1992 半导体分立器件 QL72型硅三相桥式整流器详细规范 SJ20065-1992
部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20065—92
QL72型硅三相桥式整流器
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for typeQL72silicon three phase full wave bridge rectifier1992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
QL72型硅三相桥式整流器详细规范Semiconductor discrete deviceDetail specification for type QL72silicon threephasefull wavebridgerectifier1.1主题内容
SJ20065—92
本规范规定了电源设备用的QL72型硅三相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。1.2外形尺寸
外形尺寸见图1。
otstststsh
图.1外形图
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.3最大额定值
SJ20065—92
TA-40℃
TA-40℃
tpm10ms
注:1)TA>40℃按23.5mA/C的速率线性地降额。1.4主要电特性
除非另有规定.T-25℃。
Vrm(单管)
引用文件
GB4023--86
GJB33--85
I如(单管)
半导体分立器件第2部分整流二极管半导体分立器件总规范
GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
55~+125
-55~+130
1x2(单管)
VxVewm
TA=100℃
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.3标志
标志应按GJB33的规定。
3.3.1极性标志
极性标志如图1所示。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
B筛选(仅对GT级)
SJ20065—92
组装成桥的二极管,在组桥前应按GJB33的表2和本规范的规定进行筛选。筛
(见GJB33的表2)
3.热冲击
(盗度循环)
4.恒定加速度
6.高温反偏
7.中间参数测试
8.电老化
9.最后测试
4.4质量一致性检验
测试或试验
除低温为55℃,循环10次外,其余同试验条件B不要求
不要求
TA-125
TA-25C,lo-0.7A,Vx=VwM
f=50Hz
本规范表1的A2分组;
AI=初始值的100%或250nA,取较大者;AVm±0.1V
质量一致性检验应按GJB33的规定,由A组、B组和C组检验或试验组成。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范中表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范中表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范中表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定:4.5.1工作热循环
进行本项试验时,器件的交流端输入50Hz三相正弦波电压·保证器件的输出电流为2A。通电时间t≥5min断电时间t≥3min为个循环。试验持续2000个循环。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
GB4023
GJB128中
最小值
最大值
检验或试验
A2分组
正向电压(单管)
反向电流(单管)
A3分组
高温工作
反向电流
(单管)
A6分组
浪涌电流(单管)
最后测试:
同A2分组
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
最后测试:
同A2分组
B6分组
GB4023
N-1.2.3条
N-1.4.1条
N-1.4.1条
高温寿命(非工作状态)
最后测试:
同A2分组
SJ20065--92
续表1
1rm=2A
V-VawM
TA=100℃
VR-VRmM
TA=40℃
IPSM=30A
5=10ms,每间
隔1min浪涌1
次,共10次
表2B组检验
GJB128
最小值
最大值
除低温为一55C,循环10次外,此内容来自标准下载网
其余同试验条件B
TA=130C
C1分组
外形尺寸
C2分组
检验或试验
引出端强度
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试:
同A2分组
C3分组
变频振动
最后测试:
同A2分组
C6分组
工作热循环
最后测试:
同A2分组
交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
SJ20065—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
W=1000gt=15s
省略预处理
见4.5.1条
6.1对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定。6.2如需典型特性曲线,可在合同或订货单中规定。LTPD
附加说明:
SJ20065-92
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营八七七厂和中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人,张滨、金贵永。计划项目代号:B01005。
半导体分立器件
SJ20065—92
QL72型硅三相桥式整流器
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for typeQL72silicon three phase full wave bridge rectifier1992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
QL72型硅三相桥式整流器详细规范Semiconductor discrete deviceDetail specification for type QL72silicon threephasefull wavebridgerectifier1.1主题内容
SJ20065—92
本规范规定了电源设备用的QL72型硅三相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。1.2外形尺寸
外形尺寸见图1。
otstststsh
图.1外形图
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.3最大额定值
SJ20065—92
TA-40℃
TA-40℃
tpm10ms
注:1)TA>40℃按23.5mA/C的速率线性地降额。1.4主要电特性
除非另有规定.T-25℃。
Vrm(单管)
引用文件
GB4023--86
GJB33--85
I如(单管)
半导体分立器件第2部分整流二极管半导体分立器件总规范
GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
55~+125
-55~+130
1x2(单管)
VxVewm
TA=100℃
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.3标志
标志应按GJB33的规定。
3.3.1极性标志
极性标志如图1所示。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
B筛选(仅对GT级)
SJ20065—92
组装成桥的二极管,在组桥前应按GJB33的表2和本规范的规定进行筛选。筛
(见GJB33的表2)
3.热冲击
(盗度循环)
4.恒定加速度
6.高温反偏
7.中间参数测试
8.电老化
9.最后测试
4.4质量一致性检验
测试或试验
除低温为55℃,循环10次外,其余同试验条件B不要求
不要求
TA-125
TA-25C,lo-0.7A,Vx=VwM
f=50Hz
本规范表1的A2分组;
AI=初始值的100%或250nA,取较大者;AVm±0.1V
质量一致性检验应按GJB33的规定,由A组、B组和C组检验或试验组成。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范中表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范中表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范中表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范的表1、表2和表3以及下列规定:4.5.1工作热循环
进行本项试验时,器件的交流端输入50Hz三相正弦波电压·保证器件的输出电流为2A。通电时间t≥5min断电时间t≥3min为个循环。试验持续2000个循环。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
GB4023
GJB128中
最小值
最大值
检验或试验
A2分组
正向电压(单管)
反向电流(单管)
A3分组
高温工作
反向电流
(单管)
A6分组
浪涌电流(单管)
最后测试:
同A2分组
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
最后测试:
同A2分组
B6分组
GB4023
N-1.2.3条
N-1.4.1条
N-1.4.1条
高温寿命(非工作状态)
最后测试:
同A2分组
SJ20065--92
续表1
1rm=2A
V-VawM
TA=100℃
VR-VRmM
TA=40℃
IPSM=30A
5=10ms,每间
隔1min浪涌1
次,共10次
表2B组检验
GJB128
最小值
最大值
除低温为一55C,循环10次外,此内容来自标准下载网
其余同试验条件B
TA=130C
C1分组
外形尺寸
C2分组
检验或试验
引出端强度
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试:
同A2分组
C3分组
变频振动
最后测试:
同A2分组
C6分组
工作热循环
最后测试:
同A2分组
交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
SJ20065—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
W=1000gt=15s
省略预处理
见4.5.1条
6.1对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定。6.2如需典型特性曲线,可在合同或订货单中规定。LTPD
附加说明:
SJ20065-92
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营八七七厂和中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人,张滨、金贵永。计划项目代号:B01005。
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