- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 20070-1992 半导体分立器件 2CK105型硅开关二极管详细规范

【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 2CK105型硅开关二极管详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 07:45:22
- SJ20070-1992
- 现行
标准号:
SJ 20070-1992
标准名称:
半导体分立器件 2CK105型硅开关二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1992-11-19 -
实施日期:
1993-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
104.67 KB

点击下载
标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定了2CK105型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). SJ 20070-1992 半导体分立器件 2CK105型硅开关二极管详细规范 SJ20070-1992

部分标准内容:
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CK105型硅开关二极管详细规范Senticonductor diserete deviceDetail specification for siliconswitching diode for type 2CK1051.1主题内容
SJ 20070-92
本规范规定了2CK105型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP.GT和GCT级)。1.2外形尺计
外形尺寸应符合GB7581半导体分立器件外形尺寸中的C1-01A型,见图1。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01 实苑
SJ20070-92
图1外形尺寸
C1-01A
-TrKAONKAca-
1.3最大额定值
2CK105A
2CK105B
2CK10SC
2CK105D
2CK10SE
ZCK105F
SJ 20070-92
当T>25C时按33.30mA/C线性地降期往:1)
1.4 *主要电特性(T=25C)
2CK1G5A
2CK105B
2CK105C
2CK105Dwww.bzxz.net
2CK105E
2CK105F
引用文件
GB4023--86
GE 657186
GB 7581 -87
GJB 33-B5
GJB 128--86
3要求
3.1详细要求
V,-Ver
TA-125
Vem Vrvu
-55150
—55~175
低气压
Rt-100n
半导体分文器件第2部分整流二极管小功率信号二极管、稳压及基准电压二级管测试方法半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
辛导体分文器件试验方法
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计,结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按 GJB 33 和本规范图 1 的规定。3.2.1引出蝴材料和涂层
fm0. 1MHz
引出增材料应为可使或辑,引出端表面应为锡层,对引出端涂层另有要求时,应在合同或讨货单中规定(见 6. 1 条),
3.3际衰
件标志应按CJB33的规定,
4质量保证规定
4. 1 抽样和检验
SJ 20070-92
抽样和检验应接GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
整定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅适用于GT和GCT级)筛选应符台GJB 33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1 极限值的器件应除。婚边
(见 GJB 33 表 2)
3. 热冲出(遍度循环)
6.高温反询
7. 中间电参数测试
8.电老化
9. 最后测试
4.3.1电老化试验
电老化条件规定如下,
4.4 质量一数性检验
测试或试验
试验条件,除低温为一55℃、循坏10次外,其余间试脸条件FYx-Vinn
电老化见4.3. 1 条
△ni-初始慎的 100%或土50粒A,取较大者AV,±100mV
质量一致性检验应符合GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应接GJB 33 和本规范表1的规定进行。4. 4. 2 B 组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4. 4.3 C 组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定,4.5.1稳态工作寿命
在二极管的反向施规定的正弦半波峰值电压,接着在正向境加规定的正兹半波平均整液电流。整流电流的正向导通角应不大于180和不小于150*。可以自选散热条件,但应保证壳溢在70~75℃范菌之间。
4.5.2脉冲测试
TKAONKAca
SJ 20070— 92
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定。表 1 A组检验
检验或试腹
A1分组
外观及机械检
A2分组
正向电压
2CK105A
2CK105B
ECK105C
2CK105D
2CK105E
2CK105F
反向电流
反向恢复时间
结电容
A3分组
高温工作
反向电魂
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分塑
热神击
(温度循环)
.细检潴
b. 粗检漏
最后测试:
GB6571
GJB128中
Ip= 5A
直流法
Vi-Vhtr
Ip==IA
Rt-1000
Ta-125C
VaVeeM
表 2 B组检验
GJB128
极限值
焊接停留时间一10上 1s,只谨读到摄终端的平面部分
试验象件:除低溢为一55℃,循环 10 次外,其余同试验条件 F
试验条件H
试验条件 C
见表 4 步骤 1, 2 和 3
检验或试验
稳态工作旁命
垂后试
B4 分组
开样内部日捡
【设计验证
糖合强度
B5 分组
(不适用)
B6 分组
高盈命
(非工作状态)
最后测试,
B7 分组
正面换通电宿
最后测试:
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(较璃皮力)
引出响强度
甚妞检据
b. 粗检痛
综合温度/湿度周期试验
外观及机战试验
最后测试
GB4023
GB4023
SJ 20070—92
续表2
Tc-rsC f-S0Hs 正弦半波
Tn-5A,Vx-Vrwu
见表 4 步骤 1.2和 3
TA=175C
见表 4 步骤 1,2 和 3
Irgm -50A,Io= 5A
浪涌脉宽tp=0. 018,正弦半波
浪桶孜数:1
见表 4步0 1,2 和 3
表3C组检验
GJB128
见图1
试验染件 A
试验条作 D2,T-1.5N*M=30士3
同B2分组
同B2分组
见表 4 步显 1.2 利 3
每批1个器件/0
20(C=0)
-rKAONKAca-
检验或试验
C3分粗
变摄动
谊定加速度
最后测试。
C4分组
盐气(漫蚀)
(适用时)
C5分组
低气压
试验期间谢试的
反向电流
C6分组
稳态工作寿命
最后渊试,
C? 分组
低溢工作
击穿电压
检验或试验
正向电压
2CK105A
2CK105B
2CK105C
2CK105D
2CK105E
2CK105F
反向电流
5交货准备
5.1包装要求
SJ 20070 92
续表 3
GJB128
非工作状态
非工作状态
98000m/s,tm20s
见表4步骤的 1.、2 和 3
1067Pa,t=d0s
GB 6571
附录 A
Te=75+r,Ia-5A
f=50Hz止弦半该,1000b
见表 4步骤的 1,2 和 3
Ta=—55C
I,=100μA
表 4 B 组和 C 组最后测试
GJB6571
Vr-Vewm
Vr=oV,
极限值
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GBB3的规定,
5.3运输要求
运输要求应按GJB S3的规定。
6说明事项
SJ 20070-92
6.1对引出端涂层有特殊要求时,应在合间或订货单中规定,6.2如需要典型特性曲线,可在合同或订货单中规定。18
TTKAONTKAca-
A1自的
SJ 2007092
附录A
击穿电压测试电路
(补充件)
在规定的条件下測定器件的击穿电医,是否大于规定的量低极限。A2电路图
A3电路说明
D 为被测器件:
R为限流电阻;
G 为可调电压源。
A4测量步骤
击穿电压澳试电路
调整友向电流从零到击穿电压的最低极限或达到规定的测试电流,如果测试电流在规定值前已达到击穿电压规定的最低极摄,则器件发合格,如果先达到规定的测试电流,测器件应拒收。
A5规定条件
环境、管壳溢度(Tt、Tc)
附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七五厂负贵起草。本规范主要起草人,于志赘、朱坤。计划项目代号,B01009。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CK105型硅开关二极管详细规范Senticonductor diserete deviceDetail specification for siliconswitching diode for type 2CK1051.1主题内容
SJ 20070-92
本规范规定了2CK105型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP.GT和GCT级)。1.2外形尺计
外形尺寸应符合GB7581半导体分立器件外形尺寸中的C1-01A型,见图1。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01 实苑
SJ20070-92
图1外形尺寸
C1-01A
-TrKAONKAca-
1.3最大额定值
2CK105A
2CK105B
2CK10SC
2CK105D
2CK10SE
ZCK105F
SJ 20070-92
当T>25C时按33.30mA/C线性地降期往:1)
1.4 *主要电特性(T=25C)
2CK1G5A
2CK105B
2CK105C
2CK105Dwww.bzxz.net
2CK105E
2CK105F
引用文件
GB4023--86
GE 657186
GB 7581 -87
GJB 33-B5
GJB 128--86
3要求
3.1详细要求
V,-Ver
TA-125
Vem Vrvu
-55150
—55~175
低气压
Rt-100n
半导体分文器件第2部分整流二极管小功率信号二极管、稳压及基准电压二级管测试方法半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
辛导体分文器件试验方法
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计,结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按 GJB 33 和本规范图 1 的规定。3.2.1引出蝴材料和涂层
fm0. 1MHz
引出增材料应为可使或辑,引出端表面应为锡层,对引出端涂层另有要求时,应在合同或讨货单中规定(见 6. 1 条),
3.3际衰
件标志应按CJB33的规定,
4质量保证规定
4. 1 抽样和检验
SJ 20070-92
抽样和检验应接GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
整定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅适用于GT和GCT级)筛选应符台GJB 33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1 极限值的器件应除。婚边
(见 GJB 33 表 2)
3. 热冲出(遍度循环)
6.高温反询
7. 中间电参数测试
8.电老化
9. 最后测试
4.3.1电老化试验
电老化条件规定如下,
4.4 质量一数性检验
测试或试验
试验条件,除低温为一55℃、循坏10次外,其余间试脸条件FYx-Vinn
电老化见4.3. 1 条
△ni-初始慎的 100%或土50粒A,取较大者AV,±100mV
质量一致性检验应符合GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应接GJB 33 和本规范表1的规定进行。4. 4. 2 B 组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4. 4.3 C 组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合相应的表和下述的规定,4.5.1稳态工作寿命
在二极管的反向施规定的正弦半波峰值电压,接着在正向境加规定的正兹半波平均整液电流。整流电流的正向导通角应不大于180和不小于150*。可以自选散热条件,但应保证壳溢在70~75℃范菌之间。
4.5.2脉冲测试
TKAONKAca
SJ 20070— 92
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定。表 1 A组检验
检验或试腹
A1分组
外观及机械检
A2分组
正向电压
2CK105A
2CK105B
ECK105C
2CK105D
2CK105E
2CK105F
反向电流
反向恢复时间
结电容
A3分组
高温工作
反向电魂
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分塑
热神击
(温度循环)
.细检潴
b. 粗检漏
最后测试:
GB6571
GJB128中
Ip= 5A
直流法
Vi-Vhtr
Ip==IA
Rt-1000
Ta-125C
VaVeeM
表 2 B组检验
GJB128
极限值
焊接停留时间一10上 1s,只谨读到摄终端的平面部分
试验象件:除低溢为一55℃,循环 10 次外,其余同试验条件 F
试验条件H
试验条件 C
见表 4 步骤 1, 2 和 3
检验或试验
稳态工作旁命
垂后试
B4 分组
开样内部日捡
【设计验证
糖合强度
B5 分组
(不适用)
B6 分组
高盈命
(非工作状态)
最后测试,
B7 分组
正面换通电宿
最后测试:
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(较璃皮力)
引出响强度
甚妞检据
b. 粗检痛
综合温度/湿度周期试验
外观及机战试验
最后测试
GB4023
GB4023
SJ 20070—92
续表2
Tc-rsC f-S0Hs 正弦半波
Tn-5A,Vx-Vrwu
见表 4 步骤 1.2和 3
TA=175C
见表 4 步骤 1,2 和 3
Irgm -50A,Io= 5A
浪涌脉宽tp=0. 018,正弦半波
浪桶孜数:1
见表 4步0 1,2 和 3
表3C组检验
GJB128
见图1
试验染件 A
试验条作 D2,T-1.5N*M=30士3
同B2分组
同B2分组
见表 4 步显 1.2 利 3
每批1个器件/0
20(C=0)
-rKAONKAca-
检验或试验
C3分粗
变摄动
谊定加速度
最后测试。
C4分组
盐气(漫蚀)
(适用时)
C5分组
低气压
试验期间谢试的
反向电流
C6分组
稳态工作寿命
最后渊试,
C? 分组
低溢工作
击穿电压
检验或试验
正向电压
2CK105A
2CK105B
2CK105C
2CK105D
2CK105E
2CK105F
反向电流
5交货准备
5.1包装要求
SJ 20070 92
续表 3
GJB128
非工作状态
非工作状态
98000m/s,tm20s
见表4步骤的 1.、2 和 3
1067Pa,t=d0s
GB 6571
附录 A
Te=75+r,Ia-5A
f=50Hz止弦半该,1000b
见表 4步骤的 1,2 和 3
Ta=—55C
I,=100μA
表 4 B 组和 C 组最后测试
GJB6571
Vr-Vewm
Vr=oV,
极限值
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GBB3的规定,
5.3运输要求
运输要求应按GJB S3的规定。
6说明事项
SJ 20070-92
6.1对引出端涂层有特殊要求时,应在合间或订货单中规定,6.2如需要典型特性曲线,可在合同或订货单中规定。18
TTKAONTKAca-
A1自的
SJ 2007092
附录A
击穿电压测试电路
(补充件)
在规定的条件下測定器件的击穿电医,是否大于规定的量低极限。A2电路图
A3电路说明
D 为被测器件:
R为限流电阻;
G 为可调电压源。
A4测量步骤
击穿电压澳试电路
调整友向电流从零到击穿电压的最低极限或达到规定的测试电流,如果测试电流在规定值前已达到击穿电压规定的最低极摄,则器件发合格,如果先达到规定的测试电流,测器件应拒收。
A5规定条件
环境、管壳溢度(Tt、Tc)
附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七五厂负贵起草。本规范主要起草人,于志赘、朱坤。计划项目代号,B01009。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:





- 热门标准
- 电子行业标准(SJ)标准计划
- SJ/T11403-2009 通信用激光二极管模块可靠性评定方法
- SJ/T11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范
- SJ2242-1982 散热器强制风冷热阻测试方法
- SJ/T11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱
- SJ/T11410-2009 九针点阵式打印机芯通用规范
- SJ/T11397-2009 半导体发光二极管用萤光粉
- SJ/T11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范
- SJ20965-2006 光电器件用氧化铍陶瓷载体规范
- SJ/T11395-2009 半导体照明术语
- SJ/T11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
- SJ/T11342-2006 数字电视阴极射线管显示器通用规范
- SJ/T10631-1995 工艺文件的编号
- SJ/T10667-1995 钎焊、封接的代号及标注方法
- SJ/T9555.6-1993 YC型音响设备用圆形连接器质量分等标准
- SJ20576-1996 舰船扩声系统电源通用规范
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:[email protected]
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1