- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 20091-1992 CT110型瓷介固定电容器详细规范

【电子行业标准(SJ)】 CT110型瓷介固定电容器详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 07:41:50
- SJ20091-1992
- 现行
标准号:
SJ 20091-1992
标准名称:
CT110型瓷介固定电容器详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1992-11-19 -
实施日期:
1993-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
96.49 KB

点击下载
标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定了CTll0型瓷介固定电容器的结构、尺寸、主要参数和要求。本规范适于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中使用的瓷介电容器。 SJ 20091-1992 CT110型瓷介固定电容器详细规范 SJ20091-1992

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准CT110型
瓷介固定电容器详细规范
Detail specification
capacitors,fixed,ceramic dielectric,typeCT110
SJ20091-92
本规范所规定的电容器,其全部要求由本规范和总规范GJB1314作出规定。1范围下载标准就来标准下载网
1.1主题内容
本规范规定了CT110型瓷介固定电容器的结构、尺寸、主要参数和要求。1.2适用范围
本规范适于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中使用的瓷介电容器。引用文件
GB2471-81
GB2691-81
GJB131491
3要求
3.1结构
电子设备用电阻器的标称阻值系列和固定电容器的标称电容盘系列及其允许偏差
电阻器、电容器标志内容和标志方法2类瓷介固定电容器总规范
圆片形,树脂包封,径向引出。3.2尺寸和主要参数
见下图和表1。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
额定电压V
SJ20091-92
电容量范围
1000~1800
注:标称电容量应符合GB2471中的E12系列。3.3电容量范围见表1。
试验频率1kHz士100Hz。
试验电压1.0±0.2Vr.m.s。
3.4电容量允许偏差
K.M、S。
3.5额定电压(V)
见表1。
3.6损耗角正切
tg0.020。
3.7绝缘电阻(R,)
1500~2200
1000~1200
R≥100000MQ并应符合GJB1314第4.6.4条的规定,试验条件A(250V),B(500V)。3.8度特性和工作温度范围
2C0;2X1;2X2;2E2。
注:字母后面的数字表示工作温度范围,如2X1,2X表示温度特性,1表示一55125℃:2表示55~85℃。
3.9介质耐电压
3.9.1引出端之间
应符合GJB1314第4.6.2.1条规定;试验电压为2.5UR。3.9.2引出端与外壳之间
应符合GJB1314第4.6.2.1条规定;试验电压为1300V。3.10低气压
气压为3.33kPa;试验电压为1.5U并应符合GJB1314第4.6.3条的规定。3.11高频振动
应符合GJB1314第4.6.9条规定,试验条件D(196m/s2)。3.12温度冲击和浸渍
3.12.1温度冲击
应符合GJB1314第4.6.10.1条规定。3.12.2浸渍
应符合GJB1314第4.6.10.2条规定。3.12.3最后测量
介质耐电压2.5UR。
绝缘电阻R≥75000Ma。
3.13盐雾
不适用。
3.14引出端强度
SJ20091—92
施加25N力并应符合GJB1314第4.6.12条规定。3.15耐湿
应符合GJB1314第4.6.13条规定及下列要求;介质耐电压2.5UR
绝缘电阻R≥75000MQ。
电容量在规定的允许偏差范围内,3.16可焊性
应符合GJB1314第4.6.14条规定;在两个引出端上进行试验。3.17耐焊接热
应符合GJB1314第4.6.15条规定及下列要求:绝缘电阻R≥100000Mα。
电容量变化2X:AC/C≤5%,2EAC/C<20%。损耗角正切增值Atg8≤0.005:
3.18温度特性
应符合GJB1314第4.6.16条规定。3.19寿命(在高温下)
应符合GJB1314第4.6.17条规定及下列要求:a.试验条件
试验电压2UR。
试验时间
对于鉴定检验为2000h。
对于质量致性检验为250h。
对于延续试验为1750h。
介质耐电压2.5U(在25℃)。
绝缘电阻R≥50000MQ(在高温和25℃下)。电容量在规定的允许偏差范围内。损耗角正切
tgo≤0.020。
3.20,标志
电容器上标志应按GB2691第3.2条规定并包括下列内容:a.
认证标志;
标称电容量;
电容量允许偏差;
温度特性和工作温度范围;
额定电压;
生产年月;
生产批号;
h.商标。
附加说明:
SJ20091-92
本规范由中国电子技术标准化研究所和715厂共同起草。本规范主要起草人:霍光张榴桢。计划项目代号:B12012。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
瓷介固定电容器详细规范
Detail specification
capacitors,fixed,ceramic dielectric,typeCT110
SJ20091-92
本规范所规定的电容器,其全部要求由本规范和总规范GJB1314作出规定。1范围下载标准就来标准下载网
1.1主题内容
本规范规定了CT110型瓷介固定电容器的结构、尺寸、主要参数和要求。1.2适用范围
本规范适于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中使用的瓷介电容器。引用文件
GB2471-81
GB2691-81
GJB131491
3要求
3.1结构
电子设备用电阻器的标称阻值系列和固定电容器的标称电容盘系列及其允许偏差
电阻器、电容器标志内容和标志方法2类瓷介固定电容器总规范
圆片形,树脂包封,径向引出。3.2尺寸和主要参数
见下图和表1。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
额定电压V
SJ20091-92
电容量范围
1000~1800
注:标称电容量应符合GB2471中的E12系列。3.3电容量范围见表1。
试验频率1kHz士100Hz。
试验电压1.0±0.2Vr.m.s。
3.4电容量允许偏差
K.M、S。
3.5额定电压(V)
见表1。
3.6损耗角正切
tg0.020。
3.7绝缘电阻(R,)
1500~2200
1000~1200
R≥100000MQ并应符合GJB1314第4.6.4条的规定,试验条件A(250V),B(500V)。3.8度特性和工作温度范围
2C0;2X1;2X2;2E2。
注:字母后面的数字表示工作温度范围,如2X1,2X表示温度特性,1表示一55125℃:2表示55~85℃。
3.9介质耐电压
3.9.1引出端之间
应符合GJB1314第4.6.2.1条规定;试验电压为2.5UR。3.9.2引出端与外壳之间
应符合GJB1314第4.6.2.1条规定;试验电压为1300V。3.10低气压
气压为3.33kPa;试验电压为1.5U并应符合GJB1314第4.6.3条的规定。3.11高频振动
应符合GJB1314第4.6.9条规定,试验条件D(196m/s2)。3.12温度冲击和浸渍
3.12.1温度冲击
应符合GJB1314第4.6.10.1条规定。3.12.2浸渍
应符合GJB1314第4.6.10.2条规定。3.12.3最后测量
介质耐电压2.5UR。
绝缘电阻R≥75000Ma。
3.13盐雾
不适用。
3.14引出端强度
SJ20091—92
施加25N力并应符合GJB1314第4.6.12条规定。3.15耐湿
应符合GJB1314第4.6.13条规定及下列要求;介质耐电压2.5UR
绝缘电阻R≥75000MQ。
电容量在规定的允许偏差范围内,3.16可焊性
应符合GJB1314第4.6.14条规定;在两个引出端上进行试验。3.17耐焊接热
应符合GJB1314第4.6.15条规定及下列要求:绝缘电阻R≥100000Mα。
电容量变化2X:AC/C≤5%,2EAC/C<20%。损耗角正切增值Atg8≤0.005:
3.18温度特性
应符合GJB1314第4.6.16条规定。3.19寿命(在高温下)
应符合GJB1314第4.6.17条规定及下列要求:a.试验条件
试验电压2UR。
试验时间
对于鉴定检验为2000h。
对于质量致性检验为250h。
对于延续试验为1750h。
介质耐电压2.5U(在25℃)。
绝缘电阻R≥50000MQ(在高温和25℃下)。电容量在规定的允许偏差范围内。损耗角正切
tgo≤0.020。
3.20,标志
电容器上标志应按GB2691第3.2条规定并包括下列内容:a.
认证标志;
标称电容量;
电容量允许偏差;
温度特性和工作温度范围;
额定电压;
生产年月;
生产批号;
h.商标。
附加说明:
SJ20091-92
本规范由中国电子技术标准化研究所和715厂共同起草。本规范主要起草人:霍光张榴桢。计划项目代号:B12012。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:




- 其它标准
- 热门标准
- 电子行业标准(SJ)标准计划
- SJ/T11403-2009 通信用激光二极管模块可靠性评定方法
- SJ/T11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
- SJ2242-1982 散热器强制风冷热阻测试方法
- SJ/T11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范
- SJ/T11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱
- SJ/T11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
- SJ/T11397-2009 半导体发光二极管用萤光粉
- SJ20965-2006 光电器件用氧化铍陶瓷载体规范
- SJ/T11410-2009 九针点阵式打印机芯通用规范
- SJ/T11407.1-2009 数字接口内容保护系统技术规范 第1部分:系统结构
- SJ/T11395-2009 半导体照明术语
- SJ/T11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
- SJ/T11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范
- SJ/T10631-1995 工艺文件的编号
- SJ51919/5-2002 JGL30-2.5-01型舰用两芯多模光缆连接器详细规范
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:[email protected]
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1