【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ＧＨ２４、ＧＨ２５和ＧＨ２６型半导体光耦合器详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20072—92
GH24、GH25和GH26型
半导体光耦合器
详细规范
Detail specification for semiconductor optocouplersfor type GH24,GH25andGH26
1992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
GH24、GH25和GH26型
半导体光耦合器详细规范
Detail specification for semiconductor opto--couplersfortypeGH24.GH25andGH26
1范围
1.1主题内容
SJ20072—92
本规范规定了陶瓷封装的GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
见图1。
尺寸符号
最小值
公称尺寸
最大值
SJ20072--92
1.3最大额定值（除非另有规定，Tmb=25℃）1.3.1红外发射二极管最大额定值VR
注，1）Tmb=65~100C时，按0.67mA/C线性降额。2）脉冲宽度为1.0μs，每秒300个脉冲（300PPS）。1.3.2光敏晶体管最大额定值
注：1）Tm=25~100C时，按1.3mW/℃线性降额。2
(A)(pk)
1.3.3光耦合器最大额定值
-55～+100
1.4主要光电特性（Tm=25℃）
1.4.1红外发射二极管（输入）特性IR
1.4.2光敏晶体管（输出）特性
Vcg20V
V(BRXCEO
Ic=100μA
光耦合器（传输）特性
VcEan)
VCBR)CBO
SJ20072——92
-55~+125
V(BR)EBO
le=100μA
V=1000V（见4.5.5)
V=0,f=1MHz（见4.5.5)
Vcc-10V,lp=20mA，
Rt=500
I=20mA,le=1mA
Vc=10V.lc=10mA
Vce-10V,lc-2mA
Ig=100μA
I,=10mA
Vcg=5V,l=0Ic-10mA
引用文件
GB4587—84
GJB33—85
GJB128—86
2215.1482
SJ/Z9014.2—87
3要求
3.1概述
SJ20072-92
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体光耦合器测试方法
半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件各条要求应按GJB33、SJ/Z9014.2和本规范的规定。3.2缩写、符号和定义
本规范使用的缩写、符号和定义应符合GJB33、SJ/Z9014.2和本规范的规定：Ig——正向瞬态峰值电流。
CTR一直流电流传输比。
Rire—输入与输出间绝缘电阻。Ci输入与输出间电容。
V—最大直流隔离电压。
3.3设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB33和本规范图1的规定。3.3.1引线材料和涂层
引线材料应为可伐合金或等效物。引线涂层应为涂金、镀锡或浸锡。如果要求选择引线涂层，应在合同中规定（见6.2条）。3.4标志
制造厂有权将GJB33中规定的下列标志从管体省略。a.制造厂的识别。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1和表2的规定进行，超过表1和表2极限值的器件不应接收。4
（见GJB33表2）
3.热冲击
6.高温反偏
7.中间测试
8.电老化
9.最后测试
SJ20072—92
I，Iceo1，hre，CTR，con=100%初始值或25nA（de），取较大者见4.3.3
本规范表1中A2分组，4Iczo1=100%初始值或25nA(dc)，取较大者Ahrr=士20%初始值，ACTR,=士20%初始值，A=100%初始值或25μA(dc），取较大者4.3.1热冲击（温度循环）
除最低温度为一55℃，极限温度下的试验时间至少为15min，10次循环外，所有器件都应按GJB128中方法1051的试验条件B进行热冲击（温度循环）试验。4.3.1.1受监控的热冲击（温度循环）百分之百器件都要经受一个循环的受监控的热冲击试验。这个试验可以在规定的热冲击试验完成之后的任一时间进行，也可在第10次热冲击之后进行。应监控所有的PN结的电连续性，任何非连续都将引起该试验后器件的失效。如果经受监控的热冲击试验后器件失效率等于或超过10%，则全部批不能作为GT和GCT级器件交货。4.3.2高温反偏
所有器件应按GJB128中方法1039试验的方法A进行试验。T^=100℃，I—0,Vce=28V，至少48h。
4.3.3功率老化试验条件
功率老化试验条件如下所述：老化电路如图2所示，Vcc=15V，Vce=10V，I=40mA，Tamb=25士3℃，Pto=100士10mW，时间：168h。器件上无热沉或直接的空气循环冷却。4.4质量致性检验
质量一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按本规范表2的规定进行，最后测试应符合本规范表4的步骤。4.4.3C组检验
C组检验应按本规范表3的规定进行，最后测试应符合本规范表4的步骤。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合本规范相应表和下面的规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应符合GJB128中3.3.2条的规定。5
4.5.2高温隔离电压的验证
SJ20072-92
本试验应在红外发射二极管的正负极短路连接和晶体管集电极、发射极和基极短路连接的条件下进行。将样品分成2个数量相等的组，其中一组的样品红外发射二极管端接V的阳极，晶体管端接V阴极，另一组的样品红外发射二极管端接Vi的阴极，晶体管端接V的阳极。所有电压都应在规定的环境温度下实施。4.5.3红外发射二极管输入试验
本试验应在输出端晶体管开路的条件下进行。4.5.4晶体管输出试验
本试验应在输入端红外发射二极管开路的条件下进行。4.5.5输入-输出绝缘电阻、输入-输出电容试验应在输入端1、2和3短路连接和输出端4、5和6短路连接的条件下进行（见图1）。4.6内部目检（封帽前）
内部目检应按GJB128方法2072和2073以及本规范的规定。方法2073用于检验红外发射二极管。方法2072用于检验晶体管芯片和所有耦合器部件。4.6.1红外发射二极管芯片目检
芯片应在只能容纳一个芯片的容器内放大100倍检验。4.6.2硅晶体管芯片目检
芯片应在只能容纳一个芯片的容器内放大100倍检验。4.6.3芯片位置
适用时，发射芯片相对接收芯片不能超出其宽度的33%。4.6.4芯片连接
芯片与底座内部引线的连接应完整无缺。5交货准备
包装、贮存和运输要求应符合GJB33的规定。6说明事项
6.1说明
GJB33的说明适用于本规范。
6.2订货资料
必要时，合同应规定引线涂层（见3.3.1条）。6
检验和试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
红外发射二极管特性：
反向电流
正向电压
晶体管特性：
集电极-发射极击
穿电压
集电极-基极击穿
发射极-基极击穿
集电极-发射极暗
直流电流放大系数
光糖合器特性：
直流电流传输比
直流电流传输比
集电极-发射极炮
和电压
输入与输出间绝缘
A3分组。
高温工作特性：
晶体管特性：
GB4587
GB4587
GB4587
SJ2215.10
SJ2215.10
SJ2215.13
集电极-发射极暗SJ2215.9
SJ20072—92
表 1A组检验
GJB128
Vg5V(见4.5.3)
1=10mA（见4.5.3）
lc-100μAl:=0
1p=0(见4.5.4)
Ie-100μA,Iy-0.
1p=0(见4.5.4)
Ig=100μAlc=0,
1,=0(见4.5.4)
Vcg-20V,Ig-0,
1=0见4.5.4)
Vc=-5V,le-10mA,
I0,（见4.5.4)
Vc=-10V.lr=10mA
VcE-10V,Ip=2mA
I=20mA.Ic=1mA
V1000V
TA=100℃
Vc=20V.lg-0
1=0（见4.5.4)
VeBRYCEO
V(ORyCBO
V(BR)EBO
Vex(at)
极限值
最小最大
图1的D、eer
应符合要求，涂
层无明显锈蚀，
外观无缺损
检验和试验
光糊合器特性：
直流电流传输比
红外发射二极管特
反向电流
低温工作特性：
光耦合器特性：
直流电流传输比
红外发射二极管特
正向电压免费标准下载网bzxz
A4分组
输入-输出电容
上升时间
下降时间
检验和试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
SJ2215.10
SJ2215.10
SJ2215.12
SJ2215.11
SL2215.11
SJ20072—92
GJB128
Vcg=10V,lg=10m
VR=5V(见4.5.3)
Tg=-55℃
Vcg-10V.I,-10mA
Ip10mA（见4.5.3)
f_1MHz(见4.5.5)
Vcc=10V,lp=20mA,
Rr=500
Vcc=10V,lp=20mA，
表2B组检验
GJB128
停顿时间：10s，至管壳距离：1.5mm试验条件B，其中低温为一55℃
试验条件H
试验条件C
见表4步骤1、2和3
极限值
检验和试验
B3分组
高温隔离电压
最后测试
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
开帽内部直观设计检查
键合强度
B6分组
高温寿命（不工作）
最后测试
检验和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（温度循环）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组（适用时）
盐气(浸蚀）
本规范4.5.2
SJ20072—92
续表2
GJB128
V=150V（见4.5.2)
Tx=100C,t-24h
见表4步骤1、2和4
Pro100±10mWVcc-15V.Vcg10V,
lg=20mA，Tm=253℃（见图2）
见表4步骤5和6
TA125℃
见表4步骤5和6
表3C组检验
GJB128
2066见图1
试验条件B-1，其中低温一55℃，时间：最长72h试验条件E
试验条件H
试验条件C
省略初始条件
涂层无明显锈蚀，外观无缺损
见表4步骤1和2
2016不工作，加速度：14700m/sLTPD
每批检验一个
器件/馨失效
20(C=0)
脉冲持续时间：0.5ms，X，、Y.、Y；和Z，方向各冲击5次2056
不工作
不工作：加速度：196000m/s*，方向：X，Y.、Y，和Z见表4步骤2和3
C6分组
检验和试验
稳态工作寿命
最后测试
检验和试验
集电极-发射极暗
直流电流传输比
集电极-发射极饱
和电压
反向电流
集电极-发射极暗
直流电流传输比
SJ20072—92
续表3
GJB128
P=100±10mWVcc=15V.Vcg=-10V,1=20mA，Tm=25士3（见图2）
见表4步骤5和6
表4B组和C组最后测试
VcE=20V.1g=0,lp=0
（见4.5.4)
SJ2215.10
SJ2215.10
Vce=10V.lr=10mA
l=20mA,lc=1mA
Vx=5V(见4.5.3)
Vcg-20V,lg=0.lp=0
(见4.5.4)
Vcg-10V,l-10mA
VcE(t)
图2功率老化、工作寿命试验电路极限值
最小值
入=10
最大值
附加说明：
SJ20072-—92
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由苏州半导体总广负责起草。本规范主要起草人：周慈平、朱治中、严娟娟、胡泓波、王秀英。计划项目代号：B01025。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。