【电子行业标准(SJ)】 3DD59型和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD59和3DD60型NPN硅外延
平面低频大功率三极管
SJ771-74
1、本标准适用于耗散功率为25W的3DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。2、该产品除应符合本标准规定外，还应符介半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139--70，3DD59型为G—2型；3DD60型为F-2型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合容数规范丧的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314--72的规定。（2）环境试验后考核反击穿电压BVcEO，BVEBO，反向电流IcEO，饱和压降VCES和电流放人系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。
（8）高温忙存试验后考核反向电流ICEO，饱和压降VCES和电流放大系数HFB。要求IcEO增大不超过规范的2倍，VcEs增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于士35%。5、说明：免费标准下载网bzxz
（1）生产单位应在产品日录（或说明书）中提供频率参数和下列特性线：
a，Ic-VcE的关系山线；
b、Is一VBE的关系山线，
C、HFEIc的关系线
一九七四年十月一日实施
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SJ771-74
d、HFE一T（低温）的关系曲线，e、IcEO-T（高温）的关系曲线，f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温按下式自行设计，满功率使用时壳温不允许超过75C。PcM=
TjM-Tc
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8DD59A
8DD59B
8DD59c
8DD59D
8DD59E
试验类别
-75℃℃
SJ771-74
8DD59和3DD60型NPN硅外延平
BVcEOBVERO
注：1、色标（点）位置：管幅顶端（G型）：管帽边绿缘（F型）。2、副试环境温度：Ta=25*C
SJ771-74
面低频大功率三极管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为PcM值
柑对变化率小于
电压VcE（或VcB）-10V
壳温Tc-75°℃
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HFE色标分档
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