- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 768-1974 3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
标准号:
SJ 768-1974
标准名称:
3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1974-10-01 -
实施日期:
1974-10-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
139.88 KB
中标分类号:
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

点击下载
标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准适用于耗散功率为5W的3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 768-1974 3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管 SJ768-1974

部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD55型NPN硅合金扩散
低频大功率三极管
SJ768-74
1、本标准适用于耗散功率为5W的3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F—1型。4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314—72的规定。(2)环境试验后考核反向击穿电压BVcEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VcEs和电流放大系数HFE,其值应符合参数规范表的规定。
(8)高温贮存试验后考核反向电流ICEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍,VcEs增大不超过规范的1.2倍,HrE相对变化率小于±35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品目录(或说明书)中提供频率参数和下列特性曲线:
a、Ic—Vce的关系曲线;
b、IB—VBE的关系曲线;
C、HFE一Ic的关系曲线,
d、HFE一T(低温)的关系曲线,一九七四年十月一日实施
共4黄第2页
SJ768-74
e、IcEO一T(高温)的关系曲线,f、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。Tjm-Tc
共4页第3页bzxZ.net
8DD55A
3DD55B
8DD55C
8DD55D
8DD55E
试验类别
-75℃℃
SJ768-74
3DD55型NPN硅合金扩散低
注:1、色标(点)位置:管边绿2、试环境温度Ta=25°C
BVCEoBVEBO
≥110
SJ768-74
频大功率三级管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件:
功率为PcM值
相对变化串小于
电压VcE(或VcB)-10V(A,B档)VcE(或VcB)-25V(CDE档)
壳温Tc-75°
共4页第4页
HrE色标分档
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
3DD55型NPN硅合金扩散
低频大功率三极管
SJ768-74
1、本标准适用于耗散功率为5W的3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F—1型。4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314—72的规定。(2)环境试验后考核反向击穿电压BVcEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VcEs和电流放大系数HFE,其值应符合参数规范表的规定。
(8)高温贮存试验后考核反向电流ICEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍,VcEs增大不超过规范的1.2倍,HrE相对变化率小于±35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品目录(或说明书)中提供频率参数和下列特性曲线:
a、Ic—Vce的关系曲线;
b、IB—VBE的关系曲线;
C、HFE一Ic的关系曲线,
d、HFE一T(低温)的关系曲线,一九七四年十月一日实施
共4黄第2页
SJ768-74
e、IcEO一T(高温)的关系曲线,f、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。Tjm-Tc
共4页第3页bzxZ.net
8DD55A
3DD55B
8DD55C
8DD55D
8DD55E
试验类别
-75℃℃
SJ768-74
3DD55型NPN硅合金扩散低
注:1、色标(点)位置:管边绿2、试环境温度Ta=25°C
BVCEoBVEBO
≥110
SJ768-74
频大功率三级管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件:
功率为PcM值
相对变化串小于
电压VcE(或VcB)-10V(A,B档)VcE(或VcB)-25V(CDE档)
壳温Tc-75°
共4页第4页
HrE色标分档
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:




- 热门标准
- 电子行业标准(SJ)
- SJ/T31142-1994 荧光灯排气车完好要求和检查评定方法
- SJ1417-1978 3DA103型NPN硅高频大功率三极管
- SJ50033.150-2002 半导体分立器件 2DW230-236型硅电压基准二极管详细规范
- SJ1795-1981 50-1000mA小电流半导体闸流管
- SJ1413-1978 3DA2型NPN硅高频大功率三极管
- SJ795-1974 3DG142型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管
- SJ/T31198-1994 玻壳退火炉完好要求和检查评定方法
- SJ2646.3-1985 冷冲模 顶杆
- SJ3006.1-1988 组合冲模 上圆角刃口
- SJ1056-1976 CKM-99脉冲磁控管
- SJ1469-1979 3CG101型PNP硅外延平面高频小功率三极管
- SJ1483-1979 3CG140型PNP硅外延平面高频小功率低噪声三极管
- SJ2319-1983 电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法
- SJ775-1974 3DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管
- SJ790-1974 3DG121型NPN硅外延平面高频小功率三极管
- 行业新闻
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:bzxznet@163.com
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1