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【电子行业标准(SJ)】 3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

本网站 发布时间: 2024-07-11 05:09:19
  • SJ768-1974
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 768-1974

  • 标准名称:

    3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1974-10-01
  • 实施日期:

    1974-10-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    139.88 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

关联标准

出版信息

  • 出版社:

    中国电子工业出版社
  • 页数:

    4页
  • 标准价格:

    8.0 元
  • 出版日期:

    1974-10-01

其他信息

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标准简介:

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本标准适用于耗散功率为5W的3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 768-1974 3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管 SJ768-1974

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD55型NPN硅合金扩散
低频大功率三极管
SJ768-74
1、本标准适用于耗散功率为5W的3DD55型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F—1型。4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314—72的规定。(2)环境试验后考核反向击穿电压BVcEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VcEs和电流放大系数HFE,其值应符合参数规范表的规定。
(8)高温贮存试验后考核反向电流ICEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍,VcEs增大不超过规范的1.2倍,HrE相对变化率小于±35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品目录(或说明书)中提供频率参数和下列特性曲线:
a、Ic—Vce的关系曲线;
b、IB—VBE的关系曲线;
C、HFE一Ic的关系曲线,
d、HFE一T(低温)的关系曲线,一九七四年十月一日实施
共4黄第2页
SJ768-74
e、IcEO一T(高温)的关系曲线,f、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。Tjm-Tc
共4页第3页
8DD55A
3DD55B
8DD55C
8DD55D
8DD55E
试验类别
-75℃℃
SJ768-74bZxz.net
3DD55型NPN硅合金扩散低
注:1、色标(点)位置:管边绿2、试环境温度Ta=25°C
BVCEoBVEBO
≥110
SJ768-74
频大功率三级管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件:
功率为PcM值
相对变化串小于
电压VcE(或VcB)-10V(A,B档)VcE(或VcB)-25V(CDE档)
壳温Tc-75°
共4页第4页
HrE色标分档
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