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【电子行业标准(SJ)】 3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

本网站 发布时间: 2024-07-11 05:10:46
  • SJ766-1974
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 766-1974

  • 标准名称:

    3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1974-10-01
  • 实施日期:

    1974-10-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    138.12 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

关联标准

出版信息

  • 出版社:

    中国电子工业出版社
  • 页数:

    4页
  • 标准价格:

    8.0 元
  • 出版日期:

    1974-10-01

其他信息

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标准简介:

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本标准适用于耗散功率为1W的3DD52型NPN硅合金扩散低频功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 766-1974 3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管 SJ766-1974

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD52型NPN硅合金扩散低
频大功率三极管
SJ766-74
1、本标准适用于耗散功率为1W的3DD52型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应衍合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术条件SJ614一73的规定。
8、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F1型。4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300—72~SJ314-72的规定。(2)环境试验后考核反向击穿电压BVcEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VcEs和电流放大系数HrE。其值应符合参数规范表的规定。
(8)高温贮存试验后考核反向电流IcEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEo增大不超过规范的2倍,VcEs增大不超过规范的1.2倍,HFE相对变化率小于±35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品目录(或说明书)中提供频率参数和下列特性曲线:
a、Ic—VcE的关系曲线;
b、IB—VBE的关系曲线;
C、HFE一Ic的关系曲线,
d、HFE一T(低温)的关系曲线;一九七四年十月一日实施
共4页第2页
SJ766-74
C、IcEO一T(高温)的关系曲线:f、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75C。TjM-Tc
共4页第3页
3DD52AWww.bzxZ.net
8DD52B
8DD52C
3DD52D
3DD52E
试验类别
SJ766-74
8DD52型NPN硅合金扩散
注:1、色标(点)位:管帽边绿。2、测试环境溢度:Ta=25°C
BVcEoBVEBO
≥150
SJ766-74
低频大功率三级管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件:
功率为Pcm值
相对变化率小于
电压VcE(或VcB)-10V(AB档)VcE(或VCB)-25V(cDE档)
壳温Tc-75°℃
共4页第4页
HFE色标分档
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