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【电子行业标准(SJ)】 3DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
本网站 发布时间:
2024-07-11 05:07:53
- SJ770-1974
- 现行
标准号:
SJ 770-1974
标准名称:
3DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1974-10-01 -
实施日期:
1974-10-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准适用于耗散功率为10W的3DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 770-1974 3DD58型NPN硅合金扩散低频大功率三极管 SJ770-1974

部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD58型NPN硅合金扩散
低频大功率三极管
SJ770-74
1、本标准适用于耗散功率为10W的3DD58型NPN硅合金扩放低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术件件SJ614-73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F1型。4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314—72的规定。(2)环境试验后考核反向击穿电压BVcEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE,其值应符合参数规范表的规定。
(3)高温贮存试验后考核反向电流IcEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍,VcEs增大不超过规范的1.2倍,HFE相对变化率小于±35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品目录(或说明书)中提供频率参数和下列特性曲线:
a、Ic-VcE的关系曲线,
b、IB-VBE的关系曲线;
c、HFE-Ic的关系曲线
d、HFE-T(低温)的关系曲线
一九七四年十月一日实施
4页第2页
SJ770-74
e、IcEO-T(高温)的关系曲线,f、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM=
TjM-Te
共4页第3页
3DD58A
3DD58B
3DD58C
8DD58E
试验类别
-75°C
SJ770-74
8DD58型NPN硅合金扩散低频
注:1、色标(点)位置:管帽边缘。2、测试坏境温度:Ta=25°C
BVcEOBVEBO
SJ770-74
大功率三极管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件:
功率Pcm值
对变化
电压VCE(或VcB)-10V(A,B档)VcE(或VcB)-25V
(c、DE档)
壳温Tc-75°℃
共4黄第4弄bzxZ.net
HFE色标分档
30~40
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
3DD58型NPN硅合金扩散
低频大功率三极管
SJ770-74
1、本标准适用于耗散功率为10W的3DD58型NPN硅合金扩放低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合半导体三极管总技术件件SJ614-73的规定。
3、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70的F1型。4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314—72的规定。(2)环境试验后考核反向击穿电压BVcEO,BVEBO,反向电流IcEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE,其值应符合参数规范表的规定。
(3)高温贮存试验后考核反向电流IcEO,饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍,VcEs增大不超过规范的1.2倍,HFE相对变化率小于±35%。5、说明:
(1)生产单位应在产品目录(或说明书)中提供频率参数和下列特性曲线:
a、Ic-VcE的关系曲线,
b、IB-VBE的关系曲线;
c、HFE-Ic的关系曲线
d、HFE-T(低温)的关系曲线
一九七四年十月一日实施
4页第2页
SJ770-74
e、IcEO-T(高温)的关系曲线,f、直流(或脉冲)安全工作区。在提供曲线时,应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。(2)功率管的使用:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻,最高结温和壳温按下式自行设计。满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM=
TjM-Te
共4页第3页
3DD58A
3DD58B
3DD58C
8DD58E
试验类别
-75°C
SJ770-74
8DD58型NPN硅合金扩散低频
注:1、色标(点)位置:管帽边缘。2、测试坏境温度:Ta=25°C
BVcEOBVEBO
SJ770-74
大功率三极管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件:
功率Pcm值
对变化
电压VCE(或VcB)-10V(A,B档)VcE(或VcB)-25V
(c、DE档)
壳温Tc-75°℃
共4黄第4弄bzxZ.net
HFE色标分档
30~40
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