【电子行业标准(SJ)】 3DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管

本网站发布时间： 2024-07-11 05:04:11

SJ775-1974
现行
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基本信息

标准号：
SJ 775-1974
标准名称：
3DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管
标准类别：
电子行业标准(SJ)
标准状态：
现行
发布日期：
1974-10-01
实施日期：
1974-10-01
出版语种：
简体中文
下载格式：
.rar.pdf
下载大小：
142.47 KB

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标准分类号

中标分类号：
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

关联标准

出版信息

出版社：
中国电子工业出版社
页数：
4页
标准价格：
8.0 元
出版日期：
1974-10-01

其他信息

发布部门：
中华人民共和国第四机械工业部
相关标签：
外延平面低频大功率三极管

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标准简介：

标准下载解压密码：www.bzxz.net

本标准适用于耗散功率为75W的3DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。 SJ 775-1974 3DD65型和3DD66型NPN硅外延平面低频大功率三极管 SJ775-1974

标准内容

部分标准内容：

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD65和3DD66型NPN硅外
延平面低频大功率三极
SJ775-74
1、本标准适用于耗散功率为75W的3DD65和3DD66型NPN硅外延平面低大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大，电源变换和低速开关的电路中。2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
8、外形结构和尺寸应符合部标准SJ139—70，3DD65型为G-8型；8DD66型为F一2型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-—72～SJ314-72的规定。（2）环境试验后考核反向击穿电压BVCEO，BVEBO，反向电流ICEO，饱和压降VcES和电流放大系数HrE，其值应符合参数范表的规定。
（8）高温贮存试验后考核反向电流ICEO，饱和压降VcES和电流放大系数HrE。要求IcEO增大不超过规范的2倍，VcEs增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%5、说明：
（1）生产单位应在产品目录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、Ic一VcE的关系曲线
b、IB-VBE的关系曲线；
c、HFEIc的关系册线；
一九七四年十月一日实施
共4页第2页
JS775-74
d、HrE-T（低温）的关系曲线！e、IcEO-T（高温）的关系曲线
f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境，测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温按下式自行设计，满功率使用时壳温不允许超过75C。TiM-Tc
共4页第3页
SDDG5A
3DD65BWww.bzxZ.net
8DD65c
3DD65D
3DD65E
试验类别
-75°℃
JS775-74
3DD65和3DD66型NPN硅外延平
BVCEOBVEBO
注：1、色标（点）位置：管帽项端（G型）：管幅边绿（F型）。2、副试环境温度：Ta=25°C
SJ775-74
面低频大功率三极管电参数规范表数
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为PcM值
相对变化率小于
电压VcE(或VcB)-10V
光温Tc-75°C
共4页第4页
HFE色标分档
10～20