【电子行业标准(SJ)】 3DD50型和3DD51型NPN硅外延平面低频大功率三极管

本网站发布时间： 2024-07-11 05:11:34

SJ765-1974
现行
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基本信息

标准号：
SJ 765-1974
标准名称：
3DD50型和3DD51型NPN硅外延平面低频大功率三极管
标准类别：
电子行业标准(SJ)
标准状态：
现行
发布日期：
1974-10-01
实施日期：
1974-10-01
出版语种：
简体中文
下载格式：
.rar.pdf
下载大小：
150.34 KB

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标准分类号

中标分类号：
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

关联标准

出版信息

出版社：
中国电子工业出版社
页数：
5页
标准价格：
8.0 元
出版日期：
1974-10-01

其他信息

发布部门：
中华人民共和国第四机械工业部
相关标签：
外延平面低频大功率三极管

标准简介/下载

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标准简介：

标准下载解压密码：www.bzxz.net

本标准适用于耗散功率为1W的3DD50和3DD51型NPN硅外外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。 SJ 765-1974 3DD50型和3DD51型NPN硅外延平面低频大功率三极管 SJ765-1974

标准内容

部分标准内容：

中华人民共和国第四机械工业部部标准
NPN硅低類大功率三极管
SJ765-74
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD50和3DD51型NPN硅外
延平面低频大功率三极管
SJ765-74
1、本标准适用于耗散功率为1W的3DD50和3DD51型NPN硅外延平面低频大功率三极管。该产品用于电子设备的低频功率放大、电源变换和低速开关的电路中。
2、该产品除应符合本标准规定外还应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合部标准SJ139—70，3DD50为G—1型，3DD51为F—1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部标准SJ300-72~SJ314—72的规定。（2）环境试验后考核反向击穿电压BVcEO，BVEBO，反向电流IcEO，饱和压降VcEs和电流放大系数HFE，其值应符合参数规范表的规定。
（3）高温贮存试验后考核反向电流IcEO，饱和压降VcES和电流放大系数HFE。要求IcEO增大不超过规范的2倍，VcES增大不超过规范的1.2倍，HFE相对变化率小于±35%。5、说明：
（1）生产单位应在产品目录（或说明书）中提供频率参数和下列特性曲线：
a、Ic--VcE的关系曲线
b、IB-VBE的关系曲线，
c、HrE-Ic的关系线：
一九七四年十月一日实施
SJ765-74
d、HFE-T(低温）的关系曲线，
e、ICEO-T(高温)的关系曲线，
f、直流（或脉冲）安全工作区。在提供曲线时，应对测试环境、测试条件等给予必要的说明。（2）功率管的使用：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻，最高结温和壳温按下式自行设计，满功率使用时壳温不允许超过75°C。PcM=
TiM-Tc
8DD50A
8DD50B
8DD50c
8DD50DwwW.bzxz.Net
8DD50E
试验类别
=75℃
SJ765-74
3DD50和3DD51型NPN硅外延平面低参
BVcEoBVEBO
1mA20V
注：1、色标（点）位置：管帽项端（G型）：管帽边缘（F型）。2、测试环境温度：Ta=25℃
SJ765-74
频大功率三极管电参数规范表
额定功率试验考核标准
试验条件：
功率为PCM值
电压VcE（或VcB）=10V
Tc=75°C
HFE色标分档
10～20
20～30