本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数，因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对锗、硅和砷化镓进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达104Ωcm的试样。 GB/

GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T5252-1985

本标准规定了测定可渗透烧结金属材料的流体渗透性的方法，材料中的孔隙是连续贯通的或者互相连结的，并且试验是在流体渗透性可用粘性和惯性渗透系数来表示的情况下进行的。本标准不适用于很长的小直径管状试样，其中流体通过圆柱形内孔的压力降与流体通过壁厚的压力降相比不可忽略。 GB/T 5250-1993 可渗透

本标准适用于以“气泡试验”方法测定可渗透烧结金属材料(过滤器、多孔轴承、多孔电极和具有联通孔的其他部件)的孔径。 GB 5249-1985 可渗透性烧结金属材料 气泡试验孔径的测定 GB5249-1985

本标准适用于测量金属材料多晶粉末中的物相含量。也可供其他材料的多晶粉末试样定量相分析参照使用。 GB/T 5225-1985 金属材料定量相分析 X射线衍射K值法 GB/T5225-1985

本标准规定了烧结金属材料和硬质合金电阻率的测定方法。其中包括两种测量过程。一个测量精度在0.30%以内，适用于材料基本特性的精确测定;一个测量精度较低，适用于工业生产的质量控制。 GB/T 5167-1985 烧结金属材料和硬质合金电阻率的测定 GB/T5167-1985

本标准适用于纵向振动法测定烧结金属材料和硬质合金的动态(绝热的)弹性模量。 GB/T 5166-1998 烧结金属材料和硬质合金弹性模量测定 GB/T5166-1998

本标准规定了金属薄板和薄带塑性应变比(r值)试验方法的定义、符号、原理、试验设备、试样、试验程序、试验结果和试验报告。本标准适用于厚度为0.1~3mm金属薄板和薄带塑性应变比(r值)的测定。 GB/T 5027-1999 金属薄板和薄带塑性应变比(r 值)试验方法 GB/T5027-1999

本标准采用伏-安法在室温(10～35℃)下测量由软磁合金(铁-镍)带材制备的环形试样的振幅磁导率μa。测量频率为60Hz至10kHz。在保证测量误差的前提下，允许采用其他测量方法。 GB/T 5026-1985 软磁合金振幅磁导率测量方法 GB/T5026-1985

本标准规定了压电铌酸锂单晶体声波衰减测试的术语、方法原理、试样制备、测试步骤和结果计算。本标准适用于压电铌酸锂单晶材料，也适用于压电钽酸锂、钼酸铅和二氧化碲等单晶材料。 GB/T 15250-1994 压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法 GB/T15250-1994