本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室外温电阻率大于0.1Ω?cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω?cm中间的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at?cm-3到硅中间隙氧的最大固熔度。 GB/T 1557-2006 硅晶体

本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。 GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 GB/T11068-2006

本标准适用于位错密度为0--100000个/CM 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检验面为[111]面和[100]面。 GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法 GB/T8760-2006

本标准适用于砷化镓外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。 GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 GB/T8758-2006

本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。 GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法 GB/T8757-2006

本标准适用于位错密度0 --100000 的 型和 型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为[111]、[100]和[113]面。 GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T5252-2006

GB 2143-1980 碲中硫量的测定(硫酸钡比浊法) GB2143-1980

GB 2141-1980 碲中硒量的测定(2 3-二氨基萘吸光光度法) GB2141-1980

GB 2140-1980 碲中铁量的测定(邻菲啰啉吸光光度法) GB2140-1980

GB 2139-1980 碲中铅量的测定(双硫腙-四氯化碳萃取吸光光度法) GB2139-1980