本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为：0.050%～0.75%。

本标准规定了用直排四探针法测量硅片径向电阻率变化的方法。 GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T11073-2007

GB/T 14849《工业硅化学分析方法》分为四部分，本部分为第４部分。本部分规定了工业硅中铁、铝、钙、钛、锰、镍含量的测定方法。本部分也适用于以上其含量的测定。 GB/T 14849.4-2008 工业硅化学分析方法 第4部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法测定素含量 GB/T14849.4-20

本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的试验。 GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法 GB/T4060-2007

本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T4059-2007

本标准规定了应用扫描表面检查系统(SSIS)对硅抛光片表面颗粒进行测试、计数和报告的程序。本标准适用于硅抛光片，也可适用于硅外延片或其他镜面抛光片(如化合物抛光片)。本标准也适用于观测硅抛光片表面的划痕、桔皮、凹坑、波纹等缺陷，但这些缺陷的检测、分类依赖于设备的功能，并与检测时的初始设置有关。 GB

本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上腐蚀、抛光及外延硅片。 GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 GB/T19922-2005

本标准规定的测量方法适用于非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达104Ω·cm GB/T 4326-2006 非本征半

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室外温电阻率大于0.1Ω?cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω?cm中间的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at?cm-3到硅中间隙氧的最大固熔度。 GB/T 1557-2006 硅晶体

本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。 GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 GB/T11068-2006