【电子行业标准(SJ)】 3DG112型NPN硅外延平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部标准
3DG112型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ788-74
1、本标准适用于8DG112硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放火和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导作三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外型结构和尺寸，应符合SJ13970的B1型。5、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65SJ170-65的规定。（2）hFE分档志：
50~110
90~160
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数：
d）反向击穿电压。
（4）高温储存租额定功准试验条件：a）高温储存试验条件：按Tiu为175°C下进行，一九七四年十月一日实施
SJ788-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过±35%；C）VBES的相对变化，不得超过+20%；d）VcES的变化不得额过0.1V+VcEs初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品月录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品月录中提供下列特性曲线：a)IBVBE
b) Ic—VcE3
c)BVCEO,BVCBO--TA
d)hFE-TA,
e）hFE--Ic
f)fT-Ic,
g)Kp—Ic;
h)Cob-VcBs
I)I、IcBO—TA。
8DG112A
8DG112B
8DG112C
8DG112D
试验类别
极限参数
SJ788-74
8DG112型NPN硅外延
≤0.1≤0.1≤0.11≤0.3530
平面三极管规范表
Ic-100μA/Ic-100μA
SJ788-74
100μA
≥500
VcB-10V
IE-10mA
VcB-10V
f-100MHz
Vcn-10V
IE-10mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机撼工业部部标准
3DG112型NPN硅外延平面高
频小功率三极管
SJ788-74
（补充部份）
1、本标准适用于3D守硅N.N外廷平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规。
8、外型结构和尺寸，应符合半导体三极管外形尺寸SJ139—70的B-1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170—65的规定。（2）hn分档际志：bzxZ.net
hre范围
允许测试误差为士10%。
80~120
120~180
180~270
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数、a)、b)、d)三项应符参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过土20%。a）反向电流，
b）.饱和压降；
e）电流放大系数：
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG112M
SDG112A
3DG112B
3DG112C
3DG112D
试验类别
极限参数
(mw）l
SJ788-74
3DG112型NPN硅外延
平面三极管规范表
SJ788-74
Vca-10v
Ig10mA
f100MHz
VcB-10V
Vca10V
Ig=10mA
f-100MHz
SJ788-74
a）高温储存试验条件：按Tjm为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pca值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IaBo不得大于规范值的两倍；b）hr的相对变化，不得超过士40%；c）VB的相对变化，不得超过+30%；d）VcEs的变化不得超过0.2V+Vcs初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a) IgVBz 3
b)Ic—Vcn
c) BVcEO..BVcBo--TA ;
d) hn—Ta
e)hrm—Ie,
f)frIo
g)Kp-Ic;
h)Cob-Ver;
I)IcBO,IcBO-T
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