【电子行业标准(SJ)】 3DG142型NPN硅外延平面高频小功率低噪声三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG142型NPN硅外延平面高频
小功率低噪声三极管
SJ795-74
1、本标准适用于8DG142硅NPN外延平面型高频小功率低噪声半导体三极管。该产品用于电子设备中作高频低噪声放大用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139一70的B一1型。应采用四根引线。如需生产三根引线时，生产单位应在产品目录中说明。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155—65～SJ170-65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定：hFE
50~110
90~160
（3）环境试验后，按顺序测量下列参数，）应符合参数规范表的
规范值。
&）反向电流
b）饱和压降，
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七四年十月一日实施
SJ795-74
a）高温储存试验条件按TjM为175°C下进行。b）额定功率试验条件：功率为PCM值，电压VCB为8V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：aICBO
b）hFE
不得天于规范值的两倍，
的相对变化，不得超过土35%，
c）VBES的相对变化，不得超过+20%，d)VcEs
5、说明：
的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出fT、kP、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品月录中提供下列特性曲线：a）IB-VBEs
b)Ic-VcE
c)NFIc
d)NE-VaB
e)kp -Ic
f)hFE-TA。
极限参数
(mW)(nA)
3DG142A
8DG142B:
8DG142C
试验类别
SJ795-74
8DG142型NPN硅外延
40.1≤0.0.41
≤0.3520
平面低噪声三极管规范表
SJ795-74
Ic-10μAIc-10uAIE-10μA/VcB-6V/VcB-6VVcB-6VVcB-6V
Ie-1mA/Ie-1mAiIe-ImA
Rg-502
Rg-50s2
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG142型NPN硅外延平面高频
小功率低噪声三极管
SJ795-74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG142硅N°N外延平面型高频小功率低噪声半导体三极管。该产品用于电子设备中作高频低噪声放大用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281--76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139-70的B一1型。应采用四根引线。如需生产三根引线时，生产单位应在产品目录中说明。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170—65的规定。（2）hz不分档。
（8）环境试验后，按顺序测量下列参数，a)、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，he的相对变化不应超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数，
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件按Tr为175℃下进行。h）额定功率试验条件：功率为Pom值，电压VoB为8V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）Icno不得大于规范值的两倍；b）hpe的相对变化，不得超过士40%，一九七七年三月实施
3DG142M
3DG142A
极限参数
(mw）
3DG142B
3DG142C
试验类别bZxz.net
SJ795-74
3DG142型NPN硅外延
平面低噪声三极管规范表
IC10μA|Ic-10uA
SJ795-74
Ven=6V
VeB-6V
YcB=6V
Rg=500/Rg=502
YcE-6V
SJ795-74
c）VBBs相对变化，不得超过+30%，d）Vcms的变化不得超过0.2V+Vcxs初·20%。5、说明：
（1）本标准参数中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出fT、Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a) IsV,
b) Ic--Vcn;
Ne-Io,
d)Nr-Von,
e)K-lo
f) hre—Ta.
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