您好,欢迎来到标准下载网!

【电子行业标准(SJ)】 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管

本网站 发布时间: 2024-07-11 04:45:16
  • SJ801-1974
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 801-1974

  • 标准名称:

    3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1974-10-01
  • 实施日期:

    1974-10-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    284.32 KB

标准分类号

关联标准

出版信息

  • 出版社:

    中国电子工业出版社
  • 页数:

    8页
  • 标准价格:

    10.0 元
  • 出版日期:

    1974-10-01

其他信息

标准简介标准简介/下载

点击下载

标准简介:

标准下载解压密码:www.bzxz.net

本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高泛亚半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。该产品除本标准规定外,应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 801-1974 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管 SJ801-1974

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG181型NPN硅外延平面高频
小功率高反压三极管
SJ801-74
1、本标准适用于9DG181硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。
2、该产品除本标准规定外,应符合半导体三极管总技术条件SJ614--73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B-3型。4、技术要求和试验方法
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法,应符合部颁标准SJ155-65~SJ170-65的规定。(2)hFE不分档。如需分档,应符合如下规定:hpE范围
管顶色点
50~11090~160
(3)环境试验后,按顺序测量下列电参数,应符合参数规范表
的规范值。
a)反向电流,
b)饱和压降;
c)电流放大系数,
d)反向击穿电压。
温储存和额定功率试验条件:
(4)
一九七四年十月一日实施
SJ801-74
a)高温储存试验条件:按TjM为175°C下进行。b)额定功率试验条件:功率为PcM值,电压VcB为30V。(5)高温储存和额定功率试验后,按下列标准考核:不得大于规范值的两倍
a)lcBO
b)hFE
的相对变化,不得超过士35%,
c)VBES的相对变化,不得超过+20%,d)VEs
的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明
(1)本标准参数表中的电参数,均以25°C为准。(2)生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。、3)生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线:a)IB-VBEbZxz.net
b)Ic-VcE
c)BVcEO、BVCBO-TA;
d)hFE-TA
e)hFE—IC。
3DG181A
8DG181B
8DG181C
8DG181D
8DG181E
8DG181F
8DG181G
8DG181H
3DG1811
3DG181J
试验类别
SJ801-74
8DG181型NPN硅外
VcB-30ViVcE-30V
Ic-100
IB-10mA
SJ801-74
延平面高反压三极管规范表
1c-100
≥140
≥140
≥180
≥140
≥220
≥100
VcE-10VIc-100
IB-10mA
Ic-imA
/Ic-100
IE-100
交流参数
≥100
VcB-10
IE-20mA
f-30MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG181型NPN硅外延平面高
频小功率高反压三极管
SJ801-74
(补充部份)
1、本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外,应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B-8型
4、技术要求和试验方法:
(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法,应符含部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170-65的规定。(2)hFB不分档。
(8)环境试验后,按顺序测量下列电参数,a)、b)、d)三项应符合参数规范表的规范值,hFE的相对变化不得超过士20%。a)反向电流:
b)饱和压降;
c)电流放大系数:
d)反向击穿电压。
(4)高温储存和额定功率试验条件:a)高温储存试验条件,按TjM为175℃下进行。b)额定功率试验条件:功率为Po值,电压VcB为30V,(5)高温储存和额定功率试验后,按下列标准考协a)ICBO不得大于规范值的两倍;b)hFE的相对变化,不得超过士40%,c)VBBS的相对变化,不得超过+30%;一九七七年三月实施
3DG181A
3DG181B
3DG181C
3DG181D
3DG181E
3DG181F
3DGI8IG
8DG181H
3DG181I
3DG181J
试验类别
极限参数
SJ801—74
3DG181型NPN硅外
Vcg=30V
VcB30y
Ic-100
延平面高反压三极管规范表
Icm100
≥220
Ic=100A
SJ801-74
≥140
Ic=100
Iz=100
交流参数
VcB-10V
Ig20mA
f30MHz
SJ801-74
d)VCES的变化不得超过02V+VCES初·20%,5、说明
(1)本标准参数表中的电参数,均以25℃为准。(2)生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区.(8)生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线:a)IB—VBB,
b) Ic-VcB;
c)BVcEO、BVCBo-TA,
d)hFE—TAi
e)hFE-IC.
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
标准图片预览标准图片预览

标准图片预览:






  • 热门标准
  • 电子行业标准(SJ)
  • 行业新闻
设为首页 - 收藏本站 - - 返回顶部
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:bzxznet@163.com
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1