【电子行业标准(SJ)】 3DG170型NPN硅平面高频小功率高反压三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG170型NPN硅外延平面高频
小功率高反压三极管
SJ799-74
1、本标准适用于3DG170硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。
2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ13970的B—3型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155—65SJ170-65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定：范围bzxz.net
50~110
90~160
按顺序测量下列电参数，
应符合参数规范表
（8）环境试验后，
的规范值。
a）反向电流，
b）饱和压降，
C）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七四年十月一日实施
SJ799-74
a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。b）额定功率试验条件：功率为PCM值，电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）ICBO不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过±35%，C）VBES的相对变化，不得超过+20%，d）VCES的变化不得超过0.1V+VcES初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB-VBE
b)Ic-VcE,
C)BVCEO、BVCBO-TA
d)hFE-TA,
e)hFE—IC。
8DG170A
3DG170B
3DG170C
3DG170D
3DG170E
8DG170F
8DG170G
8DG170H
3DG1701
8DG170J
3DG170K
8DG170L
8DG170M
SDGi70N
试验类别
SJ799-74
8DG170型NPN硅外
VcB-30V/VcE-30V
Ic-50mA
IB-5mA
SJ799-74
延平面高反压三极管规范表
≥100
≥140
≥180
≥180
VcE-10V
Ic-5mA
IB-5mA
Ic-100
≥100
≥140
Ic-1mAIc-100
IE-100
交流参数
VcB-10V
IE-5mA
f-30MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG170型NPN硅外延平面高频
小功率离反压三极管
SJ799-74
（补充部份）
1、本标准适用于3DG170硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281--76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139-70的I-8型。
4，技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应行含部领标准半导体三极管测试方法SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）h不分档。
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过士20%.a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数：
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按Tjv为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pax值，电压VCe30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）h的相对变化，不得超过士40%，c）VBs的相对变化，不得超过+30%一九七七年三月实施
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3DG170A
3DG170B
3DG170C
3DG170D
3DG170E
3DG170F
3DG170G
3DG170H
3DG170I
3DG170J
试验类别
极限参数
SJ799--74
3DG170型NPN硅外
Ic=50mA
Ig-5mA
延平面高反压三极管规范表
≥140
Ic=10nMA
SJ799-74
Icm1mAl
交流参数
Tg=100
Ic=100
VcB10V
f-30MHz
SJ799--74
d）VcEs的变化不得超过0.2V+Vcrs初·20%.6、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均及25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB-VBm
b)Ia--Vcml
c）BVcro、BVoBoTA:
d) hrrTa,
e) hra-Ic,
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