【电子行业标准(SJ)】 3DG122型NPN硅外延平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG122型NPN硅外延平面
高频小功率三级管
SJ791-74
1、本标准适用于3DG122硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-78的现定
3、外型结构和尺寸应符合SJ189-70的B-3型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）hFE分档标志：
管顶色点
50~110
90~160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表
的规范值。
a)反闸电流：
b)饱和压降：
c)电流放大系数：
d)反向击穿电压；
（4）高温储存和额定功率试验条件：a)高温储存试验条件：按Tjm为175C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ791-74
b)额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a)IcBo
不得大于规范值的两倍；
的相对变化，不得超过±35%；
c)VBES的相对变化，不得超过+20%，d)VcES的变化不得超过0，1V+VcES初·20%。5、说期
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)
IB-VBE
Ic-VcE;
BVcEO、BVcBO-TA
hFE-TA,wwW.bzxz.Net
hFE-Ic
Kp--Ict
CobVcB,
IcEO、IcBO—TA。
极限参数
(mW)（mA)
8DG122A
3DG122B
3DG122C
8DG122D
试验类别
SJ791-74
3DG122型NPN硅外
≥0.1≥0.2
/≤0.1≤1≤0.5
延平面三极管规范表
100μA
100μA
SJ791-74
100μA
≥700
VcB-10V
E-30mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10V
Ig-30mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG122型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ791-74
(补充部份）
1、本标准适用于3DG122硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
8、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B—8型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155—65~SJ170—65的规定。（2）h分档标志：
hFe范围
允许测试误差为士10%。
80~120
120~180
180~270
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，hk的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压：
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG122M
3DG122A
3DG122B
3DG122C
3DG122D
试验类别
极限参数
S791--74
3DG122型NPN硅外
延平面三极管规范表
SJT91-74
VeB=10V
I=30mA
f=100MHz
VcB=10V
YcB=10V
Je=30mA
f=100MHz
SJ791-74
a）高温储存试验条件：按T为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Po值，电压为10V。（5）高温储存和颖定功率试验后，按下列标准考核：a）IBo不得大于规范值的两倍；b）h的相对变化，不得超过士40%；c）VBns的相对变化，不得超过+30%；d）Vce的变化不得超过0.2+Voms初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、C的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)Is—VBe,
b)Io-Von
c)BVaeo,BVono--TA,
d)hFB-Ta,
e)hFE-Io
f)fr-Io,
g）Kp--lot
h）Cob-VoBs
i)Iomo,IoBo-Ta
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