【电子行业标准(SJ)】 3DG111型NPN硅外延平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG111型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ787-74
1、本标准适用于3DG111硅NPN外延平面高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139一70的B一1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65～SJ170—65的规定。（2）hFE分档标志：
hFE范围
50~110
90~160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a)反向电流，
b)饱和压降；
c)电流放大系数；
d)反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a)高温储存试验条件：按TiM为175°C下进行。1
SJ787-74
b）额定功率试验条件：功为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a)IcBO不得大于规范值的两倍；b)hFE的相对变化，不得超过土35%；c)VBES的相对变化，不得超过+20%；d)VcES的变化不得超过O.1V+VCFS初·20%。6、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品日录中提供Kp、Cob的典型作，（8）生产单位应在产品日录中提供下列特性用线：a)IB-VBE
b）Ic—VcE,
c)BVcEO、BVcBO-TA;
d)hFE-TA
e）hFE-Ic,
f)fT-Ics
g)Kp-Ic;
h)Cob-VcB;
I）IcEO、IcBO-TA。
极限参数
SJ787-74
（mW)mA)
8DG111A
8DG111B
8DG111C
3DG111D
8DG111E
aDG111F
试验类别
8DG111型NPN硅外延
（μA)
1mA10mA
平面三极管规范表
Ic-100
BVCEO BVEBO
Ic-100
SJ787-74
VcR-1OV
lE-1omA
-100MHz
VcB-10V
VcB-10v
le-10mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG111型NPN硅外延下面
高频小功率三极管
SJ787-74
（补充部份）
1、本标准适用于3DG111硅NPN外延平面高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高期放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
3、外型结构尺寸应符合半导体三极管测试外形尺寸SJ139一70的B—！型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155-—65~SJ170-65的规定。（2）h分档标志：
he范围
允许测试误差为士10%，
80~120
120~180
180~270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b)、d)三项应符合参数规范表的规范值，hm;的相对变化不得超过土20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和颖定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG111M
3DG111A
3DG111B
3DG111C
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3DG111B
3DG111F
试验类别
极限参数
(mw）)
SJ787-74
3DG111型NPN硅延外
平面三极管规范表
SI787-74
Vcn-1oV
Ig-10mA
f=100MHz
Vcg-10V
VcB-10V
Ig-10mA
f=100MHz
SJ787-74
a）高温储存试验条件：按Tjar为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pa值；电压Vos为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IoBo不得大于规范值的两倍；b）h的相对变化，不得超过土40%；c）VB鸟的相对变化，不得超过+30%，d）VcEs的变化不得超过0.2V+Vces初20%5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IBVe
b)Io-Ven
c) BVcEo,BVcno--T
d) hre—Ta:
e）hpm——Io
f)fn-o
g) KpIo,
h) Cob-Vcnt
I) IcBO、IcBO—TA。
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