【电子行业标准(SJ)】 3DG103型NPN硅外延平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG103型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
SJ785-74
1、本标准适用于8DG103硅NPN外延平面型高频小功率半导作极管。该产品月产电子设备的商频放天和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139-70的B--1型。4、找术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部预标准SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）hFE分档标志：
hFE范围
50~110
90~160
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a)反向电流：
b)饱和压降；
c)电流放大系数；
cl)反向击穿电压。
（！）商温储存和额定功本试验条件：a)商温借存试验条件：按TiM为175℃下迹行。一九七四年十月一日实施
SJ785-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a)ICBO不得大于规范值的两倍；b)hFE的相对变化，不得超过±35%，c)VBES.的相对变化，不得超过+20%；d）VCEs的变化不得超过0.1V+VCES初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB—VBE;
b)Ic-VcE
C)BVCEO、BVCBO-TA
d)hFE-TA
e)hFE-Ic,
f)fT-Ic
g)KP--IC,
h)Coh-VcB
D)ICEO.ICBO-TA。
极限参数
(mWmA)
3DG103A
3DG103B
3DG103C
8DG103D
试验类别bZxz.net
SJ785-74
3DG103型NPN硅外
5≥30
0.10.1/≤0,141≥0.35
1mA/8mA
延平面三极管规范表
SJ785-74
100μA
VcB-10V
IE-3mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10V
Ie-3mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG103型NPN硅外延平面
高频小功率三极管
13785-74
（补充部份）
1、本标准适用F3CG:0.量NPN外延产商题小功室半导体三极管。该产品用于电子设备的高项放人和旅荡地路中。2，该品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281—76的规定。
8，外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139-70的B一1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定，电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155--65～SJ170的规定。（2）hz分档标志：
hee范围
允许测试误差为土10%。
80~120
120~180
180~270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b）、d)三项应符合参数规范表的规范值，hw的相对变化不得超过土20%。a）反向电流：
b）饱和压降；
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功密试验条件：一九七七年三月实施
极限参数
(n.W)(mA)
3DG103M
3DG103A
3DG103B
3DG103C
3DG103D
试验类别
SJ785--74
3DG103型NPN硅外
延平面三极管规范表
SJT85-74
VeR=10V
Ig—3mA
f100MHz
VcR-10V
VcB=-10V
Ig=3mA
f100MHz
SJ785-74
a）高温储存试验条件：按T为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功密为Pcm值：电压VoB为10V（5）高温谢存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）Icno不得大于规范值的两倍；b），的组夺变化，不得超过土40%，）V的相时空化，不得超过+30%；d）Ves的变不得起过0.2V+Vces初·20%。5、说期
（1）本标准参显表中的电参效，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供KP、C的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)In-VnE,
b)Ic-Vcg;
c) BVcBO, BVcEO-TA;
d) hrn--Ta;
e）hra—lo
f) fr-Io,
g)Kp-log
h)Cob-Ven;
I)IcEO,IcBO-TA。
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