【电子行业标准(SJ)】 3DG100型NPN硅平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
NPN硅平面高類小
功率三极管
SJ78274
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG100型NPN硅平面高频
小功率三极管
SJ782-74
1、本标准适用于8DG100硅NPN平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和摄荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139一70的B1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65~SJ170--65的规定。（2）hFE分档标志：
hFE范围
50~110
90~160
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a)反向电流：
b)饱和压降，
c)电流放大系数
d)反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ782-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍
b)hFE的相对变化，不得超过±35%c)VBEs的相对变化，不得超过+20%d)VcEs的变化不得超过0.1V+VcEs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供KP、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)IB--VBE免费标准下载网bzxz
b)I-VcEs
C)BVcEO、BVCBO—TA;
d)hFE-TA
e)hFE--Ic,
f)fr-Ic,
g)Kp-Ic
h)Cob-VcB;
I)ICEO,ICBO--TA。
8DG100A
8DG100B
3DG100C
8DG100D
试验类别
(mW）
SJ782-74
3DG100型NPN硅平面
≤0.01≤0.0120,0121
三极管规范表
Ic-100
Ic-100
SJ782-74
≥300
VcB-10V
IE-3mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10v
IE-3mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机工业部
部标准
NPN硅平面高频
小功率三极管
（三类）
SJ782-74
(补充部份）
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG100型NPN硅平面高频
小功率三极管
SJ782-74
1、本标准适用于3DG100硅NPN平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281--76的规定。
3、外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139一70的B1型
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部顽标准半导体三极管测试方法SJ155—65~SJ17065的规定。（2）hE分档标志：
hen范围
充许测试误差为列10%。
80~120
120180
180~270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a）、b）、d）三项应符合参数规范表的规范值，hrB的相对变化不超过土20%，a）反向电流，
b）饱和压降；
c）电流放大系数，
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG100M
3DG100A
3DG100B
3DG100C
3DGI00D
SJ782—74
3DG100型NPN硅
25~270
Ig=100
Lg=100
SIT82-74
Ig=100
VeB-10V
Ig=3mA
fm100MHz
IcB-10V
VcB=-10V
f-100MHz
SJ782-74
a）高温储存试验条件：按Tm为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pom值，电压VcB为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IoBo不大于规范值的两倍；
b）hm的相对变化，不得超过士40%；c）VBBs的相对变化，不得超过+30%；d）Vos的变化不得超过0.2V+Voms初·20%。5，说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a) IB-VBzt
b)Ia—Vons
c)BVoeO,BVoBO-TA;
d)hen-Ta,
e)hrn—las
f)f—lo,
g）Kp—Io,
h)Cob-Von,
I)IcEO,IoBO-TA。
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