【电子行业标准(SJ)】 3DG110型NPN硅外延平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG110型NPN硅平面高频
小功率三极管
SJ786-74
1、本标准适用于8DG110硅NPN平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139—70的B一1型。4、技术要求和试验万法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65~SJ170-65的规定。（2）hFE分档标志：
管顶色点
50~110
90~160
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a)反向电流，
b)饱和压降，
c)电流放大系数；
d)反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a)高温储存试验条件：按TjM为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ786-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值；电层VcB为10V。（5）商温储存租额定功率试验后，按下列标准考核：3)1cB0不得大于靓范值的读货；b）hF的期对变化，不得起过主35%，)VBES的对变化，不得超过+20%；d）VcES的变化不得超过0.1V+VcE初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cob的典型值。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a)iB-VBE
b)Ic--VcE;
C)BVcEO,BVCBO--TA;
d)hFE-TA;
e)hFE-Ic;
f)fT-Ic;
g)Kp-Ic,
h)Cob-VcB;
I)ICEO、IcBO-TA。
极限参数
SJ786-74
(mW）(mA)）
3DG110A
8DG110B
3DG110C
3DG110D
8DG110E
8DG110F
试验类别
3DG110型NPN硅
≥0.1≥0.141
平面三极管规范表
1ooμA
SJ786-74
VcB-10V
Ie-10mA
f-100MHz
VcB-10V
VcB-10V
IE-10mA
f-100MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG110型NPN硅面
高频小功率三极管
SJ786-74
（补充部份）
1、本标准适用于3DG110硅NPN平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和旅荡电路中。2、该产品除本际准规定外，应符合平导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
3，外型结构和尺寸应过合半导证三极管外形尺寸SJ139一70的B—1型。
4、技术要求和试验方方：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符部标准半导体三极管测试方法SJ155—65～SJ170--65的规定。（2）hz分档标志：
hpe范围
劝许测试误差为士10%。
80~120bzxZ.net
120~180
180~270
（8）环境试验后，按顺序测录下列电参数，a)、b)、d)三项应符合参数规范表的规范值，hFE的相对变化不得超过士20%。a）反向电流；
b）饱和压降，
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压、
（4）高温储存和额定功率试验条件：一九七七年三月实施
3DG110M
3DG110A
3DG110B
3DG110C
3DG110D
3DG110E
3DG110F
试验类别
极限参数
(mW)(mA)
SJ786-74
3DG110型NPN硅
平面三极管规范表
SJ786-74
VcB-10V
Ig=10mA
f=100mA
VcB=10V
VcB=10V
Ig-10mA
f=100MHz
SJ786-74
a）高温储存试验条件：按Tss为175℃下进行、b）额定功率试验条件：功率为Po值：电压VoB为10V（5）高温借存和领规功率试验后，按下列标准考核：a）Ieno不得大于规范催的两倍；b）hr的相对变化，不得超过士40%：c）VBE的相变化，不得超过+30%：d）VcEs的变化不得超过0.2V+Vcs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在品月录提供Kp、Cob的典型值。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a）I—Vne3
g)Ic-Vcn
c) BVcEO, BVcRO-TA:
P)FE—TA
o) hrn-—lo;
f)fr--Ic,
g)Kp-Iα;
I Cob—Von;
h)IcRo,Iono-Ta
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