【电子行业标准(SJ)】 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG180型NPN硅外延平面高频
小功率高反压三极管
SJ800-74
1、本标准适用于3DG180硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放人与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614—73的规定。
3、外型结构和尺寸应符合SJ139一70的B一8型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155-65~SJ170~65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定：hEr范围
管顶色
090~160
50~110
（8）环境试验后，按顺序测量下列电参数，应符合参数规范表的规范值。
a）反向电流；
b）饱和压降，
c）电流放大系数，
d）反向击穿电压。
（4）离温储存和频定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按TiM为175°C下进行一九七四年十月一日实施
SJ800-74
h）额定功率试验条件：功率为PCM值，电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBO不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过士35%；‘）VBES的相对变化，不得超过+20%，d）VCEs的变化不得超过0.1V+VcEs初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：R）IB-VBE
b)Ic-VcE
C)BVcEO、BVcBO--TA,
d)hFE-TA,
e)hFE-Ic。
BDG180A
8DG180B
3DG180C
3DG180D
3DG180E
3DG180F
8DG180G
3DG180H
BDG1801
8DG180J
8DG180K
3DG180L
3DG180M
3DG180N
试验类别
SJ800-74
3DG180型NPN硅外
VCB-30VVCE-30V. VEB-
Ic-100
IB-10mA
SJ800-74
延平面高反压三极管规范表
≥140
≥220
≥140
≥180
≥220
≥100
≥140
≥222
≥260
≥300
≥360
ic-100VcE-10VlIc-100 Ic-1mA/Ic-100IB-10mA/Ic-20mA/
IE-100
交流参数
≥100
VcB-10V
IE-20mA
f-30MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG180型NPN硅外延平面高频
小功率高反压三极管
SJ80074
（补充部份）
1、本标准适用于3DG180硅NPN外延平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高题放大与振落用2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281-76的规定。
3，外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ13970的B8型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155--65～SJ170～SJ65的规定。（2）hF不分档。
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a)、b)：d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过土20%。a）反向电流：
b）饱和压降，
c）电流放大系数；
d）反向击穿电压。
（4）商温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按Ti为175℃下进行。b）额定功率试验条件：功率为Pc值，电压Vce为30V.（5）高温储存和额定功率试验后按下列标准考核：a）IGo不得大于规范值的两倍；b）hrn的相对变化，不得超过士40%；c）VBEs的相对变化，不得超过+30%；一九七七年三月实施
3DG180A
3DG180B
3DG180C
3DG180D
DG180E
3DG180F
3DG180G
3DG180H
3DG1801
3DG180J
3DG180K
3DG180L
3DG180MbzxZ.net
3DG180N
试验类别
极限参数
SJ:800-74
3DG180型NPN硅外
VcR-30V VeK=30V /VER-
IB-10mA
延平面高反压三极管规范表
≥100
Ic=100A
SJ800-74
≥140
≥300
Ic=1mA
Ic=100μA
交流参数
VeB=10V
[x-20mA
f=30MHz
SJ800-74
d）Vczs的变化不得超去0.2V+VcEs初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准.（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全i.作（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a）IB—VBE;
b) IgVo;
c）BVogo、BVoBo-Ta
d)hFE-Ta,
e)hFE—lo.
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