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- SJ 2355.4-1983 半导体发光器件测试方法 结电容的测试方法
标准号:
SJ 2355.4-1983
标准名称:
半导体发光器件测试方法 结电容的测试方法
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1983-08-15 -
实施日期:
1984-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
35.79 KB
部分标准内容:
中华人民共和国电子工业部部标准半导体发光器件测试方法
结电容的测试方法
本标准适用于发光二极管、数码管、符号管结电容的测试。SJ2355.4-83
1测试结电容总的要求应符合SJ2355.1-83《半导体发光器件测试方法总则》。
2结电容C。的测试
2.1定义
在零偏压下,被测单元的电容值。2.2结电容的测试电原理图应符合下图。振荡器
选频放大器
2.3测试步骤
鉴频器
指示器
调节零位,调节频率至规定频率,放上被测管,在指示器上显示出来的读数即为该管的结电容值。中华人民共和国电子工业部1983-08-15发布1免费标准下载网bzxz
1984-07-01实施
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
结电容的测试方法
本标准适用于发光二极管、数码管、符号管结电容的测试。SJ2355.4-83
1测试结电容总的要求应符合SJ2355.1-83《半导体发光器件测试方法总则》。
2结电容C。的测试
2.1定义
在零偏压下,被测单元的电容值。2.2结电容的测试电原理图应符合下图。振荡器
选频放大器
2.3测试步骤
鉴频器
指示器
调节零位,调节频率至规定频率,放上被测管,在指示器上显示出来的读数即为该管的结电容值。中华人民共和国电子工业部1983-08-15发布1免费标准下载网bzxz
1984-07-01实施
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标准图片预览:

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