【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ３４７型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准SJ2356-83
PNP硅低频大功率三极管
1983-08-19发布
中华人民共和国电子工业部
1984-03-01实施
中华人民共和国电子工业部部标准3CD347型
PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2356—83
1本标适用于耗散功率为1.5W的3CD347型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(sus）———集电极一发射极（基极开路时）的维持电压：一集电极一发射极（基极一发射极接电阻时)的维持电压。VCER(Su)
3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139-78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300~314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VCBO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcB0、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求，其中VCBO、VCEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍；饱和压降VcE(sar不超过规范值的1.2倍：电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a。安全工作区（包括直流、脉冲宽度tw为s、100ms、10ms，1ms等）曲线，热循环特性曲线：
PcM一Tc的关系曲线，
hFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时），IB-VBE的关系曲线；
Ic—Vce的关系曲线（Tc为25C时），f.
g．Ic—Vh的关系曲线。
83CD347型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
Pcm(Tc=25℃)
SJ2356--83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），-40～+125（塑料封装）注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Tc=100℃)
VeeRAn
(R=50Q）
(Te=-55℃)
Vaesan
(fo=iMHz）
tw-1s或直流
Ramje（塑料封装）
试验条件
测试条件
VcE=0.9VeeO下载标准就来标准下载网
To=75℃（塑料封装）
15~30，25~50，40~80，70~140,120~240,
VCE--10V
Ic--0.075A
VcE=-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的VcE选在Pca线与Ps/a线的交点处，Vee×Is/B>Pem。②B档以上的器件第二个测试点的VcE>0.9VcE0，此点不应发生二次击穿。3
Ic=-0.038A
3CD347
S-6型塑
料封装
2856—83
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