【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ１５７、３ＣＤ１５８、３ＣＤ３５７型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD157型、3CD158型、3CD357型PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2361—83
1本标准适用于耗散功率为45W的3CD157型、3CD158型、3CD357型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VCEO(ms)
集电极一发射极（基极开路时）的维持电压，VCERSuS)
集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBo、VcEo不许降档，电流放大系数hpE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBo、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求，其中VCBO、VcEO不许降档；反向电流IcEo不超过规范值的2倍；饱和压降VcE(a不超过规范值的1.2倍，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。此内容来自标准下载网
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：安全工作区（包括直流、脉冲宽度1w为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线，a.
热循环特性曲线：
Pcm-Tc的关系曲线：
d．hFE—Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时），IB-VBE的关系曲线：
f．IcVcE的关系曲线（Tc为25℃时），g．Ic-VBE的关系曲线。
83CD157型、3CD158型、3CD357型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
PcM（Tc=25℃)
2361-83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），-40~+125（塑料封装）注：Icm为hFE=5时的集电极直流电流。..2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Te=100r)
(R=50Q)
(Te#-55℃)
Veeuet
VeEuers
(Jo=1MHz)
1w=15或直流
Ruaixc（金属封装）
R.ag（型料封装）
试验条件
测试条件
Veg=0.9Vcmo
Te=75℃（金属封装）
Te=75c（塑料封装）
15~30,25~50,
4080，70~140，120~240，
Vce=-10V
VeE--10V
Vce=20V
VeE20V
1c=-1.35A
注，①B档以上的器件第一个测试点的Vce选在Pcm线与Ps/B线的交点处，Vce×Is/a>PcM②B档以上的器件第二个测试点的VcE>0.9Vezo，此点不应发生二次击穿。min
3CD157
F-2型
铜底座、
3CD158
F-2型
铁底座、
3CD357
S-7型
塑料封装
2361-83
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