【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ１６２、３ＣＤ３６２型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD162型、3CD362型
PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2363-83
1本标准适用于耗散功率为100W的3CD162型、3CD362型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的电参数符号一般符合SJ1400-78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VCEO（sus）——集电极一发射极（基极开路时）的维持电压；VCER(sus）—集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准13.1和13.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度TC为25C时为准。5例行试验抽样方法按SJ614一73《半导体三极管总技术条件》第17条规定。6环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准13.1条的规定。其中VCBO、VCEO不许降档；电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7环境试验后不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。不合格时应进行双倍试验。双倍试验应进行全部项目。双倍试验后，不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。8功率试验和高温贮存试验的试验时间均为120小时。功率试验和高温购存试验后，三极管应符合本标准13.1和13.2条的规定。集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求，其中VCBO、VCEO不许降档，反向电流IcEO不超过规范值的2倍；饱和压降VcE(san)不超过规范值的1.2倍；电流放大系数hFE的相对变化不超过±35%。
9功率试验后，全部三极管都符合第8章的规定，则为合格。若有1只三极管不符合该章规定，则将试验时间延长到240小时。240小时试验后，不符合第8章规定的三极管数量累计不超过1只为合格。不合格时应进行双倍试验，双倍试验120小时后，全部三极管符合第8章规定则为合格。若有1只三极管不符合该章规定，则将试验延长到240小时，不符合第8章规定的三极管累计不超过1只为合格，否则双倍试验为不合格。
10高温贮存试验后，不符合第8章规定的三极管不超过1只，则为合格。若有2只二极管不符合第8章规定，则将试验延长到240小时，240小时后，不符合该章规定的三极管累计不超过2只为合格。不合格时，应进行双倍试验。双倍试验120小时后，不符合第8章规定的三极管不超过1只为合格。11双倍试验不合格时，按SJ614一73《半导体=极管总技术条件》第23条规定执行。12生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a.安全工作区（包括直流、脉冲宽度tw为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线；b.热循环特性曲线；
c.PcM-Tc的关系曲线；
d.hFE-Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；e.IB—VBE的关系曲线；
fTc-VcE的关系曲线（Tc为25℃时)；中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
SJ2363-83
g．Ic-VBE的关系曲线。wwW.bzxz.Net
133CD162型、3CD362型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。13.1三极管的最大极限值见表1。表1
Pcm(Tc=25℃)
150（金属封装），125（塑料封装）-55～+150（金属封装），-40~+125（塑料封装）注：Icm为hFE=5时的集电极直流电流。13.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Te=100℃)
Veeaun
(R50Q)
(Te--55℃)
Vcetah
Vgtaen
(fe=1MHz)
11s或直流
Rrare(金属封装）
试验条件
两试条件
Vcg=0.9Vck0
Te=75c（金属封装）
15~30，25~50，40~80，70~140,120~240,>240
VcE--10V
IC=-6A
VCE=-20V
往：①B档以上的器件第一个洲试点的VcE选在Pca线与Ps/a线的交点处，Vce×Is/a>Pcm。②B档以上的器件第二个测试点的VCE>0.9VCEO，此点不应发生二次击穿。-1.5
3CD162
F-2型
铜底座、
3CD362
F-2型
铁熊座
2363-83
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