【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ２４９、３ＣＤ２５０、３ＣＤ４４９型ＰＮＰ硅高压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD249型、3CD250型、3CD449型PNP硅高压低频大功率三极管
SJ2367-83
1本标准适用于耗散功率为5W的3CD249型、3CD250型、3CD449型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的高压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(sus)——集电极一发射极（基极开路时）的维持电压VcER(sus）集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314--72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VeBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档：电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBo应符合要求，其中VcBO、VcEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE(san)不超过规范值的1.2倍；电流放大系数hrE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线a.
b.热循环特性曲线：
PcM一Tc的关系曲线：
hFE一Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；d.
I—VBE的关系曲线；
f.Ic一VcE的关系曲线（Tc为25℃时）；gIc—VBE的关系曲线。
83CD249型、3CD250型、3CD449型PNP硅高压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
PcM（T=25℃）
SJ2367-83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），
-40~+125（塑料封装）
注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计最单位
(Tc-100)
VcERtn
(R=502）
(Te=-56℃)
(fo=IMHz）
tw-1s或直流
Ree（金属封装）
R（塑料封装）
试验条件
测试条件
Veg=0.9Vce0
Tc=75℃（金属装）
Te=75℃（型料封装）
15~30,25~50,40~80,70~140120~240,>240-1.2
VeE=-20V
VCE=-20V
Ic=-0.15AbzxZ.net
Ic=-0.125A
①B档以上的器件第一个测试点的VcE选在Pcm线与Ps/a线的交点处，Veg×Is/B>PcM。注：
②B档以上的器件第二个测试点的Vcg>0.9VceO，此点不应发生二次击穿。-1.2
3CD249
F-1型
铜底座、
3CD250
F-1型
铁底座、
3CD449
S-6型
塑料封装
2367-83
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