【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ１５３、３ＣＤ１５４、３ＣＤ３５３型ＰＮＰ硅低压低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD153型、3CD154型3CD353型
PNP硅低压低频天功率三极管
SJ2359-83
1本标准适用于耗散功率为15W的3CD153型、3CD154型、3CD353型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(su)
集电极一发射极（基极开路时）的维持电压：VcER(su)-—集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcFo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。下载标准就来标准下载网
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB0集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VeBo应符合要求，其中VcBO、VcEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍：饱和压降VcE（sa)不超过规范值的1.2倍，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a：安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线：b.
热循环特性曲线；
PcM一Tc的关系曲线
d.hFE—Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃C时），IB-VBE的关系曲线；
f.Ic—Vce的关系曲线（Tc为25℃时)；Ic-VE的关系曲线。
83CD153型、3CD154型、3CD353型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
PcM(Tc=25℃)
SJ2359—83
150（金属封装），125（塑料封装）55～+150（金属封装），
注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
-40~+125（塑料封装）
计量单位
(Te=100℃)
Vezoans
(Tc=-55℃)
VeE(t）
(fo=iMHz)
1w=1s成直流
R（金鼠封装）
R）r（塑料封装）
试验条件
测试条件
Veg=0.9Veeo
Te=75℃（金属封装）
Te=75C塑料封装）
25~50，40~80，70~140,
15~30,
Vce=-10V
Vce=-20V
VcE=-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的Vce选在Pcm线与PsB线的交点处，Vcg×/s:B>PeM。②B档以上的器件第二个测试点的VCE>0.9VCEO，此点不应发生二次击穿。D
Ic=-0.45A
Ic*-0.38A
3CD153
F-1型
钢底座、
3CD154
F-1型
铁底座、
3CD353
S-7型
型料封装
2359-83
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