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- YS/T 24-2016外延钉缺陷的检验方法
- 标准号: - YS/T 24-2016
- 标准名称: - 外延钉缺陷的检验方法
- 标准类别: - 其他行业标准
- 英文名称: Test methods for spike of epitaxial layers
- 标准状态: 现行
- 
          	发布日期: 2016-04-05
- 
		 实施日期: 2016-09-01
- 出版语种: 简体中文
- 下载格式: .pdf .zip
- 标准ICS号: 冶金>>77.040金属材料试验
- 中标分类号: 冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
- 替代情况: 替代YS/T 24-1992
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标准简介:
					本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。
本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4μm的钉缺陷。如果钉缺陷比较少且彼此不相连,本标准可用于钉缺陷的计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。
 标准内容
标准内容部分标准内容:
					
					ICS77.040
中华人民共和国有色金属行业标准YS/T24—2016
代替YS/T24—1992
外延钉缺陷的检验方法
Test methods for spike of epitaxial layers2016-04-05发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2016-09-01实施
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草YS/T 24—2016
本标准代替YS/T24一1992《外延钉缺陷的检验方法》。与YS/T24一1992相比,本标准主要变化如下:
增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”;增加了“方法2无损测试”。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司。本标准主要起草人:马林宝、杨帆、孙燕、徐新华。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:YS/T24—1992。
1范围
外延钉缺陷的检验方法
本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。YS/T 24—2016
本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4um的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼此不相连,可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件,3.1
钉缺陷spikes
外延生长过程中形成的表面突起物,通常是由于衬底表面颗粒导致外延后的硅突起物,4方法1有损测试
4.1方法提要
有损测试是将一片聚酯塑料薄膜沿三个不同方向推过试验表面,在两个或两个以上方向碰到的表面突起物被判定为钉缺陷。
4.2材料
4.2.1真空吸片装置或镊子。
4.2.2聚酯塑料薄膜,厚度为25μm,面积为50mm×50mm。4.3测试步骤
用真空吸片装置吸住试样背面,或用镊子夹持住试样,对于仲裁检测,也可将试验外延面朝上置于清洁表面上。
4.3.2拇指和食指夹住聚酯塑料薄膜,使薄膜在拇指下延伸约25mm,并与试样表面成45°倾斜。4.3.3在主参考面对面,将聚酯塑料薄膜与试样接触,如图1所示。1
YS/T24—2016
聚酯塑料薄膜
薄膜移动方向
图1试样和聚酯塑料薄膜放置方向4.3.4推动聚酯塑料薄膜至主参考面,即图2中方向1。使聚酯塑料薄膜重复做一系列平行且互相叠加的移动。4.3.5
4.3.6记下聚酯塑料薄膜与突起物相碰的每一个位置。4.3.7对其余两个方向(图2中方向2和方向3)重复4.3.5~4.3.6。三个方向大致互成120°角。4.3.8在两个或两个以上方向上,聚酯塑料薄膜与试样表面突起物相碰的每一个位置,作为一个钉缺陷。
注:必要时,可用显微镜检查钉缺陷的存在及位置4.4精密度
本方法对单个实验室精密度为士5%,对多个实验室精密度为士10%。图2移动方向
5方法2无损测试
5.1方法提要
无损测试采用光散射方法逐行扫描硅外延片表面,测量硅外延片表面的突起物。本方法采用表面颗粒测试仪器。
5.2仪器
表面颗粒测试仪器通常由激光系统、扫描系统、检测系统、晶片运动系统以及软件系统等组成5.3
3干扰因素
5.3.1部分系列的表面颗粒测试仪器由于是直射法,受仪器工作原理限制,部分型号仪器可以测量硅片表面异物,但是不能区别形貌,测试结果包括凹坑数量。这种情况下可将硅外延片在点光源下进行目检区分,大粒径的钉缺陷能被有效识别。2
5.3.2未清洗的硅外延片测试结果会受到表面大颗粒的影响。5.4测试环境
在测试仪器允许的洁净环境内测试,温湿度按照洁净级别相应的温湿度执行5.5试样
硅外延片应具有清洁、干燥的表面,必要时,测试之前需对硅外延片进行清洗。5.6
5测试步骤
YS/T 24—2016
选取待测硅外延片,正面朝上放人专用测试片架中,然后置于测试仪器待测硅片位置。5.6.1
2启动测试仪器,设置扫描下限为4μm。5.6.2
5.6.3测试仪自动对硅片进行表面扫描。输出图形,获得数量和分布等测试结果。5.6.4车
5记录粒径为4um以上的颗粒数量,即为硅外延片表面的钉缺陷数量,5.7
精密度
本方法单个实验室测试重复性为8%,对三个实验室测试再现性为11%。5.8bzxZ.net
3试验报告
方法1和方法2的试验报告应包括下列内容:产品类型;
b)样品编号;
c)有钉缺陷试样数与被检试样数;d)本标准编号;
e)检验单位、检验者和检验日期;f
仲裁检验应包括标有钉缺陷大致位置的试样形貌图。YS/T24-2016
中华人民共和国有色金属
行业标准
外延钉缺陷的检验方法
YS/T24—2016
中国标准出版社出版发行
北京市朝阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号(100045)网址:www.spc.org.cn
服务热线:400-168-0010
2017年7月第一版
书号:155066·2-31781
版权专有
侵权必究
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	      中华人民共和国有色金属行业标准YS/T24—2016
代替YS/T24—1992
外延钉缺陷的检验方法
Test methods for spike of epitaxial layers2016-04-05发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2016-09-01实施
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草YS/T 24—2016
本标准代替YS/T24一1992《外延钉缺陷的检验方法》。与YS/T24一1992相比,本标准主要变化如下:
增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”;增加了“方法2无损测试”。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司。本标准主要起草人:马林宝、杨帆、孙燕、徐新华。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:YS/T24—1992。
1范围
外延钉缺陷的检验方法
本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。YS/T 24—2016
本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4um的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼此不相连,可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件,3.1
钉缺陷spikes
外延生长过程中形成的表面突起物,通常是由于衬底表面颗粒导致外延后的硅突起物,4方法1有损测试
4.1方法提要
有损测试是将一片聚酯塑料薄膜沿三个不同方向推过试验表面,在两个或两个以上方向碰到的表面突起物被判定为钉缺陷。
4.2材料
4.2.1真空吸片装置或镊子。
4.2.2聚酯塑料薄膜,厚度为25μm,面积为50mm×50mm。4.3测试步骤
用真空吸片装置吸住试样背面,或用镊子夹持住试样,对于仲裁检测,也可将试验外延面朝上置于清洁表面上。
4.3.2拇指和食指夹住聚酯塑料薄膜,使薄膜在拇指下延伸约25mm,并与试样表面成45°倾斜。4.3.3在主参考面对面,将聚酯塑料薄膜与试样接触,如图1所示。1
YS/T24—2016
聚酯塑料薄膜
薄膜移动方向
图1试样和聚酯塑料薄膜放置方向4.3.4推动聚酯塑料薄膜至主参考面,即图2中方向1。使聚酯塑料薄膜重复做一系列平行且互相叠加的移动。4.3.5
4.3.6记下聚酯塑料薄膜与突起物相碰的每一个位置。4.3.7对其余两个方向(图2中方向2和方向3)重复4.3.5~4.3.6。三个方向大致互成120°角。4.3.8在两个或两个以上方向上,聚酯塑料薄膜与试样表面突起物相碰的每一个位置,作为一个钉缺陷。
注:必要时,可用显微镜检查钉缺陷的存在及位置4.4精密度
本方法对单个实验室精密度为士5%,对多个实验室精密度为士10%。图2移动方向
5方法2无损测试
5.1方法提要
无损测试采用光散射方法逐行扫描硅外延片表面,测量硅外延片表面的突起物。本方法采用表面颗粒测试仪器。
5.2仪器
表面颗粒测试仪器通常由激光系统、扫描系统、检测系统、晶片运动系统以及软件系统等组成5.3
3干扰因素
5.3.1部分系列的表面颗粒测试仪器由于是直射法,受仪器工作原理限制,部分型号仪器可以测量硅片表面异物,但是不能区别形貌,测试结果包括凹坑数量。这种情况下可将硅外延片在点光源下进行目检区分,大粒径的钉缺陷能被有效识别。2
5.3.2未清洗的硅外延片测试结果会受到表面大颗粒的影响。5.4测试环境
在测试仪器允许的洁净环境内测试,温湿度按照洁净级别相应的温湿度执行5.5试样
硅外延片应具有清洁、干燥的表面,必要时,测试之前需对硅外延片进行清洗。5.6
5测试步骤
YS/T 24—2016
选取待测硅外延片,正面朝上放人专用测试片架中,然后置于测试仪器待测硅片位置。5.6.1
2启动测试仪器,设置扫描下限为4μm。5.6.2
5.6.3测试仪自动对硅片进行表面扫描。输出图形,获得数量和分布等测试结果。5.6.4车
5记录粒径为4um以上的颗粒数量,即为硅外延片表面的钉缺陷数量,5.7
精密度
本方法单个实验室测试重复性为8%,对三个实验室测试再现性为11%。5.8bzxZ.net
3试验报告
方法1和方法2的试验报告应包括下列内容:产品类型;
b)样品编号;
c)有钉缺陷试样数与被检试样数;d)本标准编号;
e)检验单位、检验者和检验日期;f
仲裁检验应包括标有钉缺陷大致位置的试样形貌图。YS/T24-2016
中华人民共和国有色金属
行业标准
外延钉缺陷的检验方法
YS/T24—2016
中国标准出版社出版发行
北京市朝阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号(100045)网址:www.spc.org.cn
服务热线:400-168-0010
2017年7月第一版
书号:155066·2-31781
版权专有
侵权必究
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