【其他行业标准】 硅抛光回收片

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中华人民共和国有色金属行业标准YS/T985--2014
硅抛光回收片
Polishedreclaimed siliconwafers2014-10-14发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2015-04-01实施
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。YS/T985—2014
本标准修改采用SEMIM38-0307《硅抛光回收片规范》，本标准与SEMIM38-0307相比存在技术性差异，这些差异涉及的条款已通过在其外侧页边空白位置的垂直单线（I）进行了标识。内容与SEMIM38-0307的主要差别在于：仅采用了SEMIM38-0307中关于100mm，125mm、150mm和200mm硅抛光回收片的内容，删除了原标准中关于50.8mm、76.2mm和300mm直径的硅抛光回收片内容（包括附录1和附录2。
一将SEMIM38-0307中表1和表2中关于100mm、125mm，150mm和200mm硅抛光回收片的规范合并，形成本标准中的表1。根据我国标准编写的习惯进行排版，并将技术要求表格提前。本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)归口。本标准负责起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。本标准参加起草单位：有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司。本标准主要起草人：何良恩、刘丹、许峰、张海英、孙燕、曹孜、王飞尧、楼春兰、徐新华。H
1范围
硅抛光回收片
YS/T985—2014
本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片（主要包括100mm、125mm、150mm和200mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片）经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外，使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1550
GB/T1554
GB/T1555
GB/T1557
GB/T1558
非本征半导体材料导电类型测试方法硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法半导体单晶晶向测定方法
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法GB/T2828.1
GB/T4058
GB/T6616
GB/T6618
GB/T6619
GB/T6620
GB/T6621
GB/T6624
GB/T11073
GB/T12962
GB/T12964
GB/T13387
GB/T13388
GB/T14140
GB/T14144
GB/T14264
GB/T14844
GB/T19921
GB/T19922
GB/T24575
计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法硅片厚度和总厚度变化测试方法硅片弯曲度测试方法
硅片翘曲度非接触式测试方法
硅片表面平整度测试方法
硅抛光片表面质量日测检验方法硅片径向电阻率变化的测量方法硅单晶
硅单晶抛光片
硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法硅片参考面结晶学取向X射线测试方法硅片直径测量方法
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法半导体材料术语
半导体材料牌号表示方法
硅抛光片表面颗粒测试方法
硅抛光片局部平整度非接触式检测方法硅和硅外延片表面Na、A1、K和Fe的二次离子质谱测试方法1
YS/T985—2014
GB/T24578
GB/T26066
GB/T26067
GB/T26068
GB/T29505
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法硅晶片上浅腐蚀坑检测的方法
硅片切口尺寸测试方法
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光导衰减测试方法硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法YS/T26硅片边缘轮廊检验方法
SEMIMF1451
全自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法（Testmethodformeasuringsorionsilicon wafers by automated non-contact scanning)3
术语和定义
GB/T12964中定义的相关术语适用于本文件。其他相关的一些术语定义在GB/T14264中。要求
产品分类
硅抛光回收片按应用分为机械用、炉处理用、颗粒用和光刻用的监控片。牌号
硅抛光回收片的牌号表示应符合GB/T14844的规定。技术要求
100mm、125mm、150mm和200mm硅抛光回收片的技术要求应符合表1的规定。表1
一般特性
生长方法
导电类型
掺杂剂
对合格质量区的标称边缘去除距离电学特性
电阻率
径向电阻率变化(RRG)
电阻率条纹
少数载流子寿命
化学特性
氧含量
机械用
未规定
未规定
炉处理用
颗粒用
按供货方
按供货方
按供货方
按供货方
客户规定
客户规定
未规定
未规定
未规定
按供货方
未规定
光刻用
结构特性
氧含量径向变化
碳含量
位错蚀坑密度
系属结构
浅蚀坑
氧化层错（OSF)
氧化物沉淀
品片制备特性
晶片ID标志
正表面薄膜
洁净区
非本征吸除
机械特性
主参考面/切口尺寸
主参考面/切口取向
副参考面尺寸（如果需要）
副参考面位置（如果需要）
边缘轮廊
总厚度变化（TTV）
表1(续）
机械用
未规定
未规定
晶体完整性
未规定
未规定
未规定
氧化诱生缺陷
未规定
未规定
未规定
炉处理用
按供货方
按供货方
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
颗粒用
客户规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
100mm±0.5mm
125mm±0.5mm
150mm±0.5mm
200mm±0.5mm
按供货方
按供货方
按供货方
按供货方
未规定
YS/T985—2014
光刻用
未规定
未规定
100mm：432μm~675μm
125mm：533μm~675μm
150mm：533μm~725μm
200mm：600μm~775μm
未规定
YS/T985—2014
弯曲度
翘曲度
峰-谷差
总平整度
局部平整度
正表面金属沾污
正表面质量
条数（对100mm和125mm）
划伤累计长度（对100mm和125mm）重划伤（对150mm和200mm）总长度轻微划伤（对150mm和200mm）总长度坑
对100mm和125mm
对150mm和200mm
区域沾污
火山口
表1(续）
机械用
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
炉处理用
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
客户规定
客户规定
客户规定
客户规定
客户规定
客户规定
客户规定
客户规定
颗粒用
≤2条
光刻用
客户规定
客户规定
客户规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
≤20mm
≤0.10×直径
未规定
未规定
局部光散射体
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
客户规定
客户规定
<0.19/cm2（@≥客户规格尺寸）≤0.20/cm（@≥0.2μm）
背表面质量
粗糙度
局部光散射体
条数（对100mm和125mm）
划伤累计长度（对100mm和125mm）重划伤总长度
轻微划伤总长度
其他特性
边缘状况
表1(续）
机械用
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
炉处理用
颗粒用
客户规定
YS/T985—2014
光刻用
客户规定
客户规定
客户规定
≤0.25×直径
未规定
未规定
客户规定
180nm设计尺寸用200mm硅抛光回收片的技术要求应符合表2的规定。表2
一般特性
生长方法
导电类型
掺杂剂
对合格质量区的标称边缘去除距离电学特性
电阻率
径向电阻率变化(RRG)
少数载流子寿命
化学特性
氧含量
氧含量径向变化
电阻率条纹
碳含量
结构特性
180nm用200mm硅抛光回收片
直拉法或磁场直拉法
未规定
0.50..cm~50.0Q.cm
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
YS/T985--2014
晶片制备特性
机械特性
位错蚀坑密度
系属结构
浅蚀坑
氧化层错（OSF）
氧化物沉淀
晶片ID标志
正表面薄膜
洁净区
非本征吸除
主参考面/切口尺寸
主参考面/切口取向
总厚度变化（TTV)
弯曲度
峰-谷差
局部平整度
正表面金属沾污
表2（续）
晶体完整性
氧化诱生缺陷
180nm用200mm硅抛光回收片
未规定
未规定
未规定
未规定
未规定
客户规定
200mm±0.2mm
参照GB/T12964
参照GB/T12964
>650μm
≤10μm
客户规定
未规定
未规定
<1×10uatoms/cm
<1X10atoms/cm
<1×10atoms/cm2
<1x10\atoms/cm
<1×10\atoms/cm
<1X10llatoms/cm
<1×1011atoms/cem
<1×10atoms/cm?
正表面质量
背表面质量
其他特性
检验方法
重划伤总长度
轻微划伤总长度
局部光散射体
区域沾污
火山口
粗糙度
局部光散射体
重划伤总长度
轻微划伤总长度
边缘状况
品向的测试按GB/T1555的规定进行。表2(续）
导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。电阻率的测试按GB/T6616的规定进行。径向电阻率变化的测试按GB/T11073的规定进行。少数载流子寿命的测试按GB/T26068的规定进行。YS/T985—2014
180nm用200mm硅抛光回收片
≤20mm
《0.20/cm（@≥0.20μm）
未规定
未规定
≤50mm
未规定
已抛光
未规定
YS/T985—2014
间隙氧含量的测定按GB/T1557的规定进行。间隙氧含量径向变化的测定按GB/T14144的规定进行。5.7
碳含量的测定按GB/T1558的规定进行。氧化诱生缺陷的测试按GB/T4058的规定进行。5.9
表面浅蚀坑测量按GB/T26066的规定进行。晶体完整性应符合GB/T12962的规定，检验按GB/T1554的规定进行。5.11
直径测量按GB/T14140的规定进行。5.13
主参考面切口尺寸的测量按GB/T26067的规定进行。主参考面切口取向测量按GB/T13388的规定进行。5.14
副参考面长度测量按GB/T13387的规定进行。边缘轮廊检验方法按YS/T26进行厚度和总厚度变化测量按GB/T6618的规定进行。弯曲度测量按GB/T6619的规定进行。翘曲度测量按GB/T6620的规定进行。5.19
蜂-谷差测量按SEMIMF1451的规定进行平整度测量按GB/T6621或GB/T19922的规定进行。表面金属沾污按GB/T24578或GB/T24575的规定进行，对于P型抛光片也可采用光电压法测量铁杂质含量。其他可利用的更灵敏的方法由供需双方商定。5.23表面质量目视检验参照GB/T6624的规定进行。5.24表面粗糙度测量按GB/T29505的规定进行。5.25
局部光散射体测量按GB/T19921的规定进行。6检验规则
检查和验收
6.1.1每批产品由供方质量监督部门进行检验，确保产品质符合本标准规定，并填写产品质量证明书。
6.1.2需方可对收到的产品进行检验，若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2组批
硅抛光回收片以批的形式提交验收，每批应由同一牌号、相同规格的硅抛光回收片组成。6.3检验项目
6.3.1每批硅抛光回收片抽检的项目：晶向，导电类型，电阻率，径向电阻率变化，氧含量，碳含量，直径，主参考面/切口尺寸，主参考面/切口取向，副参考面尺寸，副参考面位置，厚度，总厚度变化，弯曲度，翘曲度，总平整度，表面质量，氧化层错等。6.3.2其他项目如需检验，由供需双方协商确定。6.4检验结果的判定
6.4.1每批产品如属非破坏性测量的项目，即按GB/T2828.1一般检验水平Ⅱ、正常检验一次抽样方8
案进行，接收质量限（AQL)由供需双方协商决定。YS/T985-—2014
6.4.2如属破坏性测量的项目，即采用GB/T2828.1特殊检验水平S-2、正常检验一次抽样方案进行，接收质量限（AQL）由供需双方协商决定。7
标志、包装、运输、贴存和质量证明书7.1标志
包装箱外应标有“小心轻放”、“防腐”、“防潮”字样或标志，并注明：需方名称；
产品名称、牌号；
产品件数、盒数；
供方名称。
硅抛光回收片用相应规格的盒子包装，然后将盒子装人包装箱。包装应采取防破碎、防损伤、防沾污等措施。特殊的包装要求由供需双方商定。7.3
运输、购存
产品在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛挪，且应采取防震、防潮措施。7.3.2
产品应贮存在清洁、干燥环境中。质量证明书
每批产品应附有质量证明书，其上注明：供方名称，
产品名称及规格、牌号；
产品批号；
产品片数（盒数）；
各项检验结果及检验部门印记；本标准编号；
出厂日期。
订货单(或合同)内容
订购本标准所列产品的订货单（或合同）应包括以下内容：a）本标准编号；
b）产品名称；
产品批号；
数量；
生长方法；
直径：
晶向；
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