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- YS/T 1105-2016半导体封装用键合银丝
标准号:
YS/T 1105-2016
标准名称:
半导体封装用键合银丝
标准类别:
有色金属行业标准(YS)
英文名称:
Silver bonding wire for semiconductor package标准状态:
已作废-
发布日期:
2016-04-05 -
实施日期:
2016-09-01 -
作废日期:
2025-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.pdf .zip下载大小:
2.17 MB
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标准ICS号:
冶金>>有色金属产品>>77.150.99其他有色金属产品中标分类号:
冶金>>有色金属及其合金产品>>H68贵金属及其合金
替代情况:
被YS/T 1105-2024代替
点击下载
标准简介:
本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存质量证明书、订货单(或合同)等内容。
本标准适用于半导体封装用键合银丝。
部分标准内容:
ICS 77.150.99
H68
YS
中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T1105—2016
半导体封装用键合银丝
Silver bonding wire for semiconductor package
2016-04-05发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2016-09-01实施
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:烟台一诺电子材料有限公司、北京达博有色金属焊料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、山东科大鼎新电子科技有限公司。
本标准主要起草人:林良、向翠华、向磊、苗海川、臧晓丹、苗洪远、闫茹、李天祥、周晓光、刘洁。
1 范围
本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝(以下简称银丝)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、质量证明书及订货单(或合同)等内容。
本标准适用于半导体封装用键合银丝。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1423 贵金属及其合金密度的测试方法
GB/T8750—2014 半导体封装用键合金丝
GB/T10573 有色金属细丝拉伸试验方法
GB/T11067(所有部分)银化学分析方法
GB/T15072(所有部分)贵金属合金化学分析方法
GB/T15077 贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法
3 要求
3.1 产品分类
3.1.1 种类、型号、牌号、状态和规格
银丝按化学成分分为普通银丝和合金银丝两大类。普通银丝为Ag含量≥99%的银丝(CS),合金银丝根据合金元素及含量不同分为AS1、AS2、AS3和AS4等型号。银丝的种类、型号、状态和直径应符合表1规定。
表1 种类、型号、牌号和直径
普通银丝:CS,牌号Ag99,半硬态
合金银丝:
AS1:Ag88AuPd
AS2:Ag92AuPd
AS3:Ag95PdAu
AS4:Ag97PdAu
直径范围:0.018 mm、0.020 mm、0.023 mm、0.025 mm、0.028 mm、0.030 mm、0.032 mm、0.033 mm、0.035 mm、0.038 mm、0.040 mm、0.045 mm、0.050 mm
注:可根据需方要求增加其他直径规格。
3.1.2 标记示例
每轴银丝标记按产品名称、标准编号、牌号、状态及尺寸规格顺序表示。
示例:直径0.025 mm、长度500 m、CS型号、牌号Ag99的银丝标记为:键合银丝 YS/T1105 Ag99 φ0.025×500m。
3.2 化学成分
银丝化学成分应符合表2规定。
普通银丝Ag≥99%;合金银丝中主要含Ag、Au、Pd等元素,其中Au含量约0.15%~7.5%,Pd含量约0.5%~6.0%,不同型号对应不同配比范围。
杂质元素包括但不限于Cu、Pb、Fe、Sb、Se、Te、Bi等。
3.3 尺寸偏差
3.3.1 直径及允许偏差
银丝直径以微米或英制单位标记时需注明单位,毫米单位可不标注单位。
3.3.2 长度偏差
单轴长度为500 m或其整数倍,允许偏差≤-1%。
3.4 力学性能
银丝的最小拉断力及伸长率应符合标准表3规定(原表内容在OCR中部分缺失)。
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标准图片预览:





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