【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ＣＳ０５３０、ＣＳ０５３１型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
ST50033.53-94
半导体分立器件
CS0530、CS0531型砷化镓微波
功率场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type CSd53d and CS0531 GaAsmicrowave Power field effect transistor1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件
CS0530、CS0531型砷化微波功率场效应晶体管详细规范
Semiconducfor discrele deviceDetail specificationfar EypeCs0530andl Cs0531GaAsnicrnwave Power field effect transistor1范围
1.1主题内容
SJ 50033.53—94
本规范规定了CSU530、CS0531型碘化微波功率场效应晶体管(以下简称器件>的详细娶求。
1-2适用范圈
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33半导体分立器件总规范1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级.分别用字母GP，GT和GCT表示，2引用文件
GB4585-84场效应晶体管测试方法GJB 33-85
半导体分立器件总规范
GJB12886半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定，3.2、设计、结构和外形尺寸
器件的设计，结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐，表面涂层应为金。3.2.2外形尺寸
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
YrKAOKAca
外形尺寸见图1。
最小值
SJ 50033. 53-- 94
最大值
3.3最大额定值和主要电特性
3.3-1 最大额定值
图［外形图
最小值
最大值
CS0530
CS0531
Tc=25℃
SJ 50033. 53-94
注：1)Tc>25C时，按15.2mW/C线性降额，3.3.2主要电特性(r,=25℃)
CS0530
CS0531
CS0535
C50531
V =3V,
Yes=oV,
最小值
最大值
Pret=1.6W
如热时间
最小值
3.4测试要求
最大值
Vestutny
Yrs=3V,
Ig30mA
最小值
最大值bzxZ.net
Vm--GV,
VGs-oV,
最小假
-55~175
IgU. 5Ices
最人值
最小值
Geiday
Vcs --8-10V,1.0. 5/rs+fop = 8. 0GHz .P.=19iBm(CS0530),P=22Rm(CS0531)(aBm)
最小值
电测试应符合GB4586政本规范的规定。3.5标志
最大使
最小道
最大值
本器件极性标志见图1。器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4质量保证规定
4.1轴样和检验
抽样和检验按GJB33和本规范的规定。4.11关于结构相似器件抽样的规定最大值
（%）
标称值
在同一生，线上，采用相间材料，相同工艺，同一套光刻掩模版（同一瓶上可有不同图形）制造的CS0529,CS0530、CS0531和CS0532型器件，除A2.A3、A4、B3和B5分组外，相同芯片批的器件可作为结构相似器件进行遂批检验；除C6分组外相同检验周期的器件可作为结构相似器件进行周期检验，在这种情况下从某一个型号或几个型号的器件中抽取的组样品3
rKAoNiKAca-
$J 50033. 53 -- 94
的试验结果，对这四个型号的器件均有效。在同一生产线上，采用相同设计，租同制造工艺.相同材料制造的，仅因输出功率不同而分成CS0530和CS0531两个型号的产品·除A4分组外可作为结构相同器件，一个型号器件的检验结果对另一个型号的器件也有效。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对 GT 和 GCT 级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
见GJB33表2
3热神击<温度循环）
7中闯测试
B功率老化
9最后溅试
4.4质量致性检验
4. 4. 1 A 组检验
试验方法
GJB12B方法
测试知试验
657-4150℃
Ipss 、Versaffr及 Igss
Te=ToC;Vs=9.5VPe=2.0W
按本规范表1的A2分组
A/ss=初始销的115%：
AVesan=初始值的士IU%或U.5V，取较大者，u200μA
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4. 4.2 B 组检验
B组检验应按GIB33和本规范表2的规定进行。4. 4. 3 C 组检验
C 组检验应按 GJB 33 和本规范表 3 的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4. 5.1测试方法
直流参数测试按GB4586相应方法或用晶体管图示仪测试，热阻及微波参数测试按本规范附录的规定方法。
检验或试验
AI分组
外死及机械检验
A2分组
Ves-D 时的漏圾电流
橱 源截止电压
漏一源短路的钮极截止
A3分组
离混工作：
慢一源醛止电压
漏一源短路的扭极载压
低温工作；
拇一源戴止电玉
A4分组
IdB 增益压缩输出功
1dR增益压缩功率增益
CS0530
CSi331
GB458G
GJB128
本规范
附录 A
本规范
附录 A
$J 50033.53 - 94
表1A组检验
Vns=3V
Vus 3V,
fn-30mA
Ves= -6v,
Vrs=0V
Tn0.5Inss
Ta-[25c
In=30mA
Vcs= -3V.
Ves-DV
TA= - 5SC
i—30mA
Vrs =810V,
P,-[9dBm
(CS0530)
P,= 22dBu
(CS0531)
条件同
Vcstdny
Vesran
Vasiatn
极限值
最小值最大
（cS0530）
CS0531
TKAONKAca
检验或试验
D1分组
可焯性
B2分组
热冲击(温度循环)
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4分组
开幅内部目检
(设计核实)
B5分组
B6分组
高温寿命(个工作）
本规范
附录B
检验或试驻
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃虑力)
引出辨泻度
细检漏
粗检漏
综合温度/显度
周期试验
SJ 50033. 53 -- 94
表 2B组检验
GJB128
65℃-~+1500
试验条件H
试验条牛C
见表 4 步桑 1.2 和 3
Te-70℃,Vas=8.5V
Par -- 1. 6W
见表4步乐1,2和4
Ptnt = 1-6W
加热时间100ms
340h,Ta-175℃
见表 4步骤1,2和 4
每批一个
器件，0
表 3 C组检验
GJB128
见图 1
试验条件 A
试验条件 E
挂量 0. 83±0. 09N
试验条件H
试验条件C
极限值
最小值最大值
循环数4，前2个循环进行步骤7、恢复时间 411，
检验或试验
外规及机碱检验
最后测试
C3分组
变炳振动
恒定加速度
鼠后谢试：
C4 分组
盐气(有要求时）
C5 分组(不适用)
C6 分组
稳态工作寿命
最后测试：
Ves = 0 时的满
极电变化量
一源截止电
压变化量
蒲一源短路的
榻极截让电流
漏一源短路的
栅极截上电流
SJ 50033. 5394
GJB128
见表4步骤1,2和3
见表4步骤1,2和3
1000h,同B3分组
见表 4 步骤 1,2 和 4
表 1B组和C组检验的电诞试
GB4586
Vns=3V
Ves—ov
V-—6V
Ves - oV
Ves=-6V
注：1)本测试Iss和Vs超过A组检验设限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按 GJB 33 的规定。5.2贮存要求
贮存要求应按 GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
极限值
最小值！最人假
初始值的=30%
初始值的士30米
人=10
-rKAONKAca-
6说明事项
6. 1 预定用途
SJ50033.53-94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
6.2.1合向或订货单应规定下列内容：：本规范的名称和编号；
b.等级(见1.3,1),
c．数量，
d，要时，其他要求。
6.2.2对引出端林料和涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见 3. 2. 1)6.2.3如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6. 3型导对照
本产品企业原用型号分别为WC563，WC558
s.I 50033. 53- 94
场效应晶体管1分贝增益压缩输出动率和1分贝增益压缩动享增益以及劫率附加效率的测试专法（补益件，
测量场效应品体管在规定条件下的1分贝增益压缩输出功率Pc1>和！分贝增益压缓究率增益(：泛功率附加效率74
42 刹试方梅图
隔高器
KF编号
发生物
衰减器
察计」
衰戴器
功源计2
偏孟网路
摘人阻抗
匹配络
海业器计
梁出朗税
医配羽#
图AI场效究晶体管Pa和a及a测试框图A3测试原理
见图A1。被测器件的出功率\，和入功率P，由下述关系式导出；P # P1- L1
P,P2-L2
此处1和2分别为功率送1和功率计2指京的值，1.1和分别靠认A点到点茂C点到D点的电路损耗。由(1)式和(2)导出功增益CrGp - 1otugp/n.
TKAONKAca
A4测试框图说明和要求
SJ 50033.53-94
隔离器的作用是使加到被测器件上的功率在其输人端阻抗失配时保持恒定。避测器件要装在散热良好的测试夹具中，电路担耗L1 和 L2 被预先测得,在测意L1 和 L2时输人和输出阻抗匹配网络应尽可能于远配状漆A5测试步骤
把射频信号源的频率调整到规定值，将被测器件的栅一源电压cs加到接近栅一源截止压 Vcs(aif) 的数值,调节漏一源电压到规定值,改变 Vcs使漏极电流 Tn* 0. 5IDss，将输入功率预到接近测试P1)时的需要值。
调节输入和输出阻抗匹配网络，使功率计2指示最大。把输入功率增加到规定值，并最终调整阻抗匹配网络。将输入功率降低至一较低值Piel)，测量输出功率P：此时功率增益Gprel一Pa(xet)/ P1rsb,应基本上与输入功率无关。增均输入功率直到功率增益下降判比Gp(,低 1分贝时的输出功率为1分贝增益压缩输出功率，面此时功率增益即为1分贝增益压缩功率增盐。
把输入功率加到规定值，测量输出功率，并测量对应的漏源电压和电流。功率附加效率按下式计算：
ad(P。P)/(Vesp) ·100%
A6规定杂件
坏境温度Ta：
蒲一源电压s
瀚极电流Int
工作频率er
输人功率P.
附录B
场效应品体管热阻的测试方法
【补充件）
B1 自的
测量场效应晶体管在规定条件下沟道至管壳的热阻Rb>-。·B2电路图
— 10 -
B3测试原理
SI 50033.53-94
图B1场效应晶体管热阻测试电路医以漏极开路，施加固定的栅正向电流Icr时的栅源正向电压VG为测量场效应晶体管的沟道温度的敏感特性。
B3. 1 确定校准曲线 Vcsp =fT:，见图 B2,该曲线上 T, - T直线的斜率是栅一源正向偏医的温度系数
a VesF/AT,
(α.1V/格）
图 B2 计算 α用校正曲线
T(10C/格)
·(B1)
B3.2将一个固定的功耗加在被测器件上，待热平衡后，测量栅一源正向谊压的变化(4VGsr),测热阻R(thy-e由下式计算求得：Rit-e — Aosr/(a Vrs In)
rrKAONKAca-
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