- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 50033.49-1994 半导体分立器件 2CJ4220系列阶跃二极管详细规范

【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 2CJ4220系列阶跃二极管详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 02:35:24
- SJ50033.49-1994
- 现行
标准号:
SJ 50033.49-1994
标准名称:
半导体分立器件 2CJ4220系列阶跃二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1994-09-30 -
实施日期:
1994-12-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
90.36 KB
中标分类号:
电子元器件与信息技术>>电子元器件与信息技术综合>>L01技术管理

点击下载
标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定了2CJ4220系列阶跃二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 SJ 50033.49-1994 半导体分立器件 2CJ4220系列阶跃二极管详细规范 SJ50033.49-1994

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.49-- 94
半导体分立器件
2CJ4220系列阶跃二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetial specificatian for step recovery diodes for 2CJ4220 series1994-09-30发布
中华人民共和国电子工业部批准1994-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CJ4220系列阶跃二极管
详细规范
Semicondnctordiscrete dcriceDetial specification for step reeovery diodes for2CJ4220 serics
1范围
1.1主题内容
SJ 50033.49-94
本规范规定了2C/4220系列阶妖二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适月于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范>1.3案的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。引用文件
GB 6570—86
GJB 33—85
GJB 128—86
微被二极管测试方法
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
GJB1557—92半导休分立器件微波二极管外形尺寸3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为铜,表面涂层应为金中华人民共和国电子工业部1994-0930发布1994-12-01 实施
YrKAOKAca
3.2.2外形尺
SI 50033.4994
外形尺寸按GJB155792的W7-01型,如图1.
图【外形阁
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2J4221
2CJ4222
注;1)Tmb>25C时按0.2mA/C线性降额。3.3.2 主要电特性( T mnb = 25℃)特
2CJ4221
2CJ4222
Ie=10gAJ=10mA
最小值
3.4电测试要求
最大值
Vr = fv
- 1MHz
最小值
殿大值
电溯试应符合GE6570及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。4质量保证规定
65~ - 175
Ir = lmA I - 5mA
Ve = l0Vir - 40mA
最大值
- 55 - - 125
- 9.375GHz
搬小值
=500mA
最大值
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GJB 33 的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和 GCT级)
S 50033.49 — 94
筛选应按GIB33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应予以除。
见 GJB 33表2
3热冲击
7中间测试
8坊率老化
9最后测试
4.3.1功率老化
试验方法
GJB128方法
除循环20次外,其余同试验
条件F。
V(BR)、V,失效判据同最后测试。见4.3.1
[4Vie≤2V:
[aV.0.1V;
其他参数:按云规范表1的A2和A4分组Imh = 85C ; ImM = 10mA1 t= 50Hzi VRM = 17Vo4.4质量致性检验
4.4. 1 A 组检骑www.bzxz.net
A组检验应按GIB33和本规范衰1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组捡验应按 GJIB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表 1A组检验
检验或试验
A1分组
外观改机减检查
A2分组
反向击穿电压
正向电压
结电容
GB 8570
GJB 128
TR = JOμA
V, = 1UmA
f = 1MHz
极限值
最小值
最大慎
TrKAONKAca-
检验或试验
A3分组
高温工作
反向出穿电玉
低温工作
反向击穿电压
A4分线
阶默时间
2CJ4221
2CJ4222
少子筹命
难验或试验
B2 分组
热冲齿(湿度精环)
细检漏
h.粗长溺
最后洲试:
B1分组
稳森工作寿命
磨测试:
R5分组
照态热阻抗
6分组
GR 8S70
SJ 50033.4994
续表1
Taml~125℃
IR = J0μA
Ir=10jiA
Ir - 10mA
VR=10V
iIr SmA
IR 40mA.
Vr = 6V
1 = 8.375GHz
2 B组检验
GJB123
GB6570
高湿寿命{不工作)
最后视试:
试验条件F-1
r(级限值)215min
试骑条件B
试验条件C
按表 4步骤1 和2.
T = 85C
IrM = 10mAi
f = 50H2
[Vkm--15V
按率 4 步要 1 和 2
脉宽:10ms
dp~500mA
340h, Tunb = 175C
按表 4 步骤 [动 2
LTPD:
Zith)p
极限值
最小值最大值
极限值
最大值
检验或试验
C1分组
外形尽寸
2分组
热凉击(玻应力)
.细检漏
b.粗检漏
综合温/湿度
周期试验
外观及机械松验
最后测试:
C3 分组
变动振动
恒定加速度
最后测试:
C4 分组
盐气【适用时】
C6 分组
稳态作寿命
最后测试:
击电压变化量
正向电压变化量
5交货准备
5.1包装要求
SJ 50033.49-- 94
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条性 A
试验条件H
试验条件 C
若略预处理
变表 4 步骤 1 和 2
4900m/(500g)0.5m%在xy的每个
方它神击5次
196000m/s(20000g)
表 4 步骤 1 和 2
Tum = 35t i IFM = 10mA ;
J - 50Hz: Vru - 15V :
按表 4 步骤 1 和 2
表 4 B组和 C组检验的电测试
GB 6570
[R = 10μuA
e=10mA
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2贮存要求
此疗要求应按 GJB 33 的规定。符
极限值
最大值
最大值
初始信的+20%
TrKAONKAca-
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6. 1 预定用途
SJ50033.49-94
符合本规范的器件供新设备使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货文件内容
合同或订单中应载明下列内容:a.本规范的名称和编号:
b、等级(见1,3,1);
c.数量;
d, 需要时.其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时,应在合同或订单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合间或订单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负贵起草。本规范主要起草人:吴连、桂成、金贵永。计划项目代号:B11025。
YIKAONIKAca-
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
SJ 50033.49-- 94
半导体分立器件
2CJ4220系列阶跃二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetial specificatian for step recovery diodes for 2CJ4220 series1994-09-30发布
中华人民共和国电子工业部批准1994-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CJ4220系列阶跃二极管
详细规范
Semicondnctordiscrete dcriceDetial specification for step reeovery diodes for2CJ4220 serics
1范围
1.1主题内容
SJ 50033.49-94
本规范规定了2C/4220系列阶妖二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适月于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范>1.3案的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。引用文件
GB 6570—86
GJB 33—85
GJB 128—86
微被二极管测试方法
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
GJB1557—92半导休分立器件微波二极管外形尺寸3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为铜,表面涂层应为金中华人民共和国电子工业部1994-0930发布1994-12-01 实施
YrKAOKAca
3.2.2外形尺
SI 50033.4994
外形尺寸按GJB155792的W7-01型,如图1.
图【外形阁
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2J4221
2CJ4222
注;1)Tmb>25C时按0.2mA/C线性降额。3.3.2 主要电特性( T mnb = 25℃)特
2CJ4221
2CJ4222
Ie=10gAJ=10mA
最小值
3.4电测试要求
最大值
Vr = fv
- 1MHz
最小值
殿大值
电溯试应符合GE6570及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33和本规范的规定。4质量保证规定
65~ - 175
Ir = lmA I - 5mA
Ve = l0Vir - 40mA
最大值
- 55 - - 125
- 9.375GHz
搬小值
=500mA
最大值
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GJB 33 的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和 GCT级)
S 50033.49 — 94
筛选应按GIB33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应予以除。
见 GJB 33表2
3热冲击
7中间测试
8坊率老化
9最后测试
4.3.1功率老化
试验方法
GJB128方法
除循环20次外,其余同试验
条件F。
V(BR)、V,失效判据同最后测试。见4.3.1
[4Vie≤2V:
[aV.0.1V;
其他参数:按云规范表1的A2和A4分组Imh = 85C ; ImM = 10mA1 t= 50Hzi VRM = 17Vo4.4质量致性检验
4.4. 1 A 组检骑www.bzxz.net
A组检验应按GIB33和本规范衰1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组捡验应按 GJIB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GIB33本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表 1A组检验
检验或试验
A1分组
外观改机减检查
A2分组
反向击穿电压
正向电压
结电容
GB 8570
GJB 128
TR = JOμA
V, = 1UmA
f = 1MHz
极限值
最小值
最大慎
TrKAONKAca-
检验或试验
A3分组
高温工作
反向出穿电玉
低温工作
反向击穿电压
A4分线
阶默时间
2CJ4221
2CJ4222
少子筹命
难验或试验
B2 分组
热冲齿(湿度精环)
细检漏
h.粗长溺
最后洲试:
B1分组
稳森工作寿命
磨测试:
R5分组
照态热阻抗
6分组
GR 8S70
SJ 50033.4994
续表1
Taml~125℃
IR = J0μA
Ir=10jiA
Ir - 10mA
VR=10V
iIr SmA
IR 40mA.
Vr = 6V
1 = 8.375GHz
2 B组检验
GJB123
GB6570
高湿寿命{不工作)
最后视试:
试验条件F-1
r(级限值)215min
试骑条件B
试验条件C
按表 4步骤1 和2.
T = 85C
IrM = 10mAi
f = 50H2
[Vkm--15V
按率 4 步要 1 和 2
脉宽:10ms
dp~500mA
340h, Tunb = 175C
按表 4 步骤 [动 2
LTPD:
Zith)p
极限值
最小值最大值
极限值
最大值
检验或试验
C1分组
外形尽寸
2分组
热凉击(玻应力)
.细检漏
b.粗检漏
综合温/湿度
周期试验
外观及机械松验
最后测试:
C3 分组
变动振动
恒定加速度
最后测试:
C4 分组
盐气【适用时】
C6 分组
稳态作寿命
最后测试:
击电压变化量
正向电压变化量
5交货准备
5.1包装要求
SJ 50033.49-- 94
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条性 A
试验条件H
试验条件 C
若略预处理
变表 4 步骤 1 和 2
4900m/(500g)0.5m%在xy的每个
方它神击5次
196000m/s(20000g)
表 4 步骤 1 和 2
Tum = 35t i IFM = 10mA ;
J - 50Hz: Vru - 15V :
按表 4 步骤 1 和 2
表 4 B组和 C组检验的电测试
GB 6570
[R = 10μuA
e=10mA
包装要求应按GJB 33的规定。
5.2贮存要求
此疗要求应按 GJB 33 的规定。符
极限值
最大值
最大值
初始信的+20%
TrKAONKAca-
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6. 1 预定用途
SJ50033.49-94
符合本规范的器件供新设备使用和供现有设备的后勤保障用。6.2 订货文件内容
合同或订单中应载明下列内容:a.本规范的名称和编号:
b、等级(见1,3,1);
c.数量;
d, 需要时.其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时,应在合同或订单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合间或订单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负贵起草。本规范主要起草人:吴连、桂成、金贵永。计划项目代号:B11025。
YIKAONIKAca-
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:





- 热门标准
- 电子行业标准(SJ)
- SJ/T10519.05-1994 塑料注射模零件 台阶导柱
- SJ2658.5-1986 半导体红外发光二极管测试方法 正向串联电阻的测试方法
- SJ1476-1979 3CG114型PNP硅外延平面高频小功率三极管
- SJ1428-1978 3DA107型NPN硅高频大功率三极管
- SJ1484-1979 3CG160型PNP硅外延平面高频小功率高反压三极管
- SJ51931/1-1995 R2kXH6×3.6×5型环形磁芯详细规范
- SJ2144-1982 3DH14-15型硅稳流三极管
- SJ1486-1979 3CG180型PNP硅外延平面高频小功率高反压三极管
- SJ1485-1979 3CG170型PNP硅外延平面高频小功率高反压三极管
- SJ20643.2-2002 紫外切除型脉冲氙灯详细规范
- SJ20665-1998 无方向信标通用规范
- SJ20463.9-1998 41SS11Y7型指示管详细规范
- SJ3070-1988 冲裁模通用模架 上托板
- SJ3183-1989 双卡套式管接头系列
- SJ/T11321-2006 DVD/CD只读光学头通用规范
- 行业新闻
- 近 1 亿美元被销毁:伊朗交易所 Nobitex 被盗事件梳理
- 最新消息:亚利桑那州参议院重新审议比特币储备法案
- GENIUS 法案冲击下,Tether 能否守住龙头地位?
- XRP账本用户激增800%:价格即将迎来突破?
- 美联储会议期间值得关注的三大山寨币
- 今日这些山寨币为何走红——6月18日
- 韩国推出「加密货币现货ETF路线图」、下半年公布细节《数位资产基本法》同步推进
- SPY/TLT比率接近峰值;股市飙升而加密货币面临清算
- 战争危机中的加密货币?比特币除外——看看BTC如何挺住
- 突发新闻:Kraken通过Babylon平台推出比特币质押服务
- Semler Scientific 计划购买 105,000 枚比特币
- SEC ETF延迟后XRP价格预测
- 2025年6月20日Solana(SOL)价格预测
- 币託BitoPro遭骇调查是北韩拉撒路Lazarus!社交工程攻击窃走1150万美元
- 伊朗在Nobitex交易所1亿美元黑客攻击后限制加密货币交易时间
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:bzxznet@163.com
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1