【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ＣＳ０５２９型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033. 52—94
半导体分立器件
CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
semiconductor discrete deviceDetail specification for type CS0529 GaAs microwavePower field effect transistor1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部
3批准
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
semiconduclor discrete deviceDetail speeiricatlon for type CS0529 GaAs microwavePower rield effect trausistor范围
1.1主题内容
SJ 50033. 52 - 94
本规范规定了CS0529型神化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件）的详细要求，1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33半导体分立器件总规范》1.3案的规定，提供的质保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母 GP、GT 和 GCT 表示。2引用文性
GB4586-84场效应晶体管测试方法GJB33-85
半导体分文器件总规范
GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计、结树和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐，表面涂层应为金。3. 2.2 外形尺寸
外形尺小见图1。
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
TKAoNKAca
最小值
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
最大镇
SJ50033.5294
注：1)T>25C时按日.33mW/C线性降额，2
最小位
毁大值
—65~175
主要电特性(T=25)
CS0529A
C50529B
CS0529A
CS0529B
Vrs—3V,
最小值
最大猫
Rathr-e
加热时间
100mas
最小道
3.4测试要求
最大值
SJ 50033. 52 94
In10mA
最小值
最大值
Yee=—6V,
最小個
I V—3V,
Io =- 0. fes
最小道
Vg~10V,lu=0.5lusa
fr-8. 0GH2.P, 12dBm(CS0529A) ,fne -16 GHz,P,= 15dHm(CS0529B)(dBm)
最小懂
电测试应符合GB4586及本规范的规定，3.5标志
最大值
量小值
最大值
本器件极性标志见图1。器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验按GJB33和本规范的规定。4.1.1关于结构相似器件的规定
最大值
标称销
在同一生产线上，采用相材料，相间工艺，同套光刻掩模版（同一版上可有不同图形）制造的CS0529、CS0530.CS0531和CS0532型器件，除A2、A3、A4、B3和B5分组外，相同芯片批的器件可作为结构相似器件进行逐批检验：除C6分组外相同检验固期的器件可作为结构相似器件进行周期捡验。在这种情说下从某一个型号或几个型号的器件中抽的一组样品的试验结果，对这四个型号的器件均有效。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33装2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
TrKAONiKAca-
现GJE33表2
3热冲击（温度循环）
7中间测试
B功率老化
9 最后测试
4.4质量一致性检验
4.4 1 A 组检验
SJ 50033. 52-- 94
试验方法
GB128方法
测试和试
-65C-.+150n
TDas Vsetn及 IosB
Te 70C Vg-9. 5V,P. -- 1. 2W按本规范表 1 的 A2 分组1
a=初始值的15%
ZYrs(lts一初始值的士10%或 0. 5V,取较大者 ;Te.100μA
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行，4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4. 4. 3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定，4.5.1-测试方法
直流参数测试按GB4586相应方法或用品体管图示仪测试，热阻及微波参数测试按本规范附景的规定方法。
表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
Vos =0 时的漏极电流
概一源散止电压
糖一源短路的栅根截止
A3分组
高旗工作：
册---注整止电压
爆一源短路的骨极α止
GB4586
GJB128
Vog= 3V,
Ves=oV
I=10mA
Ves--GV,
Ves=DV
i Vra=3V.
1Ip 0.51nss
Ta--126C
Ip=10mA
Ve tean
Vegtcetn
极限值
最小值最大值
检验或试验
低温工作，
栅一源撤止电压
A4分组
IdB 增举压糖输出动
IdH 增益压缩功率增益
CS0529A
CS0529B
检验或试验
B1 分组
B2 分组
热冲击(温度循环)
细检漏
曲检滑
最后测试
B3分组
穗态工作寿命
最后测试
B4 分组
开惜内部目检
（设：核实）
GB4586
SJ 50033. 52- 94
TA--55℃
Vr =3V,
I-1OnA
本规范Vαm8~10V,
附录 A
Pi12aBm
(CS0529A)
f=1GGHz
:Pi15dBm
(CS0529B)
本规范条件同
研录 A
Pekian
Gritans
表2B组检验
GJB128
65C-+150r
试验条件 H
试验务件C
见表4步骤1,2和3
Te-70℃.Vm-8. 5V,
P-r-1. uw
见表 4 步骤 1,2 和 4
器作，0
极限值
最小道最大道
极限值
最小值最大值
TKAONKAca-
检验或试验
B5 分组
B6分组
高温寿命(不工作)
最后测试
本规范
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(皱璃应力)
引出端强度
粗检漏
综合盗度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变颖损动
恒定加遵度
最后测试！
C4分组
盐气（有要求睡时）
C5分组（不适用）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
$J 50033. 52 94
GJIB128
Pa. 1. ow
加热时间100ms
340h,T,-175
现表 4 步骤 1,2 和 4
表3C组检验
:Raai-e
GJB128
试验条件A
试验条件E
挂重 0. 83± 0. 09N
试验条件H
试验条件亡
极限值
最小值最大值
循环数 4. 前 2 个循环进行步骤 7,恢复时间4h。
见裁4步骤1，2和3
见表 4 步骤 1.2 和 3
1000h.同B3分组
见表4步骤12和4bZxz.net
Va=0时的漏
极电流变化量
册一源截止电
压变化量
渐一源短路的
瓣极截止电流
漏一源短路的
栅极截止电流
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表4B组和组检验的电測试
GB4586
Vos=oV
Vca=3V
Vp-10mA
Vu—6V
Vos oV
Vas -— GV
Ve—oV
注：1)本测试/s和Veel,超过A组检验极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2此存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预用途
极限值
最小道
最大体
初始值的士3
初始值的士30%
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
合间或订货单应规定下列内容，a.
本规范的名称和编号：
等级（见1.3.1)
数量：
需要时，其他要求。
6.2.2对引山端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.2.3如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6. 3 型号对照
本产品企业原用型号为WC67
TKAoNiKAca-
A1 百的
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附录A
场效应品体管1分贝增益压缩输出功率和1分贝增益压维功率增益以及功率附加效率的试方法（补充件）
测量场效应品体管在规定条件下的1分贝增益压缩输出功率P和1分贝增益压缩功率增益 GpaB,及功率附加效率可.2测试方框图
隔离器
RF信号
发生署
A3测试源理
要减器
耦合器
功事计1
囊减器
功率计2
偏量网络
前量网络
临人阻执
配网络
被测器件
输出围抗
匹配网络
图A1场效应品体管Pud和Gers及测试据图见图A1。被测器件的输出功率P，和输入功率P。由下述关系式导出P+ PI - Ll
Po = P2 + L2
此处 P1 和 P2 分别为功率计 1 功率计 2 指示的数值,L1和 L2分别是从 4 点到 B点8J 50033. 52-94
及点到点的电路损糕。由(1)式和(2)式导山功率增益Gr！Gp=10LogPs/PL
A4测试框图说明和要求
·(A3)
隔离器的作用是使加到被测器件工的功率在其输入带阻抗失配时保持恒定。被测器件要装在散热良好的测试变具中,电路摄耗L1 相 L被预先测得，在测量 L1 和 L2时输人和输出阻抗匹配网络应尽可能处于匹配状态A5测试步骤
把射题信号源的频率调整到规定慎，将被测器件的栅一源电压Vs加到接近摄一源截止电压Veso)的数值,调节漏一源电压到规定值改变V,s使漏极电流I,~0.5Ins，将输人功率加到接近测试Pedn,时的需要值。调节输入和输出阻抗匹配网络,使功率计2指示晟太。把输人功率增加到规定慎，并最终，调整阻抗匹配网络。将输入功率降低至一较低值FIG！测量输出功率Pt>，此时功率增益Gp(一Pe(/P1应基本上与输入功率无关。增加输人功率直到功率增益下降到比Gp)低1分贝时的输出功率为1分贝增益压缩输出功率，而此时功率增益即为1分贝增益压缩功率增盐。
把输入功率加到规定值，測量输出功率，并测量对应的漏源电压和漏电流。功率附效率按下式计算
9add = (P, - P1)/(Vns - ID) -106%+(A4Y
A6规定条件
环境竭度T；
漏源电压Ves1
漏极电流Iu
工作频率fo；
输入功率P,。
附录B
场效应晶体管热阻的测试方法
（补充件）
R1目的
测量场效应品体管在规定条件下沟道至管充的热阻Ra-B2电路图
TKAONKAca
B3测试原理
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图B1场效应晶体管热醒测试电路图$3
以痛极开踏，施如固定的栅正向电流Ic时的棚源正间电压VGs为测量场效应品体的沟道温度的敏感特性。
B3.1确定校推血线Vcsp=fTw，见图B2,该由线上巧=T，，直线的斜率是栅一源正向确压的温度系数：
n = 4VF/AT
(0.1V/格）
图B2计算α用校止助线
T（10℃/格）
D3.2将一个固定的功耗加在被测器件上，待热平衡后，测量册一源正向偏压的变化Vcsr），测热Rthi-由下式计算求得：Rithyr -a AVcsp/(o Vts - Ir)10
B4电路说明及要求
$J 50033. 52-94
电路R相对于静态栅一源输入电阻要足够大，以保证测量栅源正向电压时栅极有恒定的正向电流。Voo和R也可用恒流源取代。B5测试步骤
B5. 1测量 a
将被测器件安装在加热块上（或放在值温箱里），按图1所示与电路连接。开关S,S，断开，S.闭合，调整Vc使栅源正向电流为一特定值Ic该值应较小，以使因其引起的T升高可以忽略。
建立标准曲线VGsF=f(T'），见图B2.加热缺的温度对应Ti。在达到热平衡后，并关S闭合，记下每一温度下的栅一源正向电压根据测量值画出直线，由直线的斜率算出α：2.= 4VGSE?ATT
B5.2测量Rathm
·(B3)
被测器件连接于图B1所示电路中，待热平衡后开始测量，测量过释中应保持管壳温度不变。
图B3脉冲时序示意图
[=S,闭合，测量栅一源正向电压VGsF1=t，S断开，S、S，闭合，测量s和IV和Vc顶先谢好，使V和Ip为规定值。过后，即tg，达到热平衡。S,S断开，通常为几百个毫秒。经过延时时间，即！，时S，闭合，测量此时的栅--源正向电压VcsF。改变2，保持其它条件不变，重复上述测试步，并测量VcsFs根据测量值，建立曲线VcsF&=[(tz）),见图B4。（0.1V/格）
图B4延时时间tg与Vcsp:关系曲线图B4,推出=0时.Vcsrz=Vesz(0)，Rctbj--由下式求得：Rre>i-e - [VesF(0) - Vesri/(r - Vrs Ir)(B4)
TKAONKAca
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