【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ＣＳ０５３２型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.54-94
半导体分立器件
CS0532型砷化微波功率场效应
晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type CS0532 GaAs microwavepower field effect transistor1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS0532型化镓微波功率场效应
晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetall specilication for type CS0532 GaAs microwavePower field effect transistor1范围
SJ 50033.5494
1.1主题内容
本规范规定了CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用干器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质盘保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范》1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4586-84场效应晶体管测试方法GJB33-85半导体分立器件总规范GJB128-B6半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJ33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引山端材料应为可伐,表面涂层应为金。3.2.2 外形尺寸
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
TKAONKAca
外形尺寸见图1。
CS0532
最小檀
r =25c
SJ50033.54—94
最大值
符号國
图1外形图
注：1）T。>25℃时，按30.6mW/C线性降额。2
最小值
最大值
- 65 ~ 175
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3.3.2主要电特性(T=25)
CS0532
CS0532
Yrs -- 3V,
Ves =oV,
最小值
加热时间
最小值
3.4测试要求
最大慎
SJ50033.54—94
Iestea)
Vis = 3V,
Iμ= 50mA
最大值
最小值
Vas= -6V,
lus=ov
最小值
Vs - 810V, I,= U.S Irss
frp = 8. 0GHz,P, =25dBm
最小值
电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5标志
最大值
最大值
Vrs=3V
Ip= e0.5 Iras
最小虞
Gp(adle
最小值
本器件极性标志见图1。器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验按GJB 33和本规范的规定。4.1.1关于结梅相似器件抽样的规定最大值
最大值
标称值
在同一生产线上，采用相同材料，相同下艺，同套光刻模版（同一版上可有不同图形）制造的CSO529,CSO530.CS0 531和 CSO532型器件，除A2、A3、A4、B33和B5分组外,相同芯片批的器件可作为结构相似器件进行逐批检验；除（6分组外相同检验周期的器件可作为结构相似器件进行周期检验。在这种情况下从某一个型号或几个型号的器件中抽取的一组样品的试验结果，对这四个型号的器件均有效。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GIB33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和GCT级）
筛选应按GIB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本视范表1极限值的器件应予剔除。
-TrKAONKAa-
见 G3B 33 表 2
3热神击(遵度循环)
7‘中河测试
8功率老化
9最后测试
4.4 质量--致性检验
4.4.1 A 组检验
SJ50033.54-—94
试验方法
CJB12B方法
测试和试验
-65t ~ + 150r
Ins,Yus )及 Jus
Tc -70; V-s -9.5V; Pa=3.2W
按本规表1的A2分组；
4[ ss~初始值的±15% :
4Vcscm=初始信的=10%或0.sV,
取大者：
Irsg*400μA
A组检验应按 GJB 33 和本规范表 1 的规定避行。4.4.2 B组检验
B组捡验应按 GIB 33和本规范表2的规定进行。4.4.3C 组检验
C 组检验应按 GJB 33 和本规范表 3 的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1测试方法
直流参数测试按GB4586相应方法或用晶体管图示仪试，热阻及微被参数谢试按本规范附录的规定方法。
表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
Vcs=0时的痛报电流
一源截止电压
漏一源短路的栅极龙正
A3分组
高温工作：
栅-源载止电压
GB4586
GJB 128
Vos- 3V,
Ip= 30mA
Vcs= -6V,
Vrs=0V
p 0.5 Ixss
TA=125t
Vrs=3V
极限值
最小值最大值
检验或试验
漏一源短踏的栅极截止
低温工作：
相一源截止电压
A4分期
1dB 增益玉缩验出功率
1dB 增益压缩功率增益
验或试验
BL分组
E2 分组
热冲击（癌度循环）
粗检漏
最后测试
B3 分组
稳态工作寿命
最后测试
E4 分组
并指内部目检
(设计核实)
ES分组
B6 分组
高温寿命(不工作)
最后測球
GB 4586
本规范
附录 A
本规范
附录A
本规范
附录Ｒ
S 50033.54-94
续表1
In=50mA
Vrs=0V
Ta=-55c
Vos=sv,
Ip-50mA
Vo=810V,
P,=25dBm
条件同
LTPD：符号
Vuatey
Geltda
表2B组检验
GJB128
65 c + 150c
试验条件H
试验条作 C
见表 4 步骤 1, 2 和 3
Te =70C, Vps=8.5V.
见表 4 步骤 1, 2 和 4
加热时间100ms
340h.T=175C
见表 4 步骤 1, 2 和 4
每批一个
器件，0
极限值
最小值最大值
Rrenhi-e
极限值
最小值最大值
TTKAONKAca-
检验或试验
CI分组
外形尺
C2分组
热沪击(玻璃应力)
引出端蕴度
细检漏
粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械拉验
最后试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4 分组
盐气（有要求时时）
C5分组（不适用）
C6分组
税态工作寿命
最后沁试
Ves=D 时的褥
极电流变化量
栅一源截止电
压变化量
漏源短路的
栅极载上电流
漏一源短路的
栅极截止电流
SJ50033.54—94
表3C组检验
GJB128
见图！
试验条件 A
试验条件E
挂重0.83±0.09N
试验条件H
试验条件 C
循环数4,前2个循环进行步骤7,
恢复时间41。
见表 4 步 1,2 和 3
见表4步乐1,2和3
1000h,向3 分组
见表4步骤1.2和4
表 4 B组和 C组检验的电测试
GB4586
Yrs -3V
Vcs=oV
Vrs=3V
V=30mA
Ves= -6V
Vrs = oV
Vus -- -6V
Vustan)
极限值
最小值
最大值
初始值的±30%
初始值的±30%
SJ 50033.54-94
注：1)本测试Ipss和Ycs(t)起过A组检验板限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应接GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应接GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货资料
6.2.1合间或订货单应规定下列内容：a.
本规范的名称和编号；
等级（见1.3.1);
c，数量；
d。需要时，其他要求。
6.2.2对引出端材料和涂层有特殊要求所，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.2.3如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规。6.3型号对照
本产品企业原用型号为w62。
YrKAONTKAca
Al目的
S50033.54—94
附录A
场效应晶体管1分贝增益压缩输出功率和1分贝增益压缩功率增益以及功率附加效率的测试方法（补充件）
测量场效应晶体管在规定条件下的1分贝增益压缩输山功率Po(14B）和1分贝增益压缩功率增益Gp(1a)及功率附加效率ad。A2测试方框图
额率计
隔高器
FRF信号
发生器
囊减器
功率计！
功率计2
偏置网络
偏氯网络
输人阻扰
匹配两络
被测器件
辑出阻抗
园配路
图Al场效应晶体管Pa)和Gp(ld)及Tad测试框图A3测试原理Www.bzxZ.net
见图 Al。被测器件的辙出功率 P和输入功率 Po由下述关系式导出：Pi = P1 - Ll
Po = P2 - L2
此处 P1 和 P2 分别为功率计 1 和功率计 2 指示的数值, L1 和 L,2 分别是从 A 点到 R 点及C点到 D点的电路损耗。由(1)式和(2)式导出功率增益G:8
A4测试框图说明和要求
SJ50033.54—94
Gp = 10LagPo/Pl
隔离器的作用是使加到被测器件上的功率在其输人端阻抗失配时保持恒定。被测器件要装在散热良好的测试夹具中，电路损耗L1和L2被预先测得，在测量L1和L2时输入和输出瓯抗匹配网络应尽可能处于匹配状态。A5测试步骤
把射频信号源的频率调整到规定值，将被测器件的栅一源电压Vcs加到接近栅一源截止电压VGstori 的数值,调节漏-源电压到规定值,改变 Vcs 使漏极电流 I,0.5p39，将输入功率加到接近测试 Por1)时的需要值。调节输人和输出阻抗匹配网络，使功率计2指示最大。把输入功率增到规定值，并最终调整阻抗匹配网络，将输入功率降低至一较低值Pirell，测量输出功率Po把输人功率加到规定值，测量输出功率，并测量对应的漏源电压和电流。功率附加效率按下式计算：
ad = (Pa - Pi)/t Vps · Tp) . 100%A6规定亲件
环境温度TA：
漏-源电压Vpsi
蒲极电流Ip:
工作频率fop；
输入功率 P; c
TKAONKAca
B1目的
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附录8
场效应晶体管热阻的测试方法
（补充件）
测量场效应品体管在规定条件下沟道至管壳的热阻R()-cB2电路图
图B1场效应品体管热阻测试电路图B3测试原理
以漏极开路，施加固定的栅正向电流IGr时的栅源正向电压VcSF为测量场效应晶体管的构道温度的敏感特性。
B3.1确定校准曲线VGsr=fan），见图B2,该曲线上 T,= T。，直线的斜率是栅－源正向偏压的温度系数：
a=AVese/AT
B3.2将一个固定的功耗加在被测器件上，待热平衡后，测量栅一源正向偏压的变化( AVcsr ),测热阻 R(th)i-由下式计算求得;R(tb)i-e = AYcsp/(α· Vps · In)10
(a.1v/格）
电路说明及要求
SJ 50033.54-94
T（10℃/格）
图B2计算α用校正曲线
电路R相对于静态栅一源输入电阳要足够大，以保证测量栅源正向电压时栅极有恒定的正向电流。VcGi和R也可用恒流源取代。B5测试步骤
B5.1测量α
将被测器件安装在加热块上（或放在恒温箱单），按图1所示与电路连接。开关S、S断开,S 闭合，调整VcGi使栅源正向电流为一特定值Iαm)，该值应较小，以使因其引起的T,升高可以忽略。
建立标准曲线 VGSF =F(T,),见图 B2。加热块的温度对应 T,。在达到热平衡后,开关S闭合，记下每一温度下的栅－源正向电压。根据测量值画出直线，由直线的斜率算出：α = AVGSE/AT:
·(B3)
B5.2 测量 R(tb)i-c
被测器件连接于图B1所示电璐中，待热平衡后并始测量。测量过程中应保持管壳温度不变。
图B3脉冲时序示意图
1=11.S闭合，量册一源正向电压VGSF1。t=tz，S 断开，S、S闭合，测量Vs和ID,（Voo和VGGg预先调好，使Ves和ID为规定值)。
1过后，即1=13达到热乎衡。S、S断开。通常为几百个毫秒。经过延时时间z2，即t= 14时S,闭合，测量此时的栅一源正向电压VGsP2。改变2,保持其它条件不变，重复上11
TKAONKAca
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