【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ２ＤＶ８ＣＰ型硅微波检波二极管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.48-94
半导体分立器件
2DV8CP型硅微波检波二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 2DV8CPsilicon microwave detector diode1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2DV8CP型硅微波检波二极管详细规Semiconductor discrete deviceDetail specificaliun fur type 2DYBCPsilicon microwave detector diode一范围
1.1 主题内容
SJ 50033.4894
本规范规定了2DV8CP型硅微波检波二管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适闲于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3. 1 器件的等级
按GJB33<半导体分立器件总规范)第1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军和特军二级，分别用学母GP、GT表示。2引用文件
GB 8570--B6
GJB 33—85
GJB 128—85
微波二极管测试方法
半导体分立器件总舰范
半导体分立器件试验方法
平导体分立器件微波二极管外形尽寸GIB 1557---92bzxZ.net
3要求
3.1详细要求
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为铜，引出端表面应为镀银层。对引出端材料另有要求时，在合同或订货单中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
YrKAOKAca
中应明确规定(见6.3)。
3.2.2器件结构
SJ50033.48-94
外延平面，芯片内引线采用热压焊，反面用高温金浆与管壳烧结，用瓷碗封装后焊于炮弹型外荒内。
3.2.3 外形尺寸
外形尺寸接 GJB 1557-—92 的 W - 15 型. 见图 1。本
3.3最大额定值和主要电特性
最人额定值
2DV8CP
94 ±0.±
图1外形图
主要电特性(TA = 25它)
2DV8CP
f ± 9.375GH
Af = 3MHz
典型值
3.4电测试要求
f- 9.375GHz
P + 20μw
I, = 50μA
4×10-7
f = 9.375GHz
Pin20μw
Ie = 5QμA
Ya = 1V
- 53 ~ 125
p = 50μA
f= 9.375GHz
最小值最大值最小值最大值最小值激大值最小值最大值4.0
电测试应符合GB6570及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GB33 和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GIB 33 的规定。4.2监定检验
鉴定检验按 GJB 33的规定。
- 5s ~150
f = 9.375GH
典型值
4. 3 筛选(仅对 GT 级)
S1 50033.48--94
筛选应按 GJB 33表 2 和本规范的规定。其测试应按本规范表 1 的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
【见 GIB33表 2)
3热冲击
4恒定加速度
5错封
6高温反偏
7 中间电参数测试
B电老化
9最后测试
4.4 质量一致性羧验
试验方法
方法号
测试和试验
- 55~150t循弃 10 次
196000m/sX、Y方向各1min
粗检漏试验条件 C
T+- 125, Ve - 0.8V
表 1 的 A2 分组要求
Ip = 1.5mA
表 1 的 A2 和 A4 分组。
质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。4.4. 1 A 组检验
A组检验应按GIB33和本规范表1的规定进行。4. 4. 2 B 组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试应按本规范表4的步骤进行，4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表3和下列规定。4.5.1 脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3,3.2.1的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
反向电流
电统灵敏度
A3分组
高工作
疫向电流
GJB128
GB6570
f- 9.375GHz
Pn= 20μW
I = 50μA
T, - 125C
极限值
最小值
最大值
-rKAONKAca-
检验或试验
A4 分组
电压渡比
视频盟抗
检验或试验
B1分组
标志的耐久性
B2 分组
热神击(溢度循环)
最后测试：
B3分组
重复脉冲烧殿
最后测试：
6 分组
高温寿命（非工作状态）
最后翘试
验验或试验
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热冲击(皱璃应力)
引出端强度
粗检凝
综合温度/混度开期
SJ50033.48-94
续表1
GE6570
f = 9.375GHz
Pr = 20jew
Ie SUuA
Ip=50μA
J 9.375GHz
表 2 B组检验
GIB128
极限值
最小值
最大值
降低盗为-55C,循环10次外,其余同试验条件B。
试验条件℃
见表 4,步骤 1.3
见 本 规T= 25 脉冲功率 500mW,脉冲宽度慈附录
1ys重复频率1'tHz，最短持续时间1mimA
见表4.步骤2、4
T=150℃ 340h
见表 4., 步骤 2. 4
表 3 C组检验
GJB128
本规蔻
附录 B
见图1
试验条件 A
试验条件
省略预处理
检验或试验
外观及机械控验
最后测试;
C3分组
变频瓶动
恒定加密度
最后测试
检验或试验
反向电流
反向电流
电流荧敏度
电流灵敏度
5交货准备
5.1包装要求
SI50033.48-94
续表3
GJB128
见表4,步骤 1.,3
按1470Um/s（1500g）
0. 5ms在 X,Y方向上各冲击 5 次196000m/s,（20000g），在X、Y方向上各进行Imin
见表 4,步骤 1、3
表 4 B组和 C组最后測试
GB 6370
包装婴求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
此存要求应按 GIB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33 的规定。6说明事项
6.1 预定用途
VR= IV
Vr = IV
P - 20μ
1e = S0μA
f - 9.375GHz
Pm = 20jeW
1p = 50gA
f = 9.375GHz
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后动保障用。6.2订货资料
合同或订单应规定下列内容：
。本规范的名称和编号；
极殿值
最小值
最大值
TKAONKAca-
h、等级(见 1.3.1);
c数量；
d，需要时,其他要求。
SJ 50033.48 -m 94
对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6
AT自的
SJ 50033. 48 - 94
附录A
复脉冲烧毁试验方法
(补充件）
：本试验的月的最为了确定二极管抗重复脉冲的能力。A2试验框朗
鼓测二极管
脉冲发生器
脉冲监视设备
图 A1 重复脉冲试验图
A3步骤
将脉冲发生器输出调到规定的脉冲宽度、脉冲电压和脉冲重复率，通逆脉冲监视设餐使断净方向确保二极管导通，然后将被试二极管插入试验电路。在经历了规定的最短时间店测量规定的参数。当参数超过规定的最大值(或最大变化量)时,该二极管为不合格品。规定亲件
冲宽度；
b．脉冲电压；
脉冲重复率；
最短持续时问；
所加脉冲的方向。
附录Ｒ
扭力矩试验方法
(补充件）
B1目的
本试验是为了检验器件引出端和瓷管之间的抗扭力能力。B2设备
扭力矩试验需要专用夹具，固定器件的一端并在另一端悬挂施加力矩的重物。B3步骤
YrKAONTKAca
SJ50033.48—94
对正微波二极管轴线上加扭力矩。使瓷管与封装处承受扭力矩，其力矩为绕二极管轴线使电极松升的方向，丑平稳光跳动。扭力矩73.5mN.m作用时间5s解除力矩后用10倍放大镜检验，若发现断裂、松动或电极与瓷管之间相对移动，则判定该二极管为不合格品。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营九七0和中国电子技术标雅化研究所。本规范主要起草人：继昌程红金贵永。计划项代号：B21028。
YIKAONIKAca-
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