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【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 2CZ59型硅整流二极管详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 02:37:52
- SJ50033.46-1994
- 现行
标准号:
SJ 50033.46-1994
标准名称:
半导体分立器件 2CZ59型硅整流二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1994-09-30 -
实施日期:
1994-12-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
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本规范规定了2CZ59型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 SJ 50033.46-1994 半导体分立器件 2CZ59型硅整流二极管详细规范 SJ50033.46-1994

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.46-- 94
半导体分立器件
2CZ59型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification far type 2CZ59silicon rectifier diode
1994-09-30发布
中华人民共和国电子工业部批准1994-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CZ59型硅整流二极管
详细规范
Semictnductor discrete deviceDetail speeirication for type 2Cz59sillcon rectifier diode
1范围
1.1 主题内容
本规范规定了2CZ59型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等极
SJ 50033.46-94
按GJB33<平导体分立器件总规范>1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军,特军和超特军三级,分别用字母 GP、GT和 GCT表示。2引用文件
GB4023-86半导体分立器件第2部分整流二极管GB7581—87半导体分立器件外形尺寸半寻体分立器件总规范
GJB 33—B5
GJB128—86半导体分立件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定:3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端徐层
器件装面应镀竭。对引出端涂层另有要求时、在合同或订货单中规定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
ST50033.4694
在芯片的两面和引出端之间采用高温治金键合结构。号
C1 - 01C
图1外形图
3.2.3外形尺寸
SJ 50033.46 --94
外形尺寸应符合 GR 7581 的 C1 -01C型及如下的规定。见图 1。3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2C2598
26759C
2C259D
2CZ59E
2CZ59F
2C2590
2C239H
2C259J
2C759K
Va= Vrw
tp= 10ms
当Tc超过75℃时,按267mA/C线性地降频。3.3.2主要电特性(T,=25℃)
IFu元60A
2C2591
2C259C
2C259D
2CZ59E
2CZ59F
2C259G
2CZ59H
2C739J
2CZ59K
最大恒
3.4电测试要求
Vr=VRwM
最大值
电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5标志
55 -150
Vα= Vawu
Tc=140C
最大值
- 55-175
最大慎
rKAoNiKAca-
SJ 50033. 46 --94
标志应符合 GJB 33和本规范的规定。3.5.1极性
器件的极性应采用二极管符号“以”表示,箭头指向为负极端。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GIB 33 和本规范的规定。4.2监定检验
鉴定捡验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按 GJB 33表 2 和本规范的规定。其测试应接本规范表1 进行,超过本规范表1极限值的器件应予除。
筛选(见 GJB33表 2)
3.热神击
7. 中间电参数测试Www.bzxZ.net
8.电老化
9元最后涎试
4.4质量一致性检验
测试或检验
除低温为外,其余同试验条件F。VaMiRi
Te=95-9C Io= 14AVx= VrwM f=50Hz 正弦半披本规范表「的2分组;
4IRI=初始值的 1(HI%或 4 0μA,政较大者;4Vr = ±0.1V.
质量一致性检验应按 GJB 33的规定。4.4.1 A纠检验
A组检验应按CIB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B 检验应按GB 33 和本规范表 2 的规定进行。最后测试和变化量(4)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后渊试和变化量(4)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和如下规定:4.5.1稳态工作寿命
在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压,接着在正向施加规定的正弦半波平均整谛电流,整流中流的正向导通角应不大于180°,不小于150°。4.5.2脉冲测试
脉冲测试条件应按 GJB 128的 3·3·2+1的规定。4.5.3热
热阻测试应按 GB 4023 中的 2.2.3 条的规定进行。4
检验或试验
A1分组
外观及机綫检验
A2分组
正向电压
反向电流
A3分组
商润工作:
反向电流
低温工作:
正向电压:
A6分组
浪蒲电流
最后测试:
GJB128
IY-1 2 3
SJ50033.46—94
表 1 A组检验
GB 4023
T rm = 60A
。=300ms
Vh = Vwh
Te= 140t
Vr VrwM
Te = - 55t
IFM -6DA
tg—300gg
Th = 25t
Ve = Vkwm
IrSM—420A
p 10ms
周波教与浪
次数均为1
见表4步骤「和2
表2B组检验
检验或试验
B1 分组
可短性
标志久性
B2 分组
热冲击
细检漏
b粗检摘
最后测试:
焊接停留时间= [0 = 1s
轻限值
最小值
除低温为-35外,其余同试验
条件 F-1。
试验条件H
试验案件
见表 4 步骤1 和 2。
最大值
TKAONKAca-
检验或试验
B分组
稳态工作寿命
最后测试:
B4分组
开帽内部耳检
B6 分组
商温寿的(非工作状态)
最后测试:
检验或检验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热种击
引出端强皮
目。细
b.粗检漏
综合温度/湿
度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3 分组
变频振动
恒定加速度
SJ 50033.46 94
Te - 95-gcVr = Vrw
To = 14A
f=50Hz正弦半皱
现表4步骤1、2和3
TA = 175t
见表4此骤1.2和3
表3C组检验
见图1
试验条件
试验条件Dz
转矩;1.ON·r
时间:10~15s
试验条件 H
试验条件C
按表4步强1和2
a - 14700m/s*
t = 0, 5r119
冲击方向及次数:
沿X、Y2每
方向5次
非工作状态
离心加速度:
极限值
最小值
每批一个器件
70失效
最大镇
检验或检验
最后测试:
Cs 分组
(适珀时)
低气压
试验期间测试
反向电流
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
C7 分组
验或检验
正向电压
反向电流
反向电流变化
GB 4023
GB4023
FW -2.2.3
SJ 50033.4694
GB 128
98000m/
获表4步案1和2
试验条件 C
1= 60g
VR-YowMt
Te- 9s_2c
Jo=144
VR-VRwM
于 = 50H元正孩半波
见表4表骤1、2、和3
入=10
Zah(rei
表4A组、B组和C组的电测试
GB 4023
I-1-2-3
N-1-4-1
-1-4-1
IFM- 60A
1,=3003
V - VeWM
VR - VwM
注:1)本试验中I超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应符合GIB33的规定。
5.2存要求
照存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33的规定。
6说明事项
极限值
极限遣
最小值
最大值
最火值
初始值的100%或
4.0mA,取较大者。
TrKAONiKAca-
6.1预定用途
SJ50033.46—94
符合本规范的器件供新设备和现有的后勋保障用。6.2订货资料
订货合同应规定下列内容:
理。本规范的名称和编号;
b.等级(见1-31);
数量:
d.需要时.其它要求。
6.3对出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3·2·1条)。如使用单位衡要时,典型特性监线等可在合同或订货单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由八七兰厂起草。
本规范主要起草人:彭琳、刘东才、金贵永。计划项目代号:B21025。
YIKAONIKAca-
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SJ 50033.46-- 94
半导体分立器件
2CZ59型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification far type 2CZ59silicon rectifier diode
1994-09-30发布
中华人民共和国电子工业部批准1994-12-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CZ59型硅整流二极管
详细规范
Semictnductor discrete deviceDetail speeirication for type 2Cz59sillcon rectifier diode
1范围
1.1 主题内容
本规范规定了2CZ59型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等极
SJ 50033.46-94
按GJB33<平导体分立器件总规范>1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军,特军和超特军三级,分别用字母 GP、GT和 GCT表示。2引用文件
GB4023-86半导体分立器件第2部分整流二极管GB7581—87半导体分立器件外形尺寸半寻体分立器件总规范
GJB 33—B5
GJB128—86半导体分立件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定:3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端徐层
器件装面应镀竭。对引出端涂层另有要求时、在合同或订货单中规定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
TKAONKAca
3.2.2器件结构
ST50033.4694
在芯片的两面和引出端之间采用高温治金键合结构。号
C1 - 01C
图1外形图
3.2.3外形尺寸
SJ 50033.46 --94
外形尺寸应符合 GR 7581 的 C1 -01C型及如下的规定。见图 1。3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2C2598
26759C
2C259D
2CZ59E
2CZ59F
2C2590
2C239H
2C259J
2C759K
Va= Vrw
tp= 10ms
当Tc超过75℃时,按267mA/C线性地降频。3.3.2主要电特性(T,=25℃)
IFu元60A
2C2591
2C259C
2C259D
2CZ59E
2CZ59F
2C259G
2CZ59H
2C739J
2CZ59K
最大恒
3.4电测试要求
Vr=VRwM
最大值
电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5标志
55 -150
Vα= Vawu
Tc=140C
最大值
- 55-175
最大慎
rKAoNiKAca-
SJ 50033. 46 --94
标志应符合 GJB 33和本规范的规定。3.5.1极性
器件的极性应采用二极管符号“以”表示,箭头指向为负极端。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GIB 33 和本规范的规定。4.2监定检验
鉴定捡验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按 GJB 33表 2 和本规范的规定。其测试应接本规范表1 进行,超过本规范表1极限值的器件应予除。
筛选(见 GJB33表 2)
3.热神击
7. 中间电参数测试Www.bzxZ.net
8.电老化
9元最后涎试
4.4质量一致性检验
测试或检验
除低温为外,其余同试验条件F。VaMiRi
Te=95-9C Io= 14AVx= VrwM f=50Hz 正弦半披本规范表「的2分组;
4IRI=初始值的 1(HI%或 4 0μA,政较大者;4Vr = ±0.1V.
质量一致性检验应按 GJB 33的规定。4.4.1 A纠检验
A组检验应按CIB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B 检验应按GB 33 和本规范表 2 的规定进行。最后测试和变化量(4)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后渊试和变化量(4)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和如下规定:4.5.1稳态工作寿命
在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压,接着在正向施加规定的正弦半波平均整谛电流,整流中流的正向导通角应不大于180°,不小于150°。4.5.2脉冲测试
脉冲测试条件应按 GJB 128的 3·3·2+1的规定。4.5.3热
热阻测试应按 GB 4023 中的 2.2.3 条的规定进行。4
检验或试验
A1分组
外观及机綫检验
A2分组
正向电压
反向电流
A3分组
商润工作:
反向电流
低温工作:
正向电压:
A6分组
浪蒲电流
最后测试:
GJB128
IY-1 2 3
SJ50033.46—94
表 1 A组检验
GB 4023
T rm = 60A
。=300ms
Vh = Vwh
Te= 140t
Vr VrwM
Te = - 55t
IFM -6DA
tg—300gg
Th = 25t
Ve = Vkwm
IrSM—420A
p 10ms
周波教与浪
次数均为1
见表4步骤「和2
表2B组检验
检验或试验
B1 分组
可短性
标志久性
B2 分组
热冲击
细检漏
b粗检摘
最后测试:
焊接停留时间= [0 = 1s
轻限值
最小值
除低温为-35外,其余同试验
条件 F-1。
试验条件H
试验案件
见表 4 步骤1 和 2。
最大值
TKAONKAca-
检验或试验
B分组
稳态工作寿命
最后测试:
B4分组
开帽内部耳检
B6 分组
商温寿的(非工作状态)
最后测试:
检验或检验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热种击
引出端强皮
目。细
b.粗检漏
综合温度/湿
度周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3 分组
变频振动
恒定加速度
SJ 50033.46 94
Te - 95-gcVr = Vrw
To = 14A
f=50Hz正弦半皱
现表4步骤1、2和3
TA = 175t
见表4此骤1.2和3
表3C组检验
见图1
试验条件
试验条件Dz
转矩;1.ON·r
时间:10~15s
试验条件 H
试验条件C
按表4步强1和2
a - 14700m/s*
t = 0, 5r119
冲击方向及次数:
沿X、Y2每
方向5次
非工作状态
离心加速度:
极限值
最小值
每批一个器件
70失效
最大镇
检验或检验
最后测试:
Cs 分组
(适珀时)
低气压
试验期间测试
反向电流
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
C7 分组
验或检验
正向电压
反向电流
反向电流变化
GB 4023
GB4023
FW -2.2.3
SJ 50033.4694
GB 128
98000m/
获表4步案1和2
试验条件 C
1= 60g
VR-YowMt
Te- 9s_2c
Jo=144
VR-VRwM
于 = 50H元正孩半波
见表4表骤1、2、和3
入=10
Zah(rei
表4A组、B组和C组的电测试
GB 4023
I-1-2-3
N-1-4-1
-1-4-1
IFM- 60A
1,=3003
V - VeWM
VR - VwM
注:1)本试验中I超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应符合GIB33的规定。
5.2存要求
照存要求应按 GJB 33 的规定。5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33的规定。
6说明事项
极限值
极限遣
最小值
最大值
最火值
初始值的100%或
4.0mA,取较大者。
TrKAONiKAca-
6.1预定用途
SJ50033.46—94
符合本规范的器件供新设备和现有的后勋保障用。6.2订货资料
订货合同应规定下列内容:
理。本规范的名称和编号;
b.等级(见1-31);
数量:
d.需要时.其它要求。
6.3对出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3·2·1条)。如使用单位衡要时,典型特性监线等可在合同或订货单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由八七兰厂起草。
本规范主要起草人:彭琳、刘东才、金贵永。计划项目代号:B21025。
YIKAONIKAca-
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