【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ２ＣＺ５８型硅整流二极管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.4594
半导体分立器件
2CZ58型硅整流二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 2cz58silicon rectifier diode
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CZ58型硅整流二极管
详细规范
Semiconductor digcrete deviceDetail speeifieation for type 2cz58silicorl rertiffer dlede
1范围
1.1 主题内容
本规范规定了2CZ58型硅整流二极臀（以下简格器件)的详细要求。1.2适周范围
本规范适月于器件的研制、生产和果购。1.3分类
本规范根据器件质保证等级进行分类。1.3.1器件的等极
S1 50033.45 94
按GJR33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为凿军、持军和超特军三级，分别用字母 GP,GT和 GCT表示。2引用文件
GB4023--86单导体分立器件第2部分整流二极管G37581—87毕导体分立器件外形尺寸GJB33-85半导件分立器件总规范GIB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJ333和本规范的规定。3.2设计,结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端涂层
器件表面应镀锡。对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中规定（见6.3条）。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布199412.01实施
TKAoNiKAca
3.2.2器件结构
S50033.4594
在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构。批号
CI-01A
图1外形图
3.2.3外形尺寸
SJ 50033.45-94
外形尺寸应符合 GB 7581 的 C1 -01A 型及如下的规定。见图 1。3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2CZ58B
2CZ58D
2C258E
2CZ58F
2CZ58G
2CZ58H
2C258K
Ta=25C
tp=10ms
注：1)
当Ic超过75t时，按133mA/C线性地降额3.3.2主要电特坐(T=25℃）
[pM=30A
2C2561
2Cz580
2C758D
最太值
2C258E
2CZ58F
2CZ58G
2CZ58H
2C758J
2C258K
3.4电测试要求
Vn= VRwM
最大值
电测试应符合G3 4023 及本规范的规定。3.5标志
- 55～ 150
Va- VeM
Te=140
最大值
- 55 ~175
最大值
rKAoNiKAca-
SJ 50033.45-94
标志应符合GIB33和本规范的规定。3.5.1极性
器件的极性应采用二极管符号”一以“表示，箭头指向为负极端。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定格验应按 GJB 33 的规定。4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GIB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极阻值的器件应予剔除。
筛选(见 GJB 33表 2)
3，热种击
7.中间中数测试
8.电老化
9a最后测试
4.4质量：致性检验
测试险验
除低温为-55t外,其余同试验条件F。VeMIVtRi
Te=75-9℃ 1o=10A Va=VeWM f=50H 正弦半被本规范表1的 A2 分组;
2Il一初始值的100%或2.0uA,取较大者；AVemI= +0.IV。
质量-致性检验应按GIB33的规定。4.4.1 A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行4.4.2 B组检验
B组检验应接GIB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）的要求应按本规范表 4的相应步骤的规定。
4.4.3 C组检验
C组检验应按GIL33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和如下规定：4.5.1稳态工作筹命
在器件的反向施如规定的弦半波峰值电压，接着在正施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于180°，不小于150。4.5.2脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3·3·2·1的规定。4.5.3热阻
热阻测试应按GB4023中的2.2.3条的规定。检验或试
Al分组
外嫂及机械检验
A2分组此内容来自标准下载网
正向电压
反向电流
A3分组
高温工作：
反向电济
低蕴工作：
正向电压：
AG分组
浪痛电流
最后测试：
B1分统
可焊性
GJB128
SJ50033.45-94
表 1A组检验
GE4023
TEM = 30A
+p=300us
8然2%
Vr=VewM
Te= 140c
Vr= VrwM
Te --55c
1pM= 30A
1-300元g
TA=25c
标志耐久性
B2分组
热神击
a.细检瀚
五. 粗检漏
最后测试：
Vr = VrwM
IFSM=210A
tp-10ms
周波效与痛次数
均为［
见表4沙骤1和2
表 2 B组检验
GB 128
焊接停留时间 + 13
最小值
除低温为-55f ,其余同试验条件F
试验件H
试验涤伴C
见表 4 步骤 1 和 2
最人值
TKAONKAca
或试验
B3分组
稳态工作寿俞
最后测试，
B4分组
开帽内部目检
B6分组
高溢寿备
(非工作状态)
最后测试：
检验或检验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
引出强度
a。细检漏
h.相检凝
综台湿度/湿度
同期试验
外观及机械拉验
最后测试：
C3 分组
变频振动
定加速度
SJ 50033.45-94
GB 128
T-75-s
V - VkM
To - 10A f=50H
正兹半波
见表 4 步骤 1,2 和 3
TA=175t
见表 4 步骤 1、2 和 3
表 C组检验
见图1
试验条件 R
试验条件D
转矩：1·ON'm
时问：10--15s
试验条作H
试验条件℃
按表 4 步骤 [ 和 2
A= 14700m/2
冲击方向及次数：
沿X、Y.2每方
向5次
非工作状态
离心加速度：
极限值
最小值
每批一个器件
70失效
录最大值
检验或检验
最后测试：
C5分组
（适用时）
低气压
试验期间测试
反柯电流
C6 分组
稳态工作寿命
C7分组
检验或检验
正向电压
反向电流
反向电流变化
GB4023
GB4023
IV -2.2.3
SJ50033.45-94
GB 128
98000m/s2
按表4步骤1和 2
试验条件心
VA = VRwM
Te -= 75-1c
To=10A
Yh - VrwM
1= 50Hz
正弦半波
接表4表骤1.2、
+= 1s
表4A组、B组和C组的电测试
GB 4023
V-1·2·3
IPM = 30A
4,=300μs
Ve= VRWM
Ve= VRWM
注: 1)本试验中 I 超过 A 组极取值的暴件不应接收。5交货准备
5.1．包装要求
包装要求应符合GJB 33的规定。5.2贮存要求
贮存要求应按 GJR 33 的规定。符号
极裂值
最小值
极裂值
最小值
最大值
最大值
初始值的100%或
2.0μA,较大者。
TrKAONiKAca-
5.3运输要求
运输要求应按GJ333的规定。
说明事项
6.1预定用途
SJ 50033.45 -94
符合本规范的器件供新设备和现有的后敷保障用。6.2订货资料
订货合同应规定下列内容：
a，本规范名称和编号；
b。 等级(见1·3.1);
c，数量；
d需要时,其它要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3-2·1条）。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由八七三厂起草。
本规范主要起草人;彭琳、刘东才、金贵永。计划项目代号：B21024。
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。